本申请提供一种灭火器放置架，包括：底座，底座底部设有轮组；设置在底座上的托盘，托盘用于承载灭火器；连接在托盘和底座之间的升降机构，升降机构用于带动托盘相对于底座进行升降运动。通过将灭火器放置在本申请提供的灭火器放置架上，在整个灭火过程中...

本申请提供一种保护外壳，用于安装在紧急按钮的外围，以保护紧急按钮，该保护外壳包括主体和从主体外部周边边缘向上延伸的第一挡板和第二挡板；其中，主体中心设有供紧急按钮通过的通孔，当保护外壳安装在紧急按钮的外围时，第一挡板和第二挡板分别位于紧...

本申请提供半导体结构及其形成方法，所述半导体结构包括：半导体衬底，所述半导体衬底的第一表面形成有第一外延层和第二外延层，所述半导体衬底包括若干交替分布的第一区域和第二区域；掩埋金属连接结构，位于所述第二区域的第一外延层和第二外延层中，所...

本申请提供一种互连结构及其形成方法，该形成方法包括：提供前层结构和位于前层结构上的堆叠结构，该堆叠结构包括依次堆叠的第一导电阻挡材料层、导电连线材料层、第二导电阻挡材料层、通孔连线材料层以及第三导电阻挡材料层；在第三导电阻挡材料层上形成...

本公开涉及一种TOC测量装置，包括连通管道、测量系统、控制系统，所述测量系统包括第一紫外反应器、第一传感器、第二传感器，所述第一紫外反应器设置在连通管道中，且被构造为发出第一紫外光，以对流经的液体进行氧化反应；所述第一传感器、第二传感器...

本申请提供一种温度控制装置，用于控制刻蚀设备的腔室内的温度，包括至少一个温度调节组件，温度调节组件包括：环形管道，环形管道设置在刻蚀设备的腔室的外表面上，环形管道上开设有入口和出口；至少一个温控组件，温控组件包括入口通道和出口通道，入口...

本发明提供了一种低资源消耗的面向忆阻器耐久性的磨损均衡方法，属于集成电路技术领域。本发明是将被频繁写入数据的存储空间块与未被频繁写入数据的存储空间块进行数据交换，使数据写入在整个存储空间上尽可能均匀，有助于缓解频繁读写带来的器件损坏的问...

本申请提供一种晶圆加热装置，所述晶圆加热装置包括：加热盘，用于放置并加热晶圆；加热盘盖，设置于所述加热盘上方，与所述加热盘完全贴合形成加热腔室，所述加热盘盖的侧部顶部均匀设置有若干进气口，所述加热盘盖的上表面中心设置有排气管。本申请提供...

本公开公开了质量检测的局部密度对比抽检方法及装置、介质，包括以下步骤：S1、对采集到的半导体生产刻蚀过程的批次数据进行特征提取；S2、对特征提取后的数据进行数据标准化；S3、对标准化后的特征数据进行特征选择；S4、将特征选择后的数据进行...

本发明提供了一种隧穿场效应晶体管的制备方法，属于微纳电子学技术领域。本发明在基本的隧穿场效应晶体管结构的基础上，采用外延方法在衬底表面和栅叠层之间制备了一个具有和漏区或源区同样掺杂类型的中等浓度硅材料作为沟道区，从而降低或增大了隧穿场效...

本公开涉及一种输送管道接口装置及其控制方法。输送管道接口装置包括输送接口箱输送接口箱、输送管道接口、清洗机构、控制单元，输送管道接口被构造为用于对接外部设备；所述清洗机构被构造为用于在外部设备与输送管道接口脱离后，对所述输送管道接口进行...

本申请提供一种波导测试结构、波导测试晶圆及波导测试方法，所述测试结构包括：至少两个波导结构，每个波导结构包括若干呈弧形的弯曲波导以及若干呈直线的直波导，所述若干直波导位于相邻的弯曲波导之间并连接所述若干弯曲波导；所述若干弯曲波导的形状相...

本申请提供一种监测装置，用于实时监测送风装置的风速，包括至少一个监测单元，监测单元包括外壳、第一超声波收发装置和第二超声波收发装置；所述第一超声波收发装置和所述第二超声波收发装置分别设置在所述外壳内的第一位置和第二位置，且所述第一位置和...

本申请提供一种端面耦合器结构及其形成方法，所述端面耦合器结构包括：SOI衬底，所述SOI衬底包括底硅层、埋氧层和顶硅层，所述顶硅层中形成有硅波导结构，所述硅波导结构被包覆层包覆，所述包覆层中包括第一折射率调制区和第二折射率调制区；所述第...

本申请提供半导体结构及其形成方法，所述半导体结构包括：SOI衬底，所述SOI衬底包括若干器件区和包围每个器件区的切割道区，所述SOI衬底上还包括第一介质层；位于所述第一介质层表面的第二介质层以及位于所述第二介质层中的第一波导结构，部分第...

本申请提供一种光电探测器结构及其形成方法，所述结构包括：绝缘体上硅衬底，所述绝缘体上硅衬底包括顶层硅，所述顶层硅包括生长区和位于所述生长区两侧的掺杂区，所述顶层硅表面形成有介质层；所述生长区的介质层中形成有外延层，所述生长区中的外延层的...

本发明实施例公开了一种半导体结构及其制备方法、电子设备。该半导体结构包括：衬底；有源器件，所述有源器件设置在所述衬底的一侧；介质层，所述介质层形成在所述衬底的相对的两侧，并覆盖所述有源器件，在所述介质层内设置有导通结构，所述导通结构与所...

本申请提供一种盛漏盘，具有漏液检测功能，包括：盛液槽和设置在盛液槽底面的检测组件，检测组件包括第一电极和第二电极，其中，第一电极和第二电极之间交错排布形成检测区域。本申请提供的盛漏盘能够进行漏液检测并且能够盛放漏液，其具有较大的检测范围...

本发明提供了一种偏振薄膜及其在半导体器件中的应用、光学隔离器。本发明的偏振薄膜，包括多个相互交错设置的相变薄膜或包括多个相互交错设置的相变薄膜与非相变薄膜；本发明的偏振薄膜可应用于制备半导体器件，具体的，将该偏振薄膜应用于光学隔离器中，...

本申请提供半导体结构及其形成方法，所述半导体结构包括：SOI衬底，所述SOI衬底包括底硅层、绝缘层和顶硅层，所述SOI衬底包括光栅区域、第一波导区域、第二波导区域和第三波导区域；第一脊型波导，位于所述第一波导区域的顶硅层中；光栅结构，所...