一种半导体结构的形成方法，包括：提供基底，包括第一器件区、以及第二器件区；在第一器件区的基底上形成第一沟道结构，包括一个或多个堆叠的第一沟道叠层，包括第一牺牲层和位于第一牺牲层上的第一沟道层，第一沟道结构具有第一宽度，且第一牺牲层的材料...

本申请提供半导体结构及其形成方法，所述半导体结构包括：半导体衬底，所述半导体衬底包括第一区域，所述第一区域的半导体衬底表面形成有若干依次堆叠的牺牲层和沟道层，所述若干依次堆叠的牺牲层和沟道层表面形成有伪栅极结构，其中，所述牺牲层侧壁形成...

一种半导体结构及其形成方法，形成方法包括：去除伪栅结构，形成栅极开口，暴露出叠层结构和隔离层；去除栅极开口底部的部分厚度的隔离层，暴露出凸起部的部分侧壁；沿垂直于第一沟道层延伸方向，去除隔离层暴露出的凸起部，形成位于第一沟道层与剩余凸起...

本申请实施例提供了一种受限薄液膜核态沸腾相变冷却结构及其制造方法，包括依次层叠设置的流道层、超疏滤膜层和工质进出结构层，当半导体芯片的热量传输到流道层后，液膜开始沸腾并进行相变产生气泡，利用对液体具有超亲性的超亲微纳米结构实现对于沸腾气...

一种半导体结构及其形成方法，形成方法包括：提供基底，包括用于形成第一器件的第一器件区和用于形成第二器件的第二器件区；在第一器件区的基底上形成沟道结构，在第二器件区的基底上形成器件鳍部，沟道结构包括一个或多个沟道叠层，沟道叠层包括第一牺牲...

一种半导体结构的形成方法，包括：提供基底，包括第一器件区，基底上形成有栅极结构，栅极结构侧壁形成有侧墙，第一器件区的栅极结构一侧基底内形成有源区，另一侧基底内形成有漏区，漏区与源区掺杂类型不同；去除第一器件区靠近源区一侧的侧墙，露出源区...

一种阻变存储器测试结构、用于阻变存储器测试结构的操作方法以及制备方法。该阻变存储器测试结构包括衬底以及设置在衬底上的阻变存储器、限流电阻和至少一个测试垫，阻变存储器包括衬底的表面上在远离衬底的方向上依次提供的第一电极、阻变存储层和第二电...

本发明涉及一种抑制沟道漏电的堆叠纳米片CMOSGAA

本发明涉及一种多阈值堆叠纳米片GAA

一种半导体结构的形成方法，包括：提供基底；在基底上形成沟道结构，沟道结构包括一个或多个堆叠的沟道叠层，沟道叠层包括牺牲层和位于牺牲层上的沟道层，牺牲层包括两层第一牺牲层和夹于两层第一牺牲层之间的第二牺牲层，沿沟道结构的延伸方向上，沟道结...

一种半导体结构的形成方法，包括：形成共形覆盖于偏移侧墙、栅极结构及基底上的侧墙膜，以及位于偏移侧墙侧壁的侧墙膜的侧壁上的第一侧墙；在第一器件区栅极结构一侧和另一侧的基底内分别对应形成源区、漏区；形成保护膜，共形覆盖于第一侧墙顶面和侧壁及...

一种半导体结构及其形成方法、以及存储器，半导体结构包括：基底，包括多个分立的单元阵列区，用于形成存储单元；多条沿列向延伸且沿行向排布的隔离结构，位于基底中，单元阵列区的隔离结构的顶面低于基底的顶面；第一漏掺杂层，位于隔离结构沿行向第二侧...

一种驱动电路和电子装置。该驱动电路包括上拉电路和下拉电路，上拉电路设置在上拉电源电压端和输出端之间，且配置为接收第一选择信号并使用上拉电源电压端的电压上拉输出端的电压，下拉电路设置在下拉电源电压端和输出端之间，且配置为接收第二选择信号并...

本发明涉及一种具有空气内侧墙的GAAFET器件及其制备方法，本发明在环栅晶体管的制造中采用非晶硅(或多晶硅)临时侧墙与非晶硅(或多晶硅)临时侧墙去除工艺，并利用纳米片沟道释放和原子层淀积(ALD)/CVD/PVD工艺形成纳米片环栅晶体管...

本发明涉及一种多阈值堆叠纳米片GAA

本发明涉及一种异质混合沟道结构半导体器件的制备方法，在浅沟槽隔离(STI)形成之后，采用湿法/干法刻蚀工艺来精确控制Si纳米片与SiGe牺牲层(或SiGe纳米片与Si牺牲层)的沟道释放程度，形成Si纳米片与SiGe支撑层(或SiGe纳米...

一种稳压器电路和存储装置。该稳压器电路包括：第一级放大电路，第二级放大电路和电流调节模块。第一级放大电路配置为分别从第一输入端和第一节点接收第一输入电压和第一电压，并且在第二节点输出第二电压；第二级放大电路，配置为与第一级放大电路耦接，...

本发明涉及一种半导体器件及其制备方法，半导体器件的纳米片堆栈部包括：纳米片堆栈部，其设置在所述衬底上；其中，所述纳米片堆栈部包括：多个纳米片形成的叠层，所述纳米片由半导体材料形成；所述纳米片形成的叠层构成多个导电沟道；环绕式栅极，其环绕...

本公开提供了一种存储器的写入方法和写入装置，该存储器的写入方法包括：探测存储器的多个存储单元中的第一存储单元的写入操作是否完成，其中，多个存储单元分别用于并行地执行写入数据的多个写入位的写入；响应于探测到第一存储单元的写入操作完成，对于...

一种半导体结构及其形成方法，形成方法包括：在衬底上形成堆叠结构，包括自下而上依次交替堆叠的多个第一功能层和第二功能层；在第二叠层结构侧壁形成保护侧墙；去除第一叠层结构中的第一功能层，第一叠层结构中的第二功能层作为第一沟道层；形成包围第一...