一种半导体结构及其形成方法，半导体结构包括：沟道结构层；源漏掺杂层，沿沟道层长度的方向位于沟道结构层的两侧，源漏掺杂层与相邻沟道层，或源漏掺杂层与基底、以及与基底相邻的沟道层围成通槽；与通槽相连通的栅极开口，位于源漏掺杂层之间且横跨沟道...

一种半导体结构的形成方法，包括：在栅极结构的侧壁上形成侧墙；在第一器件区中，在栅极结构一侧的基底内形成源区，在栅极结构另一侧的基底内形成漏区，漏区与源区的掺杂类型不同；在基底、栅极结构以及侧墙上保形覆盖硅化物阻挡膜；去除位于第一器件区的...

本发明公开了一种具有环形侧壁的高一致性忆阻器及其制备方法。所述忆阻器包括衬底和位于衬底上的电极

本发明涉及一种环绕栅极晶体管及其制备方法。一种环绕栅极晶体管的制备方法采用如下方法形成栅介质：先形成第一高k介质层，然后去除部分区域的第一高k介质层；再形成第二高k介质层；其中，所述第一高k介质层和所述第二高k介质层具有不同的电负性或者...

本发明提供一种堆叠纳米片环栅CMOS器件及其制备方法，CMOS器件包括：衬底，形成于衬底NMOS区域上方的第一NMOS和第二NMOS，第一NMOS的纳米片阵列中每个纳米片沟道由内到外依次环绕有第一高k介质层、NMOS功函数层和导电金属层...

一种半导体结构及其形成方法，半导体结构包括：贯穿浮栅和部分厚度基底的沟槽，包括位于单元阵列区的主沟槽、位于相邻一侧选择栅区的第一偏移槽、位于第一过渡区的第一过渡槽以及沿行向与第一偏移槽间隔排布的第一次沟槽，第一过渡槽具有分别对应在沿行向...

一种半导体结构及其形成方法，形成方法包括：提供基底；形成覆盖浮栅材料层、隔离结构和基底的控制栅材料层；图形化控制栅材料层和浮栅材料层，形成位于单元阵列区、第一过渡区和相邻选择栅区的控制栅，剩余浮栅材料层用于作为浮栅，浮栅和控制栅构成栅极...

本申请提供半导体结构的形成方法，所述方法包括：提供半导体衬底，所述半导体衬底表面包括若干依次堆叠的牺牲层和沟道层；在所述牺牲层和沟道层顶面形成伪栅极层；刻蚀所述伪栅极层两侧的牺牲层和沟道层至暴露所述半导体衬底表面，同时使所述伪栅极层下方...

一种光学邻近矫正方法及其系统、掩膜版、设备及存储介质，所述光学邻近矫正方法包括：提供原始图形；获取所述原始图形中的刻蚀窗口；获取所述刻蚀窗口边界内侧的膜层，作为内侧膜层，以及获取所述刻蚀窗口边界外侧的膜层，作为外侧膜层；判断所述内侧膜层...

本申请提供半导体结构及其形成方法，所述半导体结构包括：半导体衬底，所述半导体衬底包括第一区域和第二区域以及隔离所述第一区域和所述第二区域的隔离结构；栅极结构，位于所述第一区域和所述第二区域的半导体衬底上；第一侧墙，位于所述栅极结构的侧壁...

本申请提供一种半导体结构及其形成方法，所述形成方法包括：提供半导体衬底，所述半导体衬底中形成有隔离结构，所述隔离结构的顶面低于所述半导体衬底的顶面，所述半导体衬底表面形成有依次设置的浮栅介质层、浮栅层和掩膜层；在所述半导体衬底表面和所述...

本申请提供一种半导体结构及其形成方法，所述形成方法包括：提供半导体衬底，所述半导体衬底上依次形成有栅介质层、栅极层；去除部分所述栅极层、栅介质层及半导体衬底，形成沟槽；在所述沟槽中形成绝缘层，所述绝缘层的顶面低于所述半导体衬底的顶面；向...

一种半导体结构及其形成方法，形成方法包括：提供基底；在基底上形成浮栅；图形化浮栅和基底，在基底中形成多条沿列向延伸且沿行向排布的隔离结构；刻蚀位于单元阵列区的相邻隔离结构之间的部分浮栅，形成开口，沿列向贯穿单元阵列区、相邻第一过渡区和第...