本申请提供半导体结构及其形成方法，所述半导体结构包括：半导体衬底；依次位于所述半导体衬底上的底部导电层、阻变层和顶部导电层；第一保护层，位于所述顶部导电层侧壁，所述第一保护层的侧壁和所述阻变层以及所述底部导电层的侧壁平齐。本申请提供一种...

本发明提供一种事故排风净化处理装置及系统，其中事故排风净化处理装置包括：净化处理箱、过滤模块及吸附组件，净化处理箱具有腔体，且净化处理箱相对的两端具有进气口和出气口，进气口用于与废气连通；过滤模块靠近进气口设于所述腔体内，吸附组件设于过...

本发明实施例公开了一种半导体结构及其制备方法、电子设备。该电子设备包括：衬底；硬质掩模板，所述硬质掩模板形成在所述衬底上；贯穿所述硬质掩模板并延伸至所述衬底的通孔，在所述通孔内填充有第一导体材料，第一导体材料经腐蚀回刻设定深度，以形成所...

一种半导体结构及其形成方法，其中，形成方法包括：在形成凹槽后，去除所述牺牲层，在叠层结构和凸起部之间、以及凹槽的下方形成通道，所述通道由所述绝缘层和所述凸起部围成；在所述通道内形成隔离层；在所述凹槽内形成源漏掺杂层，所述源漏掺杂层位于所...

一种半导体结构及其形成方法，结构包括：沟道结构层，包括多个自下而上依次间隔设置的第一沟道层，第一沟道层沿横向延伸，平行于基底且与横向相垂直的方向为纵向；栅极结构，横跨沟道结构层且包围第一沟道层；源漏结构，位于栅极结构两侧，包括位于第一沟...

本发明公开了一种低操作电压高一致性忆阻器及其制备方法。所述忆阻器是在上下层电极之间设有掺氮缺陷层和功能层，所述掺氮缺陷层成分为MO

本发明提供一种一体式热交换焚烧炉装置，属于焚烧炉技术领域。一体式热交换焚烧炉装置包括装置外壳，内部设置有燃烧室；高温换热器，高温换热器包括高温换热壳体，高温换热壳体内密布有高温换热管，高温换热管的两端分别贯穿高温换热壳体的两个相对侧壁；...

本申请提供一种分流结构及电镀装置，该分流结构用于电镀时阳极的工作表面上的母液分流，该分流结构包括：贯穿阳极的母液通道，用于引导母液流向阳极的工作表面；设置在阳极的工作表面上的分流部，分流部与母液通道连通，用于将母液分散至阳极的工作表面上...

本申请提供一种清洁装置，设置在分子泵的吸气口处用于对分子泵内部进行清洁，所述清洁装置包括主体，其中，主体靠近分子泵的表面开设有进气孔组和出气孔组，进气孔组和出气孔组与分子泵内部连通；主体的侧面和/或主体远离分子泵的表面开设有分别与进气孔...

本发明涉及一种VCMA

一种半导体结构及其形成方法，其中，半导体结构包括：衬底；多个凸起部，凸出于衬底；隔离层，位于凸起部上，沿凸起部的延伸方向，隔离层包括第一区域以及位于第一区域两侧的第二区域；填充层，位于隔离层的第一区域上；沟道结构层，位于填充层的上方且与...

本发明涉及一种基于铁电/铁磁材料耦合的双模式电压调控MRAM存储单元及其调控方法，电压调控单元在隧道结中的自由层与底电极之间施压电压，通过施加电压调控铁电层，使得铁电层可在未击穿状态和击穿状态之间切换；当铁电层处于未击穿状态时，影响自由...

本发明属于设备故障处理技术领域，涉及一种基于图网络优化的集束型设备故障响应方法和系统，包括以下步骤：采集集束型设备的加工状态，若某一设备发生故障，则根据加工状态，确定该设备的动态特征f

一种半导体结构及其形成方法，其中结构包括衬底，衬底，衬底包括相邻的第一区和第二区；分别位于第一区和第二区上的若干沟道层；位于相邻沟道层之间的侧墙；位于堆叠的若干沟道层两侧的源漏掺杂层；位于衬底上的栅极结构，栅极结构包围若干沟道层，且栅极...

一种半导体结构及其形成方法，其中结构包括：衬底；位于衬底上且沿衬底表面法线方向重叠的若干沟道层；位于衬底上的栅极结构，栅极结构包围沟道层；位于栅极结构侧壁表面的外侧墙，所述外侧墙的侧壁相对于沟道层端面凹陷；位于栅极结构两侧鳍部结构内的源...

一种半导体结构及其形成方法，包括：衬底，衬底上具有若干沟道层，沟道层沿第一方向延伸；位于相邻沟道层两端之间的内侧墙，内侧墙的侧面与沟道层端面共垂直面；位于相邻沟道层之间的栅极槽；位于衬底上和栅极槽内的栅极结构，栅极结构沿第二方向包围若干...

一种半导体结构及其形成方法，其中方法包括：提供衬底；形成所述衬底上的若干沟道层，所述若干沟道层沿所述衬底表面法线方向间隔堆叠，相邻所述沟道层之间具有栅沟槽，且所述若干沟道层和所述栅沟槽分别沿第一方向延伸；形成横跨所述若干沟道层表面的若干...

一种稳压器电路和存储装置。该稳压器电路包括第一级放大模块，第二级放大模块和操作模式控制模块。第一级放大模块配置为分别从第一输入端和第一节点接收第一输入电压和第一节点电压，并且在第二节点输出第二节点电压；第二级放大模块配置为与第一级放大模...

本发明公开一种半导体器件及其制造方法，涉及半导体技术领域，用于在环栅晶体管包括的沟道区具有多层纳米线/片的情况下，提高沟道区中位于下部的纳米线/片的驱动能力。半导体器件包括半导体基底、有源结构和栅堆叠结构。有源结构包括的沟道区包括第一沟...

本申请实施例提供了一种受限薄液膜核态沸腾相变冷却结构及其制造方法，包括依次层叠设置的超亲纳米结构层、气液分离膜层和流道结构层，当半导体芯片的热量传输到超亲纳米结构层后，液膜开始沸腾并进行相变产生气泡，利用对液体具有超亲性的超亲微纳米结构...