半导体结构及其形成方法技术

一种半导体结构及其形成方法，结构包括：沟道结构层，包括多个自下而上依次间隔设置的第一沟道层，第一沟道层沿横向延伸，平行于基底且与横向相垂直的方向为纵向；栅极结构，横跨沟道结构层且包围第一沟道层；源漏结构，位于栅极结构两侧，包括位于第一沟道层侧壁的第一源漏掺杂层；源漏插塞，与源漏结构的顶部相接触，且还与第一源漏掺杂层沿纵向且与栅极结构相背的侧壁、沿横向第一侧侧壁和沿横向第二侧侧壁中的至少一个侧壁相接触。源漏插塞至少与第一源漏掺杂层的其中之一侧壁相接触，使得电流直接通过源漏插塞流向各个第一沟道层，减小电流在流向各个第一沟道层的路径中消耗的压降，提高各个第一沟道层内的沟道电流值，增强器件的驱动电流。强器件的驱动电流。强器件的驱动电流。强器件的驱动电流。

【技术实现步骤摘要】
【国外来华专利技术】

【技术保护点】

【技术特征摘要】
【国外来华专利技术】

【专利技术属性】
技术研发人员：汪涵，卜伟海，
申请(专利权)人：北方集成电路技术创新中心北京有限公司，
类型：发明
国别省市：