本申请提供一种涂胶显影机的显影组件，包括：显影槽，所述显影槽内设置有晶圆载台，所述晶圆载台用于承载进行显影的晶圆；显影喷头，所述显影喷头位于所述显影槽内并位于所述晶圆载台的上方，且可沿第一方向移动；监测装置，所述监测装置设置在所述显影槽...

本发明提供一种半导体结构的形成方法，所述方法包括：提供衬底，以及位于所述衬底上方的源漏结构及横跨所述源漏结构的伪栅结构；在所述衬底上方形成层间介质层，所述层间介质层露出所述伪栅结构的顶部；去除所述伪栅结构，形成栅极深槽；在所述层间介质层...

本发明涉及一种晶圆烘烤的热排系统及热排方法，腔室内设置有机台，所述机台上用于安装热板；集风单元具有集风腔，所述集风腔的入口设置在机台上邻近热板的位置；热排管路单元的一端与所述集风腔的出口连通，另一端通过排风扇与厂务热排管道连通。本发明的...

本申请的一些实施例提供了半导体产能负载计算方法，其利用自然语言处理技术将自然语言描述的生产流程转化为可被程序计算的数值向量，之后使用机器学习的层次聚类这一聚类算法将已被数值化的产品生产流程进行聚类分析，选出最优的产品分类组合并选定代表性...

本发明公开一种面向高误码率存储器的三级流水线BCH译码方法，属于集成电路技术领域。本发明将译码器进行三级流水线切割，切割为伴随式生成电路、差错方程生成电路、钱氏搜索电路，其得到差错方程的代数结构并未改变，而整个译码器的译码频率得到了成倍...

本发明提供一种非均匀传输线的二端口网络参数确定方法及装置，涉及参数计算技术领域。所述方法包括：确定从非均匀传输线的第一端口到第二端口之间的正向特征阻抗和正向复传播系数，以及从非均匀传输线的第二端口到第一端口之间的反向特征阻抗和反向复传播...

一种半导体结构及其形成方法，包括：在器件隔离结构侧部的基底中以及器件隔离结构底部的基底中形成第一型掺杂层以及位于第一型掺杂层顶部且与第一型掺杂层顶部相接触的第二型掺杂层，位于器件隔离结构底部的第一型掺杂层与器件隔离结构相接触，位于器件隔...

一种半导体结构及其形成方法，方法包括：在第一器件区和第二器件区的基底中形成第一型掺杂层以及位于第一型掺杂层顶部的第二型掺杂层，第二型掺杂层与第一型掺杂层相接触，第二型掺杂层的底部高于器件隔离结构的底部或者与器件隔离结构的底部相齐平，且器...

本发明公开了一种纳米定向多孔结构的制备方法，包括高分子材料/水溶液中加入有机溶剂制成高分子材料/水/有机溶剂混合液；将所述高分子材料/水/有机溶剂混合液进行超声处理形成包含纳米级微液滴的高分子材料/水/有机溶剂混合液；将含纳米级微液滴的...

本发明公开一种面向阻变存储器的高精度阵列模拟方法，属于集成电路技术领域。本发明针对不同的操作引入了不同的操作成功率，根据从数字控制电路接收到的阵列操作信号，利用随机数生成函数对相应操作的随机数变量进行赋值，并与相应的操作成功率常数进行比...

本申请提供一种波导测试链路的绘制方法、装置及电子设备，包括：响应于用户输入操作，获取链路绘制参数，所述链路绘制参数包括波导特征参数和链路特征参数；判断所述链路绘制参数是否符合预置条件；如果判断结果为是，则根据所述波导特征参数，确定周期性...

本发明提供了一种存内计算存储器人工神经网络的片上训练方法，属于人工神经网络算法优化领域。本发明遵循曼哈顿规则的思路，提出引入基于概率的三值更新规则，将理想经典误差反向传播算法BP算法中的高精度权重更新转化为三值的权重更新，在每个训练批次...

本申请提供一种反应腔体及化学气相沉积设备，反应腔体包括至少一个腔室，腔室内从上到下依次设置有导流板、泵送通道和基座，其中，泵送通道包括凹槽和环形覆盖片，凹槽沿腔室周向设置在腔室内侧壁上，环形覆盖片覆盖在凹槽开口处，凹槽的开口背离腔室内侧...

本申请提供一种流体瓶运输推车，包括：车架，车架包括上层板、下层板和用于连接上层板和下层板的多个连接杆，其中，下层板的上表面设置有多个托盘，上层板上开设有与多个托盘对应的多个孔位，孔位供流体瓶通过以放置于对应的托盘上；多个万向滚轮，多个万...

本申请提供一种校准工具，用于电子淋浴枪的灯丝安装校准，包括：定位部，定位部上开设有用于供灯丝穿过的灯丝过孔；校准部，校准部具有矩形凹槽，校准部包括第一校准面、第二校准面、第三校准面和第四校准面；其中，第一校准面为校准部与定位部的连接面，...

本申请提供一种取样装置，用于对目标容器内的液体进行取样，包括：盖体，盖体用于安装在目标容器的取样口上，盖体包括顶部和沿顶部边缘向下延伸的侧部，侧部套设在取样口的凸缘上；留样瓶，留样瓶安装在顶部上；取样管，取样管的一端与留样瓶连通，另一端...

本申请提供半导体结构及其形成方法，所述半导体结构包括：半导体衬底，所述半导体衬底表面依次形成有第一绝缘层、导电层、第二绝缘层和硬掩膜层，所述第一绝缘层中形成有电连接所述半导体衬底的集电极，所述导电层、第二绝缘层和硬掩膜层中形成有暴露所述...

本申请提供一种TFET器件及其形成方法，所述TFET器件包括：半导体衬底，所述半导体衬底表面包括相互垂直的x方向和y方向；位于所述半导体衬底中的若干沿x方向延伸的第一沟槽和若干沿y方向延伸的第二沟槽；位于所述第一沟槽和所述第二沟槽中的隔...

本发明公开了一种高能效存内计算电路，属于新型存内计算技术和集成电路架构设计领域。该存内计算电路包括2R阻变存储器存算阵列、行译码器与驱动电路、单斜型模数转换器电路以及移位加法器电路，在存内计算方面，差分权重的2R阵列结构使得矩阵‑向量乘...

本发明涉及光学测量技术领域，尤其是涉及一种检测柱面曲率半径的装置及方法。检测柱面曲率半径的装置包括测量头，所述测量头用于检测待测柱面镜的曲率半径；所述测量头包括光源、十字分划板、分光镜、准直透镜、中继透镜和CCD相机；所述中继透镜为中继...