【技术实现步骤摘要】
本申请涉及半导体制造，特别涉及一种反应腔体及化学气相沉积设备。
技术介绍
1、化学气相沉积是半导体制程中的一种常见工艺，是指反应气体在衬底(例如，晶圆)表面发生化学反应生成薄膜的过程，例如，利用化学气相沉积工艺可以在晶圆表面生成致密的氧化硅薄膜。化学气相沉积设备是实现化学气相沉积的设备，反应腔体是化学气相沉积设备的核心组成部分，在反应腔体内，反应气体会被能量(例如，射频能量或微波能量)激发为等离子体，等离子体会在衬底表面发生化学反应而在衬底表面上沉积出薄膜。然而，由于反应腔体内的某些部件之间的连接会存在缝隙，而导致等离子体会扩散集中在缝隙处，该缝隙处的等离子体并不能参与化学反应起到生成薄膜的作用，因此产生该缝隙处的等离子体的能量就相当于被损失浪费了，而为了达到规定的薄膜厚度，则需要消耗更高的能量来激发得到更多的等离子体，以对扩散到缝隙处的等离子体进行补偿。
2、因此，希望提供一种反应腔体，能够避免等离子体向缝隙处扩散，以降低能量损失，减小产生等离子体的能量消耗。
技术实现思路
1、本申请实施例之一提供一种反应腔体，包括至少一个腔室，所述腔室内从上到下依次设置有导流板、泵送通道和基座，其中，所述泵送通道包括凹槽和环形覆盖片，所述凹槽沿所述腔室周向设置在所述腔室内侧壁上，所述环形覆盖片覆盖在所述凹槽开口处，所述凹槽的开口背离所述腔室内侧壁，所述环形覆盖片的上边缘与所述导流板的外边缘之间密封装配。
2、在一些实施例中，所述导流板的外边缘的周向上具有缺口，所述环形覆
3、在一些实施例中，所述缺口具有第一表面和第二表面，所述第一表面与所述导流板平行，所述第二表面与所述第一表面之间的夹角不小于90°；所述环形覆盖片的上边缘具有分别与所述第一表面和所述第二表面配合的第三表面和第四表面。
4、在一些实施例中，所述环形覆盖片周向上设置有多个等间隔分布的第一通孔，所述第一通孔用于供所述腔室内的气体通过以进入所述泵送通道内。
5、在一些实施例中，所述反应腔体还包括位于所述腔室外的泵管道和气泵，所述泵管道与所述气泵连接，所述凹槽的侧壁上开设有第二通孔，所述第二通孔延伸出腔室外，用于将所述泵管道和所述泵送通道连通。
6、在一些实施例中，所述反应腔体包括两个所述腔室，所述泵管道设置在两个所述腔室之间，所述两个腔室内的所述泵送通道共同与所述泵管道连通。
7、在一些实施例中，所述凹槽与所述腔室的内侧壁可拆卸连接。
8、在一些实施例中，所述导流板上开设有若干个导流孔。
9、在一些实施例中，所述基座上设置有加热机构。
10、本申请实施例之一提供一种化学气相沉积设备，具有上述任一实施例所述的反应腔体。
11、本申请实施例提供的化学气相沉积设备及反应腔体，通过使反应腔体内的环形覆盖片的上边缘和导流板的外边缘之间密封装配，可以避免环形覆盖片的上边缘和导流板的外边缘之间存在缝隙，从而可以避免在化学气相沉积过程中等离子体扩散到缝隙里而无法参与生成薄膜的化学反应造成使得产生缝隙里的等离子体的能量相当于被浪费掉，进而能够减小产生等离子体的能量消耗，不用消耗更高的能量产生更多的等离子体来补偿扩散到缝隙里的等离子体，也能使得衬底表面所生成的薄膜达到规定的厚度。
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1.一种反应腔体，其特征在于，包括至少一个腔室，所述腔室内从上到下依次设置有导流板、泵送通道和基座，其中，所述泵送通道包括凹槽和环形覆盖片，所述凹槽沿所述腔室周向设置在所述腔室内侧壁上，所述环形覆盖片覆盖在所述凹槽开口处，所述凹槽的开口背离所述腔室内侧壁，所述环形覆盖片的上边缘与所述导流板的外边缘之间密封装配。
2.根据权利要求1所述的反应腔体，其特征在于，所述导流板的外边缘的周向上具有缺口，所述环形覆盖片的上边缘形状与所述缺口形状适配。
3.根据权利要求2所述的反应腔体，其特征在于，所述缺口具有第一表面和第二表面，所述第一表面与所述导流板平行，所述第二表面与所述第一表面之间的夹角不小于90°；所述环形覆盖片的上边缘具有分别与所述第一表面和所述第二表面配合的第三表面和第四表面。
4.根据权利要求1所述的反应腔体，其特征在于，所述环形覆盖片周向上设置有多个等间隔分布的第一通孔，所述第一通孔用于供所述腔室内的气体通过以进入所述泵送通道内。
5.根据权利要求1所述的反应腔体，其特征在于，所述反应腔体还包括位于所述腔室外的泵管道和气泵，所述
6.根据权利要求5所述的反应腔体，其特征在于，所述反应腔体包括两个所述腔室，所述泵管道设置在两个所述腔室之间，所述两个腔室内的所述泵送通道共同与所述泵管道连通。
7.根据权利要求1所述的反应腔体，其特征在于，所述凹槽与所述腔室的内侧壁可拆卸连接。
8.根据权利要求1所述的反应腔体，其特征在于，所述导流板上开设有若干个导流孔。
9.根据权利要求1所述的反应腔体，其特征在于，所述基座上设置有加热机构。
10.一种化学气相沉积设备，其特征在于，具有如权利要求1至9任一项所述的反应腔体。
...【技术特征摘要】
1.一种反应腔体，其特征在于，包括至少一个腔室，所述腔室内从上到下依次设置有导流板、泵送通道和基座，其中，所述泵送通道包括凹槽和环形覆盖片，所述凹槽沿所述腔室周向设置在所述腔室内侧壁上，所述环形覆盖片覆盖在所述凹槽开口处，所述凹槽的开口背离所述腔室内侧壁，所述环形覆盖片的上边缘与所述导流板的外边缘之间密封装配。
2.根据权利要求1所述的反应腔体，其特征在于，所述导流板的外边缘的周向上具有缺口，所述环形覆盖片的上边缘形状与所述缺口形状适配。
3.根据权利要求2所述的反应腔体，其特征在于，所述缺口具有第一表面和第二表面，所述第一表面与所述导流板平行，所述第二表面与所述第一表面之间的夹角不小于90°；所述环形覆盖片的上边缘具有分别与所述第一表面和所述第二表面配合的第三表面和第四表面。
4.根据权利要求1所述的反应腔体，其特征在于，所述环形覆盖片周向上设置有多个等间隔分布的第一通孔，所述第...
【专利技术属性】
技术研发人员：梁小华，刘金涛，
申请(专利权)人：北方集成电路技术创新中心北京有限公司，
类型：新型
国别省市：
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