【技术实现步骤摘要】
本专利技术涉及一种基板处理装置的气体歧管，具体涉及一种能够抵消因向工艺腔室提供工艺气体的供给配管的气体温度差而产生的热应力且能够保持气密性的基板处理装置的气体歧管。
技术介绍
1、通常，等离子体化学气相沉积(plasma enhanced chemical vapor deposition；pecvd)设备，用于在显示器制造工艺或者半导体制造工艺中，在真空状态下，利用气体的化学反应在基板上沉积绝缘膜、保护膜、氧化膜、金属膜等。
2、图1是具有双腔室的一般基板处理装置的一例子的纵截面图。如图1所示，基板处理装置9包括第一工艺腔室单元9a和第二工艺腔室单元9b，具有两个工艺腔室11、21。
3、具体地，基板处理装置9包括：两个工艺腔室11、21，其具有与外部密封的内部空间11c、21c，从而在沉积工艺过程中保持真空状态；固定体30，其设置于工艺腔室11、21之间，以保持间距；基座12、22，其可升降地设置于工艺腔室11、21的内部，且用于放置基板w；喷淋头13、23，其向工艺腔室11、21的内部提供工艺气体，包括作为沉积材料的源气体；供气源cc，其通过气体配管31～33向喷淋头13、23提供51工艺气体；抽气通道14、24，其用于将工艺腔室11、21接收的气体向内部空间11c、21c的外部排出；共同排出通道40，其从抽气通道14、24延伸。
4、为了实现基座12、22的上下移动的同时保持工艺腔室11、12内部空间的真空状态，可备置用于隔绝外气的波纹管。由此，在基座12、22上放置有基板w的状态下，
5、在该状态下，当供气源cc向喷淋头13、23提供工艺气体时，工艺气体能够通过喷淋头13、23被供给到工艺腔室11、21内部。此时，如果从rf电源供给部施加连续形态的电源，以在工艺腔室11、21内部生成等离子体，则会在基板w的表面形成一定厚度的膜。
6、通过喷淋头13、23向工艺腔室11、21提供的工艺气体在形成等离子体后，强制流入施加有吸入压的抽气通道14、24。然后，通过抽气通道14、24的出口流入共同排出通道40并向外部排出53。
7、另外，从供气源cc向工艺腔室11、21提供的工艺气体，以150℃至200℃的高温被提供，因此延伸至工艺腔室11、21的流入口13a、23a的气体配管31～33在常温和高温状态之间反复，并反复进行热膨胀和热收缩。
8、然而，基板处理装置9为了利用一个供气源cc向两个工艺腔室11、21提供工艺气体，气体配管并非朝一个方向延伸，如图1和图2所示，流动路径存在弯曲的部分。因此，气体配管通过多个连接部彼此连接，并从供气源cc向工艺腔室11、21的喷淋头13、23提供52工艺气体。
9、但是，由于在以高温提供时，根据位置存在温度差，气体配管31～33不可避免地发生上下方向z和延伸方向x的热变形，因此气体配管30(31、32及33)的连接部可能存在引发工艺气体泄漏的问题。
10、而且，气体配管31的与供气源cc相邻的部分a1的温度大致为200℃，相反，气体配管32的与喷淋头13、23相邻的部分a2的温度大致为150℃，温度差较大。因此，还存在气体配管31～33的热变形量产生偏差的问题。
11、因此，提出了一种通过在气体配管30(31、32及33)的连接部之间设置特氟隆来防止气体配管31～33的连接部漏气的方案。但是，由于特氟隆材料的密封件耐久性差，需要经常进行更换，因此存在因无法连续地执行基板处理工艺而导致工艺效率降低，而且更换特氟隆材料的密封件所需的维护费用增加的问题。
12、因此，急切需要一种在构成从供气源cc向至少两个工艺腔室11、21提供工艺气体的气体歧管的过程中，吸收气体配管的热变形以使热应力的发生最小化，并有效地抑制气体配管连接部漏气的方案。
13、前面所述的构件和功能不是本申请的申请日之前公开的，是用于比较说明本专利技术的技术。
技术实现思路
1、技术问题
2、为了解决如上所述的问题，本专利技术目的在于，提供一种基板处理装置的气体歧管，其能够在双腔室的基板处理系统从供气源向工艺腔室提供高温工艺气体的过程中，防止构成气体歧管的供给配管因热变形引起热应力而导致破损或者变形。
3、此外，本专利技术的目的在于，使设置用于从供气源向工艺腔室提供工艺气体的供给配管后的维护管理最小化。
4、技术方案
5、本专利技术为了实现如上所述的目的，提供一种基板处理装置的气体歧管，其用于从供气源向进行基板处理工艺的工艺腔室提供工艺气体，包括：金属材料的供给配管，其从所述供气源沿上下方向延伸至分配体；金属材料的流入配管，其与所述工艺腔室连接，用于使所述工艺气体流入所述工艺腔室的内部；陶瓷材料的输送配管，其介于所述分配体与所述流入配管之间，用于将通过所述供给配管传递来的工艺气体输送至所述流入配管。
6、其目的在于，在从供气源延伸至工艺腔室的气体配管中，使热变形较大的水平姿势排列的输送配管由陶瓷材料形成，从而在从供气源向工艺腔室提供高温工艺气体的过程中，使供给气体传递的热传递造成的温度变化引起压缩、拉伸位移的热应力最小化。
7、本说明书和权利要求书中记载的“气体”和“工艺气体”是对源气体、反应气体、调制气体的统称，是指为了统称向工艺腔室中提供的各种气体而定义的。源气体，为在基板上面成膜时的主要成膜材料，反应气体，用于与作为成膜形成于基板上面的膜的主要材料的源气体进行反应；承载气体，用于向工艺腔室提供特定气体；调制气体，用于工艺腔室内进行调制步骤期间使用。
8、本说明书和权利要求书中记载的名称“第一”是指第一工艺腔室单元9a的构成要素，“第二”是指第二工艺腔室单元9b的构成要素，不包括“第一”或者“第二”的名称且同时标有第一工艺腔室单元9a的构成要素的附图标记和第二工艺腔室单元9b的构成要素的附图标记的名称是指第一工艺腔室单元9a和第二工艺腔室单元9b的构成要素的统称。
9、有益效果
10、如上所述，本专利技术通过在具有至少两个工艺腔室的基板处理统中设置用于从供气源向各工艺腔室输送工艺气体的气体配管时，使热变形较大的水平方向的输送配管由热膨胀系数低的陶瓷系列材料形成，以使热变形位移最小化，从而能够获得提高气体配管的耐久寿命的有益效果。
11、最重要的是，本专利技术通过可弹性变形的弹簧板支撑贯通陶瓷材料的输送配管的一侧并连接固定于金属材料的待连接的配管的固定螺栓的头部，以弹簧板的挠曲弹性位移来吸收温度偏差导致的输送配管及与其连接的配管的热膨胀偏差，从而能够获得抵消根据温度变化而引起压缩或者拉伸位移的热应力的有益效果。
12、基于此，本专利技术能够获得从根本上防止用于提供高温工艺气体的气体歧管中因热应力而导致部件的损伤或者破损的有益效果。
13、另外，本专利技术通过在与陶瓷材料的输送配管的另一侧连接的第二配管上设置从第二本文档来自技高网...
【技术保护点】
1.一种基板处理装置的气体歧管，其用于从供气源向进行基板处理工艺的工艺腔室提供工艺气体，其特征在于，包括：
2.如权利要求1所述的基板处理装置的气体歧管，其特征在于，进一步包括：
3.如权利要求2所述的基板处理装置的气体歧管，其特征在于：
4.如权利要求3所述的基板处理装置的气体歧管，其特征在于：
5.如权利要求4所述的基板处理装置的气体歧管，其特征在于：
6.如权利要求4所述的基板处理装置的气体歧管，其特征在于：
7.如权利要求4所述的基板处理装置的气体歧管，其特征在于：
8.如权利要求2所述的基板处理装置的气体歧管，其特征在于：
9.如权利要求1至8中任一项所述的基板处理装置的气体歧管，其特征在于：
10.如权利要求9所述的基板处理装置的气体歧管，其特征在于：
11.如权利要求1至8中任一项所述的基板处理装置的气体歧管，其特征在于：
12.如权利要求11所述的基板处理装置的气体歧管，其特征在于：
13.如权利要求12所述的基板处理装置
14.如权利要求13所述的基板处理装置的气体歧管，其特征在于：
...【技术特征摘要】
1.一种基板处理装置的气体歧管，其用于从供气源向进行基板处理工艺的工艺腔室提供工艺气体，其特征在于，包括：
2.如权利要求1所述的基板处理装置的气体歧管，其特征在于，进一步包括：
3.如权利要求2所述的基板处理装置的气体歧管，其特征在于：
4.如权利要求3所述的基板处理装置的气体歧管，其特征在于：
5.如权利要求4所述的基板处理装置的气体歧管，其特征在于：
6.如权利要求4所述的基板处理装置的气体歧管，其特征在于：
7.如权利要求4所述的基板处理装置的气体歧管，其特征在于...
【专利技术属性】
技术研发人员：金秀宪，朴海允，成振昊，郑盈箕，
申请(专利权)人：盛吉盛韩国半导体科技有限公司，
类型：发明
国别省市：
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