用于进行等离子体处理工艺的基板处理装置制造方法及图纸

本发明专利技术涉及用于进行等离子体处理工艺的基板处理装置。本发明专利技术的基板处理装置通过在基板处理工艺中的处理条件下，以预设的间隔对阻抗控制电路的可变电容器的静电容量值进行一次扫描，同时将可变电容器设定为通过传输线路的测量传感器所测量的有效电流值与有效电压值的乘积取值最大的静电容量值，从而可在处理工艺中短时间内找出并设定RF电力从下部电极向接地传输的最佳条件，以实现有利效果。

【技术实现步骤摘要】

本专利技术涉及用于进行等离子体处理工艺的基板处理装置，更具体地，涉及一种基板处理装置，为生成等离子体而提供的rf电力通过基板支撑台的下部电极能够顺利地从接地排出。

技术介绍

1、在制造半导体或者平板显示器的过程中，可利用等离子体处理工艺。为此，在制造半导体或者平板显示器的过程中使用的基板w通过图1中所示的基板处理装置9进行基于等离子体的处理工艺。

2、如图1所示的基板处理装置9包括：等离子体腔室10，其具有与外部隔绝的内部空间10c；基板支撑台20，其用于支撑通过等离子体腔室10的开口12流入的基板w；喷淋头30，其向搁置于基板支撑台20的基板w提供71工艺气体；rf电力生成器40，其用于向搁置于基板支撑台20的基板w上侧的上部电极提供(bb)rf电力。

3、利用驱动部d打开用于开启和关闭等离子体腔室10开口12的挡板12a的状态下，基板w被导入等离子体腔室10的内部空间10c，基板w进入内部空间10c后，挡板12a关闭开口12。然后，向搁置于基板支撑台20的基板w的上侧提供气体供给源g所提供的工艺气体，同时rf电力生成器40向上部本文档来自技高网...

【技术保护点】

1.一种用于进行等离子体处理工艺的基板处理装置，包括：

2.如权利要求1所述的用于进行等离子体处理工艺的基板处理装置，其特征在于，

3.如权利要求2所述的用于进行等离子体处理工艺的基板处理装置，其特征在于，

4.如权利要求2所述的用于进行等离子体处理工艺的基板处理装置，其特征在于，

5.如权利要求2所述的用于进行等离子体处理工艺的基板处理装置，其特征在于，

6.如权利要求1至5中任一项所述的用于进行等离子体处理工艺的基板处理装置，其特征在于，

7.如权利要求6所述的用于进行等离子体处理工艺的基板处理装置，其特征在于，...

【技术特征摘要】

1.一种用于进行等离子体处理工艺的基板处理装置，包括：

2.如权利要求1所述的用于进行等离子体处理工艺的基板处理装置，其特征在于，

3.如权利要求2所述的用于进行等离子体处理工艺的基板处理装置，其特征在于，

4.如权利要求2所述的用于进行等离子体处理工艺的基板处理装置，其特征在于，

5.如权利要求2所述的用于进行等离子体处理工艺的基板处理装置，其特征在于，

6.如...

【专利技术属性】
技术研发人员：李喆，梁斗豪，李宗炫，朴商佑，李昶旻，朴绍延，李俊莹，郑允琇，金在贤，
申请(专利权)人：盛吉盛韩国半导体科技有限公司，
类型：发明
国别省市：