【技术实现步骤摘要】
本技术涉及cvd系统，更为具体地，涉及一种cvd系统的输气管道。
技术介绍
1、晶圆生产设备中的cvd(chemical vapor deposition，化学气相沉积法)系统的气源一般都是由气体箱供气，气体箱与晶圆生产设备中的腔体内的输气管道连接，输气管道将气态的工艺气体输送到腔体上部的盖体上的气体交付管路中，通过喷淋头将工艺气体喷入cvd的工艺腔室。
2、但是，工艺气体在腔体内的输气管道流动过程中，蒸气压会降低、温度会降低而使气体液化，且该液体冷凝并附着在管道上，在管道内成为水颗粒，降低了工艺气体输送效率。
技术实现思路
1、鉴于上述问题，本技术的目的是提供一种cvd系统的输气管道，能够使工艺气体在腔体内的管道中输送时，保持气体状态，不会液化。
2、本技术提供的一种cvd系统的输气管道，包括cvd系统的腔体内的输气管道，其特征在于，在所述输气管道的外壁一周设置有加热构件。
3、所述加热构件包括加热套，所述加热套套在所述输气管道上。
4、所述加热套的长度与所述输气管道的长度相等。
5、所述加热套的外侧设置有保温套。
6、所述加热套为温度可控的电加热套。
7、所述加热套为具有保温功能的加热套。
8、所述加热构件包括设置在所述输气管道的外壁的加热管，和包裹在所述加热管的外侧和所述输气管道的外壁的保温层。
9、从上面的描述可知，本技术提供的cvd系统的输气管道，包括设置在设备的腔
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1.一种CVD系统的输气管道，包括CVD系统的腔体内的输气管道，其特征在于，在所述输气管道的外壁一周设置有加热构件，所述加热构件包括加热套，所述加热套套在所述输气管道上，所述加热套的外侧设置有保温套。
2.如权利要求1所述的CVD系统的输气管道，其特征在于，所述加热套的长度与所述输气管道的长度相等。
3.如权利要求1所述的CVD系统的输气管道，其特征在于，所述加热套为温度可控的电加热套。
4.如权利要求1所述的CVD系统的输气管道，其特征在于，所述加热套为具有保温功能的加热套。
5.如权利要求1所述的CVD系统的输气管道，其特征在于，所述加热构件包括设置在所述输气管道的外壁的加热管，和包裹在所述加热管的外侧和所述输气管道的外壁的保温层。
【技术特征摘要】
1.一种cvd系统的输气管道，包括cvd系统的腔体内的输气管道，其特征在于，在所述输气管道的外壁一周设置有加热构件，所述加热构件包括加热套，所述加热套套在所述输气管道上，所述加热套的外侧设置有保温套。
2.如权利要求1所述的cvd系统的输气管道，其特征在于，所述加热套的长度与所述输气管道的长度相等。
3.如权利要求1所述...
【专利技术属性】
技术研发人员：李东昊，吴泰润，林池泳，张惠贞，郑美善，李昭渊，崔键洙，罗载文，姜先美，金明石，
申请(专利权)人：盛吉盛韩国半导体科技有限公司，
类型：新型
国别省市：
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