【技术实现步骤摘要】
本专利技术涉及基板处理装置和方法，更具体地，涉及一种利用气体在工艺腔室内进行基板处理工艺的过程中，能够根据处理条件调节排气流导的基板处理装置。
技术介绍
1、通常，等离子体化学气相沉积(plasma enhanced chemical vapor deposition；pecvd)设备，用于在显示器制造工艺或者半导体制造工艺中，在真空状态下，利用气体的化学反应在基板上沉积绝缘膜、保护膜、氧化膜、金属膜等。
2、图1是具有双腔室的一般基板处理装置的一例子的纵截面图。如图1所示，基板处理装置9包括：两个工艺腔室11、21，其具有与外部密封的内部空间11c、21c，从而在沉积工艺过程中保持真空状态；固定体30，其设置于工艺腔室11、21之间，以保持间距；基座12、22，其可升降地设置于工艺腔室11、21的内部，且用于放置基板w；喷淋头13、23，其向工艺腔室11、21的内部提供工艺气体，包括作为沉积材料的源气体；供气部15、25，其向喷淋头13、23提供51工艺气体；抽气通道14、24，其将工艺腔室11、21接收的气体向内部空间11c、21c的外部排放；排出通道40，其从抽气通道14、24延伸。
3、为了实现基座12、22的上下移动的同时保持工艺腔室11、12内部空间的真空状态，可备置用于隔绝外气的波纹管。由此，在基座12、22上放置有基板w的状态下，将工艺腔室11、21的内部调至小于大气压的真空状态。
4、在该状态下，当从供气部15、25向喷淋头13、23提供工艺气体时，工艺气体能够通过喷淋头13
5、通过喷淋头13、23向工艺腔室11、21提供的工艺气体在形成等离子体后，强制流入52施加有吸入压的抽气通道14、24。然后，通过抽气通道14、24的出口流入共同排出通道40并向外部排出53。
6、通常，具有双腔室的基板处理装置9为了将两侧工艺腔室11、21中所提供的工艺气体排出，采用一个排气系统进行压力控制。为了从各工艺腔室11、21排出气体，将其连接成如图1所示的结构。
7、如上所述的结构中，一工艺腔室11与另一工艺腔室21之间可互相产生影响。例如，一工艺腔室11中的压力值变化或者等离子体的条件变化可影响另一工艺腔室21，从而可获得不符合基板处理工艺意图的结果。
8、此外，基板处理工艺中使用的工艺气体，根据基板的材料和沉积膜的种类，将工艺气体的种类和供给流量分别控制为不同。从而，需要根据所提供的工艺气体的种类和供给流量对使用后的工艺气体从工艺腔室11、21排气时的单位时间内排气量即排气流导进行调节。但是，如图1所示的一般的基板处理装置9中存在以下问题：一个装置中设置一个排气流导，不能以符合工艺气体的种类和供给流量、工艺条件等的变化的方式调节排气流导。
9、因此，急需要一种在具有双腔室的基板处理装置的基板处理工艺过程中，能够最小化相互间的影响，并以符合各种处理工艺中所使用的工艺条件的方式自由地调节排气流导的方案。
10、前面所述的构件和功能不是本申请的申请日之前公开的，是用于比较说明本专利技术的技术。
技术实现思路
1、技术问题
2、为了解决如上所述的问题，本专利技术的目的在于，提供一种在双腔室的基板处理系统中工艺腔室的处理工艺不相互影响的基板处理装置。
3、此外，本专利技术的目的在于，根据基板处理工艺的条件调节，调节从工艺腔室排出的气体单位时间内的排气量，从而提高基板处理工艺中的处理效率。
4、技术方案
5、本专利技术为了实现如上所述的目的，提供一种基板处理装置，包括：第一工艺腔室，其用于执行基板的第一处理工艺；第二工艺腔室，其用于执行基板的第二处理工艺；共同排出通道，其用于排出从所述第一工艺腔室排出的第一工艺气体和从所述第二工艺腔室排出的第二工艺气体；以及调节单元，其在所述共同排出通道的一部分区间，分隔所述共同排出通道的流动截面而形成供所述第一工艺气体流动的第一排出通道的至少一部分及供所述第二工艺气体流动的第二排出通道的至少一部分，并调节所述共同排出通道中所述第一工艺气体和所述第二工艺气体汇合的位置。
6、其目的在于，通过调节单元隔断使用第一工艺气体的第一工艺腔室与使用第二工艺气体的第二工艺腔室之间，从而最小化双腔室结构中相互间的影响。
7、其中，所述调节单元可包括：分隔部件，其用于分隔所述共同排出通道的所述流动截面；移动部，其用于使所述分隔部件移动。
8、所述第一工艺腔室与所述第二工艺腔室的之间布置有固定体，从而使腔室本体之间保持一定间隔，并形成工艺气体的排气通道，固定体上设置有用于收纳分隔部件的一部分的收纳部。由此，分隔部件以部分收纳于收纳部的状态，以凸出的方式进行往返移动来调节凸出长度，从而对第一工艺气体与第二工艺气体的汇合位置进行调节。
9、例如，所述分隔部件连接于可旋转的螺杆，所述固定体上形成有供所述螺杆紧固结合的紧固孔，根据所述螺杆的旋转可使所述分隔部件发生往返移动。此时，所述螺杆通过支撑于支撑台的驱动马达被旋转驱动，所述支撑台弹簧支撑于所述固定体，从而使分隔部件的往返移动冲程转化为弹簧的压缩或者拉伸位移。
10、更重要的是，可设置为第一排出通道和第二排出通道的汇合位置处的流动截面积根据调节单元的分隔部件的移动距离而改变，第一排出通道用于将第一工艺气体从第一工艺腔室排出，第二排出通道用于将第二工艺气体从第二工艺腔室排出。基于此，可通过调节单元调节各工艺腔室中排出的工艺气体的单位时间内的排出流量即排气流导，因此，能够以符合基板处理工艺中的工艺气体的供给流量、电源频率、脉冲频率等工艺条件变化的方式自由地调节排气流导，可与符合工艺条件的排气效率匹配地提高处理效率。
11、为此，所述分隔部件可形成为在末端部截面尺寸逐渐变化的变截面形状。例如，所述分隔部件的下侧部分处的截面相对较大，从而能够以当所述分隔部件向下移动时，所述第一排出通道和所述第二排出通道的汇合位置处的流动截面积逐渐变小；当所述分隔部件向上移动时，所述第一排出通道和所述第二排出通道的汇合位置处的流动截面积逐渐变大的方式调节排气流导。
12、与此同时，用于形成所述第一排出通道和所述第二排出通道的本体壁面中除了分隔部件以外的壁面上沿着所述分隔部件的移动方向形成有倾斜面，由此能够通过分隔部件的移动来调节与倾斜面间的间距并调节排气流导。
13、因此，所述调节单元能够根据第一工艺腔室中进行的第一处理工艺的工艺条件和第二工艺腔室中进行的第二处理工艺的工艺条件改变分隔部件的位置。
14、本说明书和权利要求书中记载的“气体”和“工艺气体”是对源气体、反应气体、调制气体的统称，是指为了统称向工艺腔室中提供的各种气体而定义的。源气体，为在基板上面成膜时的主要成膜材料，反本文档来自技高网...
【技术保护点】
1.一种基板处理装置，其特征在于，包括：
2.如权利要求1所述的基板处理装置，其特征在于，
3.如权利要求2所述的基板处理装置，其特征在于，进一步包括：
4.如权利要求3所述的基板处理装置，其特征在于：
5.如权利要求4所述的基板处理装置，其特征在于：
6.如权利要求1所述的基板处理装置，其特征在于：
7.如权利要求6所述的基板处理装置，其特征在于：
8.如权利要求7所述的基板处理装置，其特征在于：
9.如权利要求7所述的基板处理装置，其特征在于：
10.如权利要求6所述的基板处理装置，其特征在于：
11.如权利要求6所述的基板处理装置，其特征在于，进一步包括：
【技术特征摘要】
1.一种基板处理装置，其特征在于，包括：
2.如权利要求1所述的基板处理装置，其特征在于，
3.如权利要求2所述的基板处理装置，其特征在于，进一步包括：
4.如权利要求3所述的基板处理装置，其特征在于：
5.如权利要求4所述的基板处理装置，其特征在于：
6.如权利要求1所述的基板处理...
【专利技术属性】
技术研发人员：韩天浩，朴海允，金官希，
申请(专利权)人：盛吉盛韩国半导体科技有限公司，
类型：发明
国别省市：
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