【技术实现步骤摘要】
本专利技术涉及基板处理装置及方法，更具体地，涉及一种基板处理装置，利用气体在工艺腔室内生成等离子体并执行基板处理工艺后，在将处理工艺后的基板移送至工艺腔室外部的过程中，能够防止基板由于静电力紧贴于基板支撑台上而无法分离导致的基板破损。
技术介绍
1、通常，利用等离子体的基板处理装置可在沉积、干式清洗、灰化等各种应用中使用。例如，等离子体化学气相沉积(plasma enhanced chemical vapor deposition；pecvd)装置作为基板处理装置之一，用于在显示器制造工序或者半导体制造工序中真空状态下利用气体的化学反应将绝缘膜、保护膜、氧化膜、金属膜等沉积到基板上。
2、图1是基板处理装置的一例的纵截面图。如图1所示，基板处理装置9包括：工艺腔室10，其具有与外部隔绝的内部空间s1以维持沉积工艺中的真空状态；喷淋头20，其接收来自气体供给源g、25的包括用作沉积材料的源气的工艺气体，并供给至工艺腔室10的内部；基板支撑台40，其可升降地设置于工艺腔室10的内部且可安置基板w；rf电力施加部p1、30，其向等离子体电极施加rf电力，以在喷淋头20与基板w之间生成等离子体；阻抗匹配部m、35，其布置于rf电力施加部30与等离子体电极之间，以在rf电力与工艺腔室10之间匹配阻抗；电源施加部p2，其用于向基板支撑台40上布置的加热器施加电源；排出部件60，其形成有将提供到内部空间s1的气体通过排出口10x进行抽送并排出69的排出通路66。
3、为了使基板支撑台40可上下移动的同时维持工艺腔室10
4、如果利用等离子体在基板的表面形成膜的沉积工艺或者利用等离子体干式清洗基板的表面的清洗工艺等基板处理工艺结束，则搁置于基板支撑台40的基板将移送至后续工艺。
5、为此，如果具有用于贯通基板支撑台40的升降销50，且使基板支撑台40向下方40d移动，则基板w的底面与升降销50的上端接触的同时使基板w从基板支撑台40分离，且维持受升降销50支撑的状态，然后，由移送臂将搁置于升降销50的基板w移送至后续工艺。
6、但是，在基板处理工艺中由于静电使基板w紧贴于基板支撑台40，特别是，当基板支撑台40设置有作为加热器网状电极的一个单极型的电极时，基板w紧贴于基板支撑台40上的紧贴力明显增大，通过升降销50用物理力将基板w从基板支撑台40的表面推开的过程中会引发基板损伤的问题。
7、因此，急需一种基板处理工艺结束之后在基板w紧贴在基板支撑台40的状态下无破损且可靠地将基板从基板支撑台40分离的技术。
8、所述结构和作用并非本申请的申请日之前公知的结构，而是用于对比说明本申请的技术。
技术实现思路
1、技术问题
2、为了解决如上所述的问题，本专利技术的目的在于，提供一种在工艺腔室内利用等离子体进行的基板处理工艺结束后，将基板可靠且无损伤地从用于搁置基板的基板支撑台分离的基板处理技术。
3、技术方案
4、本专利技术为了实现如上所述的目的，提供一种基板处理装置，包括：工艺腔室，其内部设置有内部空间；喷淋头，其用于向所述内部空间提供工艺气体；基板支撑台，其可上下移动地设置且在所述内部空间执行基板的处理工艺期间将所述基板搁置于支撑面；rf电力施加部，其用于向等离子体电极施加rf电力，以在所述喷淋头与所述基板支撑台之间生成等离子体；负荷测量部，其在利用等离子体处理所述基板的工艺结束的状态下，在所述基板支撑台向下方移动的期间，测量所述基板支撑台向下方移动所需的负荷；控制部，其根据所述负荷测量部的负荷测量值，感测所述基板是否为附着于所述基板支撑台的状态。
5、本说明书和权利要求书中记载的‘气体’和‘工艺气体’是对源气、反应气、载气、清洁游离基、调制气或者清洗气体的统称，是指为了统称处理室中所提供的各种气体而定义的。源气，是在基板上面成膜时的主要成膜材料，反应气，用于与源气进行反应，所述源气为成膜于基板上面的主材料；载气，用于向处理室提供特定气体；清洗游离基，用于清洗工艺腔室内部；调制气或者吹扫气，用于在处理室内进行调制或者吹扫步骤期间使用。
6、本说明书和权利要求书中记载的‘上下方向’及其类似的术语是指基板支撑台的移动方向。
7、本说明书中记载的附图标记‘rfi’是指基板处理工艺中rf电力施加部施加的rf电力，本说明书中记载的附图标记‘rfx’是指在基板处理工艺结束状态下根据负荷测量值由rf电力施加部施加的rf电力。
8、本说明书中记载的附图标记‘98’是指基板处理工艺中基板与喷淋头之间生成的等离子体，本说明书中记载的附图标记‘99’是指在基板处理工艺结束的状态下根据负荷测量值由rf电力施加部施加rf电力的同时基板与喷淋头之间生成的等离子体。
9、专利技术效果
10、如上所述，本专利技术在基板处理工艺结束的状态下并向下方移动基板支撑台的过程中，测量向下方移动基板支撑台所需的负荷，当测量的负荷值大于预设的值时，能够实时及时感测到基板处于无法从基板支撑台分离且具有易破损可能性的状态。
11、因此，本专利技术如果感测到基板处于无法从基板支撑台分离的状态，则向等离子体电极施加较小的rf电力，基板与喷淋头之间生成较低的等离子体，将基板与基板支撑台之间能够产生静电力作用的电子向等离子体放射，降低基板附着在基板支撑台的附着力，从而将基板无损伤地从基板支撑台分离。
12、尽管如此，本专利技术根据基板支撑台的下方移动产生的负荷测量值施加较小的rf电力，从而提高基板与基板支撑台之间的电子排出效率，在去除附着力引起的基板受损可能性的同时短时间内可靠地去除基板与基板支撑台之间以静电力形态作用的附着力，从而可提高基板的移送效率。
13、此外，本专利技术随着基板支撑台向下方移动，工艺腔室的压力一起下降，即使调小喷淋头上形成的等离子体电极上施加的rf电力，也能保证在基板与喷淋头之间生成等离子体，而且通过向等离子体电极施加被调小的rf电力，基于弱等离子体去除基板与基板支撑台之间作为静电力作用的电子，从而确保在较短的时间内去除作用于基板与基板支撑台之间的附着力。
14、由此，本专利技术在利用等离子体进行的基板处理工艺结束的状态下，能够有效地去除作用于基板与基板支撑台之间的附着力，从而无基板破损或者损伤且可靠地将基板提供给后续工艺。
本文档来自技高网...【技术保护点】
1.一种基板处理装置，包括：
2.如权利要求1所述的基板处理装置，其特征在于，
3.如权利要求2所述的基板处理装置，其特征在于，
4.如权利要求1所述的基板处理装置，其特征在于，
5.如权利要求4所述的基板处理装置，其特征在于，
6.如权利要求5所述的基板处理装置，其特征在于，
7.如权利要求6所述的基板处理装置，其特征在于，
8.如权利要求5所述的基板处理装置，其特征在于，
9.如权利要求8所述的基板处理装置，其特征在于，
10.如权利要求9所述的基板处理装置，其特征在于，
11.如权利要求9或10所述的基板处理装置，其特征在于，
12.如权利要求1至10中任一项所述的基板处理装置，其特征在于，
13.如权利要求1至10中任一项所述的基板处理装置，其特征在于，
14.如权利要求1至10中任一项所述的基板处理装置，其特征在于，
15.如权利要求1至10中任一项所述的基板处理装置，其特征在于，
【技术特征摘要】
1.一种基板处理装置，包括：
2.如权利要求1所述的基板处理装置，其特征在于，
3.如权利要求2所述的基板处理装置，其特征在于，
4.如权利要求1所述的基板处理装置，其特征在于，
5.如权利要求4所述的基板处理装置，其特征在于，
6.如权利要求5所述的基板处理装置，其特征在于，
7.如权利要求6所述的基板处理装置，其特征在于，
8.如权利要求5所述的基板处理装置，其特征在于，
9.如权利...
【专利技术属性】
技术研发人员：李喆，梁斗豪，李宗炫，朴商佑，李昶旻，河圣守，李圣徒，
申请(专利权)人：盛吉盛韩国半导体科技有限公司，
类型：发明
国别省市：
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