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本发明的基板处理装置包括：工艺腔室，其内部设置有内部空间；喷淋头，其用于向所述内部空间提供工艺气体；基板支撑台，其可上下移动地设置，且在所述内部空间执行基板的处理工艺期间将所述基板搁置于支撑面；RF电力施加部，其用于向等离子体电极施加RF电...
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