【技术实现步骤摘要】
本专利技术涉及基板处理装置的气体喷射器及具有该气体喷射器的基板处理装置，更具体地，涉及一种向喷淋头的内部空间提供扩散形态的工艺气体并通过喷淋头的分散板的供气孔均匀地提供工艺气体的基板处理装置的气体喷射器及具有该气体喷射器的基板处理装置。
技术介绍
1、通常，利用等离子体的基板处理装置可在沉积、干式清洗、灰化等各种应用中使用。例如，等离子体化学气相沉积(plasma enhanced chemical vapor deposition；pecvd)装置作为基板处理装置之一，用于在显示器制造工序或者半导体制造工序中真空状态下利用气体的化学反应将绝缘膜、保护膜、氧化膜、金属膜等沉积到基板上。
2、图1是基板处理装置的一例的纵截面图。如图1所示，基板处理装置9包括：工艺腔室10，其具有与外部隔绝的内部空间s1以维持沉积工艺中的真空状态；喷淋头20，其接收来自气体供给源g的包括用作沉积材料的源气的工艺气体，并供给至各工艺腔室10的内部；基板支撑台30，其可升降地设置于工艺腔室10的内部且可安置基板w；rf电力施加部，其向上部电极施加rf电力rfi，以在喷淋头20与基板w之间生成等离子体排出部件60，其形成有将提供到内部空间s1的气体通过排出口10x进行抽送并排出的排出通路66。
3、为了使基板支撑台30可上下移动的同时维持工艺腔室10内部空间的真空状态，设置有用于隔绝外部空气的波纹管。由此，在基板w搁置于基板支撑台30的状态下将工艺腔室10内部调至小于大气压的真空状态，通过喷淋头20向工艺腔室10的内部提供工艺气体
4、此时，气体供给源g移送来的工艺气体通过喷射器20a并经由喷淋头20的分散空间20c，通过形成于喷淋头20的分散板22的多个供气孔22a向基板上侧提供。但是，如果通过喷射器20a提供的工艺气体不能充分地在分散空间20c扩散，则对于通过喷淋头20提供的工艺气体而言，靠近喷射器20a的供气孔中提供的工艺气体单位时间供给量大于远离喷射器20a的供气孔中提供的工艺气体单位时间供给量。
5、这导致基板的表面上提供的工艺气体产生偏差，以及根据基板表面位置的不同而造成基板的成膜工艺不均匀的原因。因此，正在研究一种通过最小化处理工艺中提供的工艺气体在喷淋头20的不同位置的供气孔22a中的单位时间供给量的偏差从而实现在不同的基板位置上维持恒定的工艺气体供给的技术方案。
6、所述结构和作用并非本申请的申请日之前公知的结构，而是用于对比说明本专利技术的技术。
技术实现思路
1、技术问题
2、为了解决如上所述的问题，本专利技术的目的在于，通过最小化喷淋头的多个供气孔中提供的工艺气体的单位时间供给量偏差，从而在基板表面的不同位置上实现处理结果偏差最小化。
3、换而言之，本专利技术的目的在于，使工艺气体在喷淋头的分散空间强制横向扩散，并通过在分散板上形成的多个供气孔中均匀地提供工艺气体，从而在基板的整个表面上均匀地进行处理工艺。
4、更重要的是，本专利技术的目的在于，即使将至少两种具有不同分子量及单位体积质量差的气体混合形成的混合气体作为工艺气体，通过均质分布重气体和轻气体，使基板上提供的混合气体的质量分布保持均匀，提高基板的处理品质。
5、为此，本专利技术的目的在于，使用于向喷淋头的分散空间提供工艺气体的气体喷射器中吐出的工艺气体沿着横向广阔地扩散。
6、技术方案
7、本专利技术为了实现如上所述的目的，提供一种基板处理装置用的气体喷射器，该气体喷射器用于向执行基板处理工艺的工艺腔室提供工艺气体，包括：气体供应管，其形成有沿上下方向的通道，且下端设置有吐出口；气体注入口，其用于注入工艺气体，以在所述气体供应管中产生向下方的涡流；气体分散部，其配置于所述气体供应管的下端部，用于分散涡流。
8、本说明书和权利要求书中记载的‘气体’和‘工艺气体’是对源气、反应气、载气、调制气的统称，是指为了统称处理室中所提供的各种气体而定义的。源气，是在基板上表面成膜时的主要成膜材料，反应气，用于与源气进行反应，所述源气为成膜于基板上面的主材料；载气，用于向处理室提供特定气体；调制气，用于在处理室内进行调制步骤期间使用。
9、本说明书和权利要求书记载的′工艺气体′是工艺气体和第二工艺气体的统称。
10、本说明书和权利要求书记载的′纵向′、′上下方向′及类似的术语是指气体喷射器的气体供应管的延伸方向，本说明书和权利要求书记载的′横向′及其类似的术语是指与气体喷射器的气体供应管的延伸方向垂直的水平方向。
11、本说明书和权利要求书记载的′外周方向′及其类似的术语是指沿气体供应管的横截面内壁的方向。例如，气体供应管的内部通道110c的横截面为圆形时′外周方向′是指圆周方向。
12、有益效果
13、如上所述，本专利技术通过在气体喷射器的气体供应管中产生涡流，气体供应管的吐出口处基于扩散部使涡流向更广的范围扩散，从而使通过气体喷射器吐出的工艺气体在喷淋头的分散空间扩散到更广的区域，通过分散板提供的工艺气体的单位时间供给量在整个基板上保持均匀。
14、即，本专利技术通过在向基板支撑台的上侧提供工艺气体的过程中，将涡流作为基本流动形态，使通过下端部的气体分散部的扩散孔吐出的工艺气体向半径外侧方向远处扩散，使通过气体喷射器提供的工艺气体快速地扩散到整个喷淋头的扩散空间，通过分配板的供气孔提供恒定流量的工艺气体，实现各基板处理工艺中在基板的整个表面上获得均匀的处理效果。
15、此外，本专利技术通过将分子量小且相对较轻的载气和分子量大且重量重的源气混合形成的混合气体作为工艺气体，向喷淋头提供时，相较于无涡流和分散膜的现有技术，可将基板上侧的源气的质量偏差(deviation of mass fraction)大幅缩减60％左右，可大幅提高基板沉积工艺中的处理品质。
16、由此，本专利技术通过对基板进行基板沉积用成膜等处理工艺，可提高处理工艺的可靠性。
本文档来自技高网...【技术保护点】
1.一种基板处理装置用的气体喷射器，该气体喷射器用于向执行基板处理工艺的工艺腔室提供工艺气体，其特征在于，包括：
2.如权利要求1所述的基板处理装置用的气体喷射器，其特征在于，
3.如权利要求1所述的基板处理装置用的气体喷射器，其特征在于，
4.如权利要求3所述的基板处理装置用的气体喷射器，其特征在于，
5.如权利要求4所述的基板处理装置用的气体喷射器，其特征在于，
6.如权利要求4所述的基板处理装置用的气体喷射器，其特征在于，
7.如权利要求6所述的基板处理装置用的气体喷射器，其特征在于，
8.如权利要求3所述的基板处理装置用的气体喷射器，其特征在于，
9.如权利要求8所述的基板处理装置用的气体喷射器，其特征在于，
10.如权利要求8所述的基板处理装置用的气体喷射器，其特征在于，
11.如权利要求8所述的基板处理装置用的气体喷射器，其特征在于，
12.如权利要求8所述的基板处理装置用的气体喷射器，其特征在于，
13.如权利要求1所述的基
14.如权利要求1所述的基板处理装置用的气体喷射器，其特征在于，
15.一种基板处理装置，包括：
16.如权利要求15所述的基板处理装置，其特征在于，
...【技术特征摘要】
1.一种基板处理装置用的气体喷射器，该气体喷射器用于向执行基板处理工艺的工艺腔室提供工艺气体，其特征在于，包括：
2.如权利要求1所述的基板处理装置用的气体喷射器，其特征在于，
3.如权利要求1所述的基板处理装置用的气体喷射器，其特征在于，
4.如权利要求3所述的基板处理装置用的气体喷射器，其特征在于，
5.如权利要求4所述的基板处理装置用的气体喷射器，其特征在于，
6.如权利要求4所述的基板处理装置用的气体喷射器，其特征在于，
7.如权利要求6所述的基板处理装置用的气体喷射器，其特征在于，
8.如权利要求3所述的基板处...
【专利技术属性】
技术研发人员：车东壹，金洙千，河南，李东昊，金官希，黄领务，李俊范，宋秀静，
申请(专利权)人：盛吉盛韩国半导体科技有限公司，
类型：发明
国别省市：
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