【技术实现步骤摘要】
本申请涉及半导体，尤其涉及一种半导体结构及其形成方法。
技术介绍
1、hbt(异质结双极晶体管)是一种异质的三极管，常被应用于射频领域，其运行速度的持续提升主要是通过器件结构的创新来降低寄生电阻和电容实现的。目前国际上最先进的锗硅hbt的技术方案大多基于选择性外延的双多晶自对准dpsa-seg方案，这种方案中，器件基区和外基区的连接最初采用的是垂直接触的方案。随后又提出一种侧接触结构，是依靠外基区侧面外延生长形成内外基区连接。相比于更早的垂直接触方案，侧接触方案能够降低基区和集电极寄生电容，提升器件性能。
2、然而目前的侧接触方案容易发生发射极与外基区短路或者基极与外基区接触面积太小的问题。因此，有必要提供一种更有效、更可靠的技术方案，提高器件可靠性。
技术实现思路
1、本申请提供一种半导体结构及其形成方法，可以提高器件可靠性。
2、本申请的一个方面提供一种半导体结构的形成方法，包括：提供半导体衬底，所述半导体衬底表面依次形成有第一绝缘层、导电层、第二绝缘层和硬掩膜层，所述第一绝缘层中形成有电连接所述半导体衬底的集电极，所述导电层、第二绝缘层和硬掩膜层中形成有暴露所述集电极的开口；在所述开口侧壁和底部以及所述硬掩膜层表面依次形成第一侧墙层和第二侧墙层，所述第一侧墙层和第二侧墙层的刻蚀选择比大于10:1；刻蚀去除所述开口底部和所述硬掩膜层表面的部分第一侧墙层和第二侧墙层在所述开口侧壁和部分底部形成第一侧墙和第二侧墙；刻蚀去除位于所述开口底部的部分第一侧墙暴露所
3、在本申请的一些实施例中，所述第一侧墙层的材料包括氮化硅，所述第二侧墙层的材料包括氧化硅。
4、在本申请的一些实施例中，所述第一侧墙层的厚度小于等于所述基极的厚度。
5、在本申请的一些实施例中，刻蚀去除所述开口底部和所述硬掩膜层表面的部分第一侧墙层和第二侧墙层的方法包括干法刻蚀。
6、在本申请的一些实施例中，刻蚀去除位于所述开口底部的部分第一侧墙暴露所述导电层的方法包括湿法刻蚀。
7、在本申请的一些实施例中，所述湿法刻蚀的工艺参数包括：刻蚀溶液包括85％h3po4，刻蚀时间为10至20分钟；刻蚀温度为150摄氏度至170摄氏度。
8、在本申请的一些实施例中，刻蚀去除位于所述开口底部的部分第一侧墙后，所述第一侧墙的底部平齐或高于所述第二侧墙的底部。
9、在本申请的一些实施例中，所述集电极的顶面与所述第一绝缘层的顶面平齐。
10、本申请的另一个方面还提供一种半导体结构，包括：半导体衬底，所述半导体衬底表面依次形成有第一绝缘层、导电层、第二绝缘层和硬掩膜层，所述第一绝缘层中形成有电连接所述半导体衬底的集电极，所述导电层、第二绝缘层和硬掩膜层中形成有暴露所述集电极的开口；位于所述开口底部电连接所述集电极和所述导电层的基极；依次位于所述开口侧壁的第一侧墙和第二侧墙，所述第一侧墙和第二侧墙的刻蚀选择比大于10:1。
11、在本申请的一些实施例中，所述第一侧墙的材料包括氮化硅，所述第二侧墙的材料包括氧化硅。
12、在本申请的一些实施例中，所述第一侧墙的厚度与所述基极的厚度相同。
13、在本申请的一些实施例中，所述第一侧墙的底部平齐或高于所述第二侧墙的底部。
14、在本申请的一些实施例中，所述集电极的顶面与所述第一绝缘层的顶面平齐。
15、本申请提供一种半导体结构及其形成方法，能够保证基极与外基区足够的接触面积并防止发射极与外基区短路，可以提高器件可靠性。
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1.一种半导体结构的形成方法，其特征在于，包括：
2.如权利要求1所述的半导体结构的形成方法，其特征在于，所述第一侧墙层的材料包括氮化硅，所述第二侧墙层的材料包括氧化硅。
3.如权利要求1所述的半导体结构的形成方法，其特征在于，所述第一侧墙层的厚度小于等于所述基极的厚度。
4.如权利要求1所述的半导体结构的形成方法，其特征在于，刻蚀去除所述开口底部和所述硬掩膜层表面的部分第一侧墙层和第二侧墙层的方法包括干法刻蚀。
5.如权利要求1所述的半导体结构的形成方法，其特征在于，刻蚀去除位于所述开口底部的部分第一侧墙暴露所述导电层的方法包括湿法刻蚀。
6.如权利要求5所述的半导体结构的形成方法，其特征在于，所述湿法刻蚀的工艺参数包括：刻蚀溶液包括85％H3PO4，刻蚀时间为10至20分钟；刻蚀温度为150摄氏度至170摄氏度。
7.如权利要求1所述的半导体结构的形成方法，其特征在于，刻蚀去除位于所述开口底部的部分第一侧墙后，所述第一侧墙的底部平齐或高于所述第二侧墙的底部。
8.如权利要求1所述的半导体结构的
9.一种半导体结构，其特征在于，包括：
10.如权利要求9所述的半导体结构，其特征在于，所述第一侧墙的材料包括氮化硅，所述第二侧墙的材料包括氧化硅。
11.如权利要求9所述的半导体结构，其特征在于，所述第一侧墙的厚度与所述基极的厚度相同。
12.如权利要求9所述的半导体结构，其特征在于，所述第一侧墙的底部平齐或高于所述第二侧墙的底部。
13.如权利要求9所述的半导体结构，其特征在于，所述集电极的顶面与所述第一绝缘层的顶面平齐。
...【技术特征摘要】
1.一种半导体结构的形成方法，其特征在于，包括：
2.如权利要求1所述的半导体结构的形成方法，其特征在于，所述第一侧墙层的材料包括氮化硅，所述第二侧墙层的材料包括氧化硅。
3.如权利要求1所述的半导体结构的形成方法，其特征在于，所述第一侧墙层的厚度小于等于所述基极的厚度。
4.如权利要求1所述的半导体结构的形成方法，其特征在于，刻蚀去除所述开口底部和所述硬掩膜层表面的部分第一侧墙层和第二侧墙层的方法包括干法刻蚀。
5.如权利要求1所述的半导体结构的形成方法，其特征在于，刻蚀去除位于所述开口底部的部分第一侧墙暴露所述导电层的方法包括湿法刻蚀。
6.如权利要求5所述的半导体结构的形成方法，其特征在于，所述湿法刻蚀的工艺参数包括：刻蚀溶液包括85％h3po4，刻蚀时间为10至20分钟；刻蚀温度为150摄氏度至17...
【专利技术属性】
技术研发人员：张庆超，周亦康，
申请(专利权)人：北方集成电路技术创新中心北京有限公司，
类型：发明
国别省市：
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