【技术实现步骤摘要】
本专利技术涉及射频芯片，尤其涉及一种多栅极指射频芯片、射频组件。
技术介绍
1、多栅极指射频芯片在通信、雷达探测、电子对抗和射频加热等领域有着广泛应用。多栅极指射频芯片一般由无源区和有源区构成。无源区主要用于布线，包含源电极、漏电极、栅电极以及连接有源区与无源区之间的微带线。有源区由多个子胞单元构成，每个子胞由栅极指、源极指、漏极指三个电极指构成。
2、源极指是公共端，通常接地。为了实现子胞的源极指充分接地，各子胞的源极指通过桥状金属带线与无源区的源电极相连，源电极通过通孔或金丝接地，从而实现各子胞的源极指接地。
3、由于源电极具有一定长度，导致各个子胞的源极指到地的电感和电阻不一致，造成有源区各子胞的源极指电位不同，从而导致每个子胞的输入阻抗不一致。由于各子胞的输入阻抗不同，当栅电极输入一定功率时，各子胞不能同时达到阻抗匹配状态，对输入信号达到吸收程度也不同。又由于各子胞单元共用一个栅电极，这便造成输入射频信号在各子胞的栅极指之间来回反射，造成射频芯片自激，射频芯片稳定性降低。
技术实现思路
1、本专利技术实施例提供了一种多栅极指射频芯片、射频组件，以解决多栅极指射频芯片自激导致稳定性差的问题。
2、第一方面，本专利技术实施例提供了一种多栅极指射频芯片，包括：设于有源区的n+1个漏极指、n个源极指和2n个栅极指，以及设于无源区的漏电极、栅电极和源电极。其中，n为大于1的整数。各漏极指、源极指和栅极指并排交叉设置。各所述漏极指连接所述无源区的漏电
3、在一种可能的实现方式中，所述互连金属线连接两相邻源极指的部分为空气桥金属或介质桥金属。
4、在一种可能的实现方式中，所述互连金属线设置在各源极指靠近所述源电极的一侧。
5、在一种可能的实现方式中，所述互连金属线为多个。各所述互连金属线沿所述源极指的长度方向等间距设置。
6、在一种可能的实现方式中，所述互连金属线的数量与所述栅极指的长宽比成正比。
7、在一种可能的实现方式中，所述漏电极和所述源电极分别设置于有源区相对的两侧。所述栅电极与所述源电极设置在有源区的同一侧。
8、在一种可能的实现方式中，所述无源区的源电极下方还设有接地孔。所述接地孔贯穿所述射频芯片，连接所述源电极与所述射频芯片背面的接地端。
9、在一种可能的实现方式中，所述互连金属线的宽度范围为10至30微米。
10、在一种可能的实现方式中，n为大于等于2的偶数。
11、第二方面，本专利技术实施例提供了一种射频组件，包括如上述任一项可能的实现方式中所述的多栅极指射频芯片。
12、本专利技术实施例提供一种多栅极指射频芯片、射频组件，该芯片包括设于有源区的n+1个漏极指、n个源极指和2n个栅极指，以及设于无源区的漏电极、栅电极和源电极。其中，n为大于1的整数。各漏极指、源极指和栅极指并排交叉设置。各漏极指连接无源区的漏电极。相邻的两个漏极指之间设置一个源极指。各源极指连接无源区的源电极。相邻的源极指与漏极指之间设置一个栅极指。各栅极指连接无源区的栅电极。有源区还设有连接各源极指的直线型互连金属线。互连金属线垂直于源极指的长度方向。本专利技术通过在多栅极指射频芯片的有源区设置源极指互连金属线，实现了源极指之间的互连，确保芯片工作时各源极指电位相等，消除因为各子胞源极指接地电阻和电感不均匀造成的芯片自激，提升了多栅极指射频芯片的稳定性。
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1.一种多栅极指射频芯片，其特征在于，包括设于有源区的N+1个漏极指、N个源极指和2N个栅极指，以及设于无源区的漏电极、栅电极和源电极；其中，N为大于1的整数；
2.如权利要求1所述的多栅极指射频芯片，其特征在于，所述互连金属线连接两相邻源极指的部分为空气桥金属或介质桥金属。
3.如权利要求1所述的多栅极指射频芯片，其特征在于，所述互连金属线设置在各源极指靠近所述源电极的一侧。
4.如权利要求3所述的多栅极指射频芯片，其特征在于，所述互连金属线为多个；
5.如权利要求4所述的多栅极指射频芯片，其特征在于，所述互连金属线的数量与所述栅极指的长宽比成正比。
6.如权利要求1所述的多栅极指射频芯片，其特征在于，所述漏电极和所述源电极分别设置于有源区相对的两侧；所述栅电极与所述源电极设置在有源区的同一侧。
7.如权利要求1所述的多栅极指射频芯片，其特征在于，所述无源区的源电极下方还设有接地孔；所述接地孔贯穿所述射频芯片，连接所述源电极与所述射频芯片背面的接地端。
8.如权利要求4所述的多栅极指射频芯片，其
9.如权利要求1所述的多栅极指射频芯片，其特征在于，N为大于等于2的偶数。
10.一种射频组件，其特征在于，包括如权利要求1至9任一项所述的多栅极指射频芯片。
...【技术特征摘要】
1.一种多栅极指射频芯片，其特征在于，包括设于有源区的n+1个漏极指、n个源极指和2n个栅极指，以及设于无源区的漏电极、栅电极和源电极；其中，n为大于1的整数；
2.如权利要求1所述的多栅极指射频芯片，其特征在于，所述互连金属线连接两相邻源极指的部分为空气桥金属或介质桥金属。
3.如权利要求1所述的多栅极指射频芯片，其特征在于，所述互连金属线设置在各源极指靠近所述源电极的一侧。
4.如权利要求3所述的多栅极指射频芯片，其特征在于，所述互连金属线为多个；
5.如权利要求4所述的多栅极指射频芯片，其特征在于，所述互连金属线的数量与所述栅极指的长宽比成正比。
<...【专利技术属性】
技术研发人员：默江辉，王川宝，高学邦，张力江，余若祺，王鹏，崔玉兴，卜爱民，
申请(专利权)人：中国电子科技集团公司第十三研究所，
类型：发明
国别省市：
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