【技术实现步骤摘要】
本专利技术涉及半导体制造领域，尤其涉及一种半导体结构及其形成方法。
技术介绍
1、互补金属氧化物半导体(complementary metal oxide semiconductor，简称cmos)是指制造大规模集成电路芯片用的一种技术或用这种技术制造出来的芯片，具有可读写的特性，广泛应用于存储领域。
2、然而，现有的互补金属氧化物半导体器件的性能还有待改善。
技术实现思路
1、本专利技术解决的技术问题是提供一种半导体结构及其形成方法，以改善半导体结构的性能。
2、为解决上述技术问题，本专利技术技术方案提供一种半导体结构，包括：衬底；位于衬底上的栅介质层；位于栅介质层上的阻挡层；位于阻挡层上的功函数层，所述阻挡层的氧化速率小于所述功函数层的氧化速率。
3、可选的，所述栅介质层的材料包括高介电常数材料，所述栅介质层的介电常数范围大于3.9，所述栅介质层的材料包括氧化铪或氧化铝。
4、可选的，所述阻挡层的材料包括导电材料。
5、可选的...
【技术保护点】
1.一种半导体结构，其特征在于，包括：
2.如权利要求1所述的半导体结构，其特征在于，所述栅介质层的材料包括高介电常数材料，所述栅介质层的介电常数范围大于3.9，所述栅介质层的材料包括氧化铪或氧化铝。
3.如权利要求1所述的半导体结构，其特征在于，所述阻挡层的材料包括导电材料。
4.如权利要求1所述的半导体结构，其特征在于，所述导电材料包括惰性金属，所述惰性金属包括金或铂。
5.如权利要求1所述的半导体结构，其特征在于，所述阻挡层的厚度小于所述阻挡层材料的3个原子层厚度。
6.如权利要求1所述的半导体结构，其...
【技术特征摘要】
1.一种半导体结构，其特征在于，包括：
2.如权利要求1所述的半导体结构，其特征在于，所述栅介质层的材料包括高介电常数材料，所述栅介质层的介电常数范围大于3.9，所述栅介质层的材料包括氧化铪或氧化铝。
3.如权利要求1所述的半导体结构，其特征在于，所述阻挡层的材料包括导电材料。
4.如权利要求1所述的半导体结构，其特征在于，所述导电材料包括惰性金属，所述惰性金属包括金或铂。
5.如权利要求1所述的半导体结构，其特征在于，所述阻挡层的厚度小于所述阻挡层材料的3个原子层厚度。
6.如权利要求1所述的半导体结构，其特征在于，所述功函数层的材料包括n型功函数材料或p型功函数材料，所述n型功函数材料包括钛铝，所述p型功函数材料包括氮化钛或氮化钽。
7.如权利要求1所述的半导体结构，其特征在于，还包括：位于功函数层上的栅极层。
8.如权利要求7所述的半导体结构，其特征在于，所述衬底包括：基底和位于基底上的鳍部结构，所述栅介质层位于所述鳍部结构表面，所述栅极层横跨所述鳍部结构。
9.如权利要求1所述的半导体结构，其特征在于，还包括：位于所述衬底和栅介质层之间的界面层；所述界面层的材料包括氧化硅。
10.一种半导体结构的形成方法，其特征在于，包括：
11.如权利要求10所述的半导体结构的形成方法，其特征在于，所述栅介质层的材料包括高介电常数材料，所述栅介质层的介电常数范围大于3.9，所述栅介质层的...
【专利技术属性】
技术研发人员：何海杰，吴汉洙，王艳霞，孔帅，张林奥，
申请(专利权)人：中芯国际集成电路制造上海有限公司，
类型：发明
国别省市：
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