【技术实现步骤摘要】
本专利技术涉及半导体，尤其涉及一种半导体结构及其制作方法。
技术介绍
1、为降低相邻金属互连线之间的寄生电容，沿着金属互连线的宽度方向，在相邻金属互连线之间的介电层内设置有空气间隙。因空气的介电常数较低，故空气间隙的存在可以消除相邻金属互连线之间的寄生电容，降低与上述金属互连线电连接的半导体器件的瞬态响应特征，从而减小半导体器件的反转延迟。
2、但是，现有的空气间隙的制作过程中，在各金属互连线制作完成后，需要采用额外的工艺才能够形成相邻金属互连线之间的空气间隙，使得金属互连线的制作成本较高。
技术实现思路
1、本专利技术的目的在于提供一种半导体结构及其制作方法，用于在同一沟槽内形成金属互连线和空气间隙，无需为形成空气间隙而额外开设沟槽，从而降低金属互连线的制作成本。
2、为了实现上述目的，本专利技术提供了一种半导体结构，该半导体结构包括：
3、基底，基底开设有至少一个沟槽。沿沟槽的宽度方向，至少一个沟槽具有第一区域、以及位于第一区域两侧的第二区域。
4、金属互连线，形成在相应沟槽具有的第一区域内。
5、第一侧墙，形成在相应沟槽的侧壁、以及相应沟槽的槽底位于第二区域的部分上。
6、第二侧墙，形成在第二区域内的第一侧墙上、且覆盖金属互连线的侧壁。
7、空气间隙，至少位于相应金属互连线沿宽度方向的两侧、且由第一侧墙和第二侧墙围成。
8、与现有技术相比，本专利技术提供的半导体结构中，在基底上开设
9、本专利技术还提供一种半导体结构的制作方法，包括：
10、提供一基底。基底内开设有至少一个沟槽。沿沟槽的宽度方向，至少一个沟槽具有第一区域、以及位于第一区域两侧的第二区域。
11、在至少一个沟槽内形成相应的第一侧墙、第二侧墙和空气间隙。第一侧墙形成在相应沟槽的侧壁、以及相应沟槽的槽底位于第二区域的部分上。第二侧墙形成在第二区域内的第一侧墙上。空气间隙由第一侧墙和第二侧墙围成。
12、在至少一个沟槽具有的第一区域内形成相应的金属互连线。第二侧墙覆盖金属互连线的侧壁。
13、与现有技术相比，本专利技术提供的半导体结构的制作方法的有益效果与上述技术方案提供的半导体结构的有益效果相同，此处不做赘述。
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1.一种半导体结构，其特征在于，包括：
2.根据权利要求1所述的半导体结构，其特征在于，所述空气间隙包括两条条形空气间隙，两条所述条形空气间隙沿所述沟槽的宽度方向间隔分布，所述金属互连线位于两条所述条形空气间隙之间。
3.根据权利要求1所述的半导体结构，其特征在于，所述半导体结构还包括第一扩散阻挡层，所述第一扩散阻挡层形成在相应所述沟槽具有的所述第一区域内，所述第一扩散阻挡层接触相应所述金属互连线的底部和侧壁。
4.根据权利要求1所述的半导体结构，其特征在于，所述半导体结构还包括形成在所述基底上的第二扩散阻挡层，所述第二扩散阻挡层至少位于所述空气间隙的顶部和所述金属互连线的顶部。
5.根据权利要求1～4任一项所述的半导体结构，其特征在于，所述基底具有介电层，所述至少一个沟槽开设在所述介电层内。
6.一种半导体结构的制作方法，其特征在于，包括：
7.根据权利要求6所述的半导体结构的制作方法，其特征在于，所述在至少一个所述沟槽内形成相应的第一侧墙、第二侧墙和空气间隙包括：
8.根据权利要求7所述的半导
9.根据权利要求6～8任一项所述的半导体结构的制作方法，其特征在于，所述在至少一个所述沟槽内形成相应的第一侧墙、第二侧墙和空气间隙后，所述在至少一个所述沟槽具有的所述第一区域内形成相应的金属互连线前，所述半导体结构的制作方法还包括：
10.根据权利要求6～8任一项所述的半导体结构的制作方法，其特征在于，所述在至少一个所述沟槽具有的所述第一区域内形成相应的金属互连线后，所述半导体结构的制作方法还包括：
11.根据权利要求10所述的半导体结构的制作方法，其特征在于，采用等离子化学气相沉积工艺在所述基底上形成所述第二扩散阻挡层；和/或，
...【技术特征摘要】
1.一种半导体结构，其特征在于，包括：
2.根据权利要求1所述的半导体结构，其特征在于，所述空气间隙包括两条条形空气间隙，两条所述条形空气间隙沿所述沟槽的宽度方向间隔分布，所述金属互连线位于两条所述条形空气间隙之间。
3.根据权利要求1所述的半导体结构，其特征在于，所述半导体结构还包括第一扩散阻挡层，所述第一扩散阻挡层形成在相应所述沟槽具有的所述第一区域内，所述第一扩散阻挡层接触相应所述金属互连线的底部和侧壁。
4.根据权利要求1所述的半导体结构，其特征在于，所述半导体结构还包括形成在所述基底上的第二扩散阻挡层，所述第二扩散阻挡层至少位于所述空气间隙的顶部和所述金属互连线的顶部。
5.根据权利要求1～4任一项所述的半导体结构，其特征在于，所述基底具有介电层，所述至少一个沟槽开设在所述介电层内。
6.一种半导体结构的制作方法，其特征在于，包括：
7.根据权利要求6所述的半导体结构的...
【专利技术属性】
技术研发人员：金廷修，高建峰，刘卫兵，杨涛，李俊峰，王文武，
申请(专利权)人：中国科学院微电子研究所，
类型：发明
国别省市：
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