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本发明公开了一种半导体结构及其制作方法，涉及半导体技术领域，用于在同一沟槽内形成金属互连线和空气间隙，无需为形成空气间隙而额外开设沟槽，从而降低金属互连线的制作成本。所述半导体结构包括基底、金属互连线、第一侧墙、第二侧墙和空气间隙。上述基底...
该专利属于中国科学院微电子研究所所有，仅供学习研究参考，未经过中国科学院微电子研究所授权不得商用。

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