【技术实现步骤摘要】
本申请涉及半导体制造领域，尤其涉及一种半导体结构及其形成方法。
技术介绍
1、为了进一步提高器件性能，逻辑cmos器件的研究仍在继续。在过去的几年中，mosfet结构从平面结构转变为鳍形结构(finfet)，这一转变改善了短沟道效应，且具有更高的驱动电流和更低的漏电流。
2、然而，鳍形结构会使金属栅极板和源漏极板构成的平行板电容器具有较大的电容，从而影响器件的交流性能(ac)。
技术实现思路
1、本申请要解决的技术问题是减小金属栅极板和源漏极板构成的平行板电容器的电容。
2、为解决上述技术问题，本申请提供了一种半导体结构的形成方法，用于形成平行板电容器结构，包括：提供衬底，所述衬底上包括分立的鳍片以及横跨所述鳍片且平行分布的金属栅极板和源漏极板；在相邻所述鳍片之间的所述金属栅极板中形成开口，以减小所述金属栅极板和所述源漏极板的正对面积；在所述开口中形成表面和所述金属栅极板的顶面平齐的介电层。
3、在本申请的一些实施例中，所述开口包括第一沟槽及位于部分所述...
【技术保护点】
1.一种半导体结构的形成方法，用于形成平行板电容器结构，其特征在于，包括：
2.根据权利要求1所述的半导体结构的形成方法，其特征在于，所述开口包括第一沟槽及位于部分所述第一沟槽下方的第二沟槽，且所述第二沟槽延伸至所述衬底的表面或者所述衬底中。
3.根据权利要求2所述的半导体结构的形成方法，其特征在于，所述第一沟槽的侧壁与相邻所述鳍片之间的距离为3nm～10nm。
4.根据权利要求2所述的半导体结构的形成方法，其特征在于，位于所述第一沟槽底部的所述金属栅极板的厚度为1nm～30nm。
5.根据权利要求2所述的半导体结构的形...
【技术特征摘要】
1.一种半导体结构的形成方法，用于形成平行板电容器结构，其特征在于，包括：
2.根据权利要求1所述的半导体结构的形成方法，其特征在于，所述开口包括第一沟槽及位于部分所述第一沟槽下方的第二沟槽，且所述第二沟槽延伸至所述衬底的表面或者所述衬底中。
3.根据权利要求2所述的半导体结构的形成方法，其特征在于，所述第一沟槽的侧壁与相邻所述鳍片之间的距离为3nm～10nm。
4.根据权利要求2所述的半导体结构的形成方法，其特征在于，位于所述第一沟槽底部的所述金属栅极板的厚度为1nm～30nm。
5.根据权利要求2所述的半导体结构的形成方法，其特征在于，所述第二沟槽的宽度为20nm～40nm。
6.根据权利要求2所述的半导体结构的形成方法，其特征在于，所述开口的形成方法包括：
7.根据权利要求6所述的半导体结构的形成方法，其特征在于，使部分所述第二沟槽向两侧扩展形成第一沟槽的方法包括：
8.根据权利要求7所述的半导体结构的形成方法，其特征在于，去除所述第二沟槽两侧且...
【专利技术属性】
技术研发人员：于海龙，
申请(专利权)人：中芯国际集成电路制造上海有限公司，
类型：发明
国别省市：
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