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本申请提供一种半导体结构及其形成方法，所述形成方法用于形成平行板电容器结构，包括：提供衬底，所述衬底上包括分立的鳍片以及横跨所述鳍片且平行分布的金属栅极板和源漏极板；在相邻所述鳍片之间的所述金属栅极板中形成开口，以减小所述金属栅极板和所述源...
该专利属于中芯国际集成电路制造（上海）有限公司所有，仅供学习研究参考，未经过中芯国际集成电路制造（上海）有限公司授权不得商用。

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