阻变存储器测试结构、操作方法及制备方法技术

一种阻变存储器测试结构、用于阻变存储器测试结构的操作方法以及制备方法。该阻变存储器测试结构包括衬底以及设置在衬底上的阻变存储器、限流电阻和至少一个测试垫，阻变存储器包括衬底的表面上在远离衬底的方向上依次提供的第一电极、阻变存储层和第二电极，限流电阻在衬底上的表面上呈条状延伸，第一电极与限流电阻一体形成在同一层中，且经由限流电阻与至少一个测试垫电连接。该阻变存储器测试结构的制作工艺简单，用于对不同阻变存储器材料体系的研究中可以极大降低测试成本。体系的研究中可以极大降低测试成本。体系的研究中可以极大降低测试成本。

【技术实现步骤摘要】
阻变存储器测试结构、操作方法及制备方法


[0001]本公开的实施例涉及一种阻变存储器测试结构、用于阻变存储器测试结构的操作方法以及制备方法。

技术介绍

[0002]随着半导体技术的发展，阻变存储器(Resistive Random Access Memory，RRAM)作为下一代存储器的研究热点，具有很强的应用潜力，被认为是最具有商业价值的存储器。例如，在阻变存储器的操作中，对初始态的阻变存储器首先通过激活(Forming)操作形成一条氧空位导电细丝，Forming过程等价于对阻变存储器的介质层的一种软击穿。如果没有额外限流的装置，阻变存储器被Forming为低阻态的瞬间，较大的Forming电压下产生电流的过冲会使RRAM介质层被硬击穿，无法进一步进行置位(Set)、复位(Reset)等操作。通常情况下，阻变存储器由高阻态转变为低阻态被称为Set，从低阻态转变为高阻态被称为Reset。

技术实现思路

[0003]本公开至少一个实施例提供一种阻变存储器测试结构，包括：衬底以及设置在衬底上的阻变存储器、限流电阻和至少一个测试垫，阻本文档来自技高网...

【技术保护点】

【技术特征摘要】
1.一种阻变存储器测试结构，包括衬底以及设置在所述衬底上的阻变存储器、限流电阻和至少一个测试垫，其中，所述阻变存储器包括所述衬底的表面上在远离所述衬底的方向上依次提供的第一电极、阻变存储层和第二电极，所述限流电阻在所述衬底上的所述表面上呈条状延伸，所述第一电极与所述限流电阻一体形成在同一层中，且经由所述限流电阻与所述至少一个测试垫电连接。2.根据权利要求1所述的阻变存储器测试结构，其中，所述限流电阻至少包括呈螺旋线延伸的部分和/或蛇形延伸的部分。3.根据权利要求2所述的阻变存储器测试结构，其中，在垂直于所述衬底的表面的方向上，所述限流电阻的厚度小于所述第一电极的厚度。4.根据权利要求3所述的阻变存储器测试结构，其中，所述限流电阻从所述至少一个测试垫到所述阻变存储器的部分的阻值为在1kΩ到200KΩ范围内的薄膜电阻。5.根据权利要求4所述的阻变存储器测试结构，其中，所述至少一个测试垫为多个测试垫，所述多个测试垫与所述限流电阻分别电连接，且沿所述限流电阻的条状延伸的路径与所述阻变存储器具有不同的距离。6.根据权利要求5所述的阻变存储器测试结构，其中，所述至少一个测试垫与所述第二电极位于同一层，且通过过孔与所述限流电阻电连接。7.一种用于权利要求1
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6任一项所述的阻变存储器测试结构的操作方法，包括：对所述第二电极施加第一电压，通过在所述至少一个测试垫中的一个经所述限流电阻对所述第一电极施加第二电压，以对所述阻变存储器进行激活操作。8.根据权利要求7所述的操作方法，还包括：在对所述阻变存储器进行激活操作之前，获取所述限流电阻的阻值区间以选择所述至少一个测试垫中的一个...

【专利技术属性】
技术研发人员：唐建石，马呈翔，郑小健，贺晓东，武咏琴，高滨，钱鹤，吴华强，
申请(专利权)人：北方集成电路技术创新中心北京有限公司，
类型：发明
国别省市：