放大器、存储器和电子设备制造技术

本申请提供了一种放大器、存储器以和电子设备，涉及半导体技术领域。该放大器包括多个放大单元和多个选通晶体管，其中，每个放大单元均包括多个反相器，多个反相器交叉耦合连接，分属于不同放大单元的两个反相器之间相互绝缘。其中，每个反相器均与选通晶体管电连接，分属于两个放大单元且相邻设置的两个反相器至少共用一个选通晶体管，以简化选通晶体管的结构，优化放大器的三维布局，从而降低三维制备放大器的难度。

【技术实现步骤摘要】

本申请涉及半导体，尤其涉及一种放大器、存储器和电子设备。

技术介绍

1、随着半导体技术的快速发展，存储器领域逐渐采用三维方式制备放大器，以释放放大器所占据的存储器晶圆的部分面积，从而提高存储器的存储密度，以基于三维互补场效应晶体管(complementary fet，简称：cfet)的方式为例，其在制备时需要依据现有的放大器二维电路结构进行三维转化，然而，现有的放大器二维电路结构复杂，不适配三维互补场效应晶体管的制备，导致放大器三维布局困难，制备难度增大。

技术实现思路

1、本申请提出一种放大器、存储器和电子设备，旨在优化放大器的三维布局，降低制备难度。

2、第一方面，提供一种放大器，该放大器包括多个放大单元和多个选通晶体管，其中，每个放大单元均包括多个反相器，多个反相器交叉耦合连接，分属于不同放大单元的两个反相器之间相互绝缘。其中，每个反相器均与选通晶体管电连接，分属于两个放大单元且相邻设置的两个反相器至少共用一个选通晶体管。

3、在本申请上述实施例中，通过将分属于两个放大单元且相邻本文档来自技高网...

【技术保护点】

1.一种放大器，其特征在于，包括：

2.根据权利要求1所述的放大器，其特征在于，每个所述反相器均包括P放大晶体管和N放大晶体管；所述多个选通晶体管包括多个P选通晶体管和多个N选通晶体管；

3.根据权利要求1所述的放大器，其特征在于，所述多个放大单元沿第一方向依次排列；

4.根据权利要求3所述的放大器，其特征在于，还包括：

5.根据权利要求4所述的放大器，其特征在于，电连接的连接部和半导体部一体设置。

6.根据权利要求3所述的放大器，其特征在于，每个所述放大单元包括两个反相器，分别为第一反相器和第二反相器；所述第一反相器和所述第二...

【技术特征摘要】

1.一种放大器，其特征在于，包括：

2.根据权利要求1所述的放大器，其特征在于，每个所述反相器均包括p放大晶体管和n放大晶体管；所述多个选通晶体管包括多个p选通晶体管和多个n选通晶体管；

3.根据权利要求1所述的放大器，其特征在于，所述多个放大单元沿第一方向依次排列；

4.根据权利要求3所述的放大器，其特征在于，还包括：

5.根据权利要求4所述的放大器，其特征在于，电连接的连接部和半导体部一体设置。

6.根据权利要求3所述的放大器，其特征在于，每个所述放大单元包括两个反相器，分...

【专利技术属性】
技术研发人员：高滨，康卓栋，吴华强，钱鹤，
申请(专利权)人：北方集成电路技术创新中心北京有限公司，
类型：发明
国别省市：