【技术实现步骤摘要】
本申请涉及半导体器件领域，尤其涉及一种测试结构。
技术介绍
1、相同的工艺平台需要提供不同的金属选择(metal option)来满足不同的设计需求，受不同金属选择需求的影响，后端工艺测试键，例如顶层开尔文通孔接触电阻(kelvinvia rc)的测试结构，需要根据不同的金属选择进行单独设计。
2、目前顶层通孔(top via)的测试结构包括相互连接的顶层金属层(tm)和顶层的金属连线(inter metal)。进行wat测试(wafer acceptable test)时，在其中两个测试衬垫之间加电流，在其他两个测试衬垫上测试电压，即可得到顶层通孔的接触电阻。但是，对于不同的金属层选择(metal option)，需要更改当前的顶层金属连线，即将设计数据交给fab进行生产时需要更改测试结构。
3、为满足不同金属层选择的要求，对测试结构进行了优化，使得测试结构包括顶层金属层和至少三层金属连线，且不同的nto使用同一版测试结构。虽然顶层通孔的测试结构可以使用同一个，但是需要对测试衬垫进行特殊处理，否则会使接触电阻的
【技术保护点】
1.一种测试结构，用于对待测通孔的接触电阻进行测试，其特征在于，包括：
2.根据权利要求1所述的测试结构，其特征在于，顶层的所述第一测试衬垫、顶层的所述第二测试衬垫、顶层的所述第三测试衬垫、顶层的所述第四测试衬垫以及所述第一顶层金属连线、所述第二顶层金属连线位于同一层。
3.根据权利要求1所述的测试结构，其特征在于，所述待测通孔的顶部连接所述第一顶层金属连线，底部连接最上层的所述内层金属连线。
4.根据权利要求1所述的测试结构，其特征在于，最上层的所述第一层间通孔、最上层的所述第二层间通孔、最上层的所述第三层间通孔、最上层的所述第四...
【技术特征摘要】
1.一种测试结构，用于对待测通孔的接触电阻进行测试，其特征在于，包括：
2.根据权利要求1所述的测试结构，其特征在于，顶层的所述第一测试衬垫、顶层的所述第二测试衬垫、顶层的所述第三测试衬垫、顶层的所述第四测试衬垫以及所述第一顶层金属连线、所述第二顶层金属连线位于同一层。
3.根据权利要求1所述的测试结构，其特征在于，所述待测通孔的顶部连接所述第一顶层金属连线，底部连接最上层的所述内层金属连线。
4.根据权利要求1所述的测试结构，其特征在于，最上层的所述第一层间通孔、最上层的所述第二层间通孔、最上层的所述第三层间通孔、最上层的所述第四层间通孔以及所述待测通孔、所述通孔连线位于同一层。
5.根据权利要求1所述的测试结构，其特征在于，所述通孔连线的顶部连接所述第二顶层金属连线，底部连接最上层的所述内层金属连线。
【专利技术属性】
技术研发人员：汤玉捷，朱振华，
申请(专利权)人：北方集成电路技术创新中心北京有限公司，
类型：新型
国别省市：
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