光电传感器及其形成方法、以及电子设备技术

一种光电传感器及其形成方法、以及电子设备，光电传感器包括：像素基底，包括第一表面和第二表面，像素基底包括感光区和引线区，感光区包括像素单元，第二表面上形成有第一介质层，引线区的第一介质层中形成有互连结构；至少一层光调制层，位于像素基底的第一表面，包括第二介质层和位于第二介质层中的光栅结构，光栅结构位于像素单元的上方；开口，位于引线区中且贯穿互连结构上方的光调制层、像素基底和第一介质层；焊垫层，位于开口底部且与互连结构相连；钝化层，位于焊垫层的侧壁和部分顶部、以及开口的侧壁和底面，钝化层暴露出焊垫层的部分顶部以及光调制层。本发明专利技术通过光调制层提升滤光部件的制备工艺的工艺制造兼容性以及电传感器的性能。

【技术实现步骤摘要】

本专利技术实施例涉及半导体制造领域，尤其涉及一种光电传感器及其形成方法、以及电子设备。

技术介绍

1、光电传感器是将光信号转换为电信号的一种器件。其工作原理基于光电效应，光电效应是指光照射在某些物质上时，物质的电子吸收光子的能量而发生了相应的电效应现象。

2、例如，目前广泛应用在数码相机和其他电子光学设备中的ccd(charge coupleddevice，电荷耦合器件)图像传感器和cmos图像传感器，均是利用光电转换功能将光学图像转换为电信号后输出数字图像。tof(time of flight，飞行时间)距离传感器，例如：dtof(direct time of flight，直接飞行时间)传感器，记录光脉冲被发射和被探测的时间，将时间差转换成距离信息。该技术可以被用于自动驾驶、扫地机器人、vr(virtual reality，虚拟现实)/ar(augmented reality，增强现实)建模等各种测距场景中。

技术实现思路

1、本专利技术实施例解决的问题是提供一种光电传感器及其形成方法、以及电本文档来自技高网...

【技术保护点】

1.一种光电传感器，其特征在于，包括：

2.如权利要求1所述的光电传感器，其特征在于，所述光调制层的层数为多层，且沿所述像素基底的表面法线方向依次堆叠，相邻层的所述光调制层中的光栅结构在所述第一表面上的投影部分重叠。

3.如权利要求1或2所述的光电传感器，其特征在于，所述光调制层的层数为多层；所述光电传感器还包括：过渡层，位于相邻两层的所述光调制层之间；所述开口还贯穿所述过渡层。

4.如权利要求3所述的光电传感器，其特征在于，所述过渡层的材料包括氧化硅。

5.如权利要求1所述的光电传感器，其特征在于，所述光电传感器还包括：金属网格，位于所述...

【技术特征摘要】

1.一种光电传感器，其特征在于，包括：

2.如权利要求1所述的光电传感器，其特征在于，所述光调制层的层数为多层，且沿所述像素基底的表面法线方向依次堆叠，相邻层的所述光调制层中的光栅结构在所述第一表面上的投影部分重叠。

3.如权利要求1或2所述的光电传感器，其特征在于，所述光调制层的层数为多层；所述光电传感器还包括：过渡层，位于相邻两层的所述光调制层之间；所述开口还贯穿所述过渡层。

4.如权利要求3所述的光电传感器，其特征在于，所述过渡层的材料包括氧化硅。

5.如权利要求1所述的光电传感器，其特征在于，所述光电传感器还包括：金属网格，位于所述感光区的光调制层顶部，且所述金属网格位于所述隔离结构的上方；

6.如权利要求1所述的光电传感器，其特征在于，所述光调制层位于所述感光区和引线区的第一表面上；

7.如权利要求1所述的光电传感器，其特征在于，所述光栅结构的形状包括条形或柱形。

8.如权利要求1所述的光电传感器，其特征在于，所述第二介质层的折射率大于所述光栅齿的折射率。

9.如权利要求1或8所述的光电传感器，其特征在于，所述第二介质层的材料包含氮化硅、氮氧化硅和碳氮化硅中的一种或多种；所述光栅结构的包括氧化硅。

10.如权利要求1所述的光电传感器，其特征在于，所述光电传感器还包括：隔离层，位于所述像素基底的第一表面上、且与所述第一表面相接触。

11.如权利要求10所述的光电传感器，其特征在于，所述光电传感器还包括：逻辑基底，键合于所述像素基底的第二表面的介质层上；

12.如权利要求1所述的光电传感器，其特征在于，所述第一表面为像素基底的背面，所述第二表面为像素基底的正面。

13.一种光电传感器的形成方法，其特征在于，包括：

14.如权利要求13所述的光电传感器的形成方法，其特征在于，进行多次光栅形成处理，以形成沿所述像素基底的表面法线方向依次堆叠的多层光调制层，且相邻层的所...

【专利技术属性】
技术研发人员：苏悦阳，郑凯，汪涵，陈献宇，贺晓东，
申请(专利权)人：北方集成电路技术创新中心北京有限公司，
类型：发明
国别省市：