描述了半导体制造过程中的扫描器像差影响建模。扫描器像差影响建模可以有助于多个扫描器的协同优化。扫描器像差影响建模可以包括执行校准模型并且基于来自模型的输出控制扫描器。该模型被配置成接收图案化系统像差数据。用图案化系统像差校准数据和相应的...

一种系统，包括：照射系统、光学元件、开关元件和检测器。照射系统包括生成辐射束的宽带光源。色散光学元件接收辐射束并且生成多个光束，该多个光束具有比宽带光源窄的带宽。光开关接收多个光束并且将多个光束中的每个光束发射到传感器阵列的多个对准传感...

一种用于在投射系统中操纵带电粒子射束的操纵器，该操纵器包括衬底，该衬底具有相对的主表面和贯穿通道，在这些主表面的每个主表面中限定有孔径，该贯穿通道具有在孔径之间延伸的互连表面，其中互连表面包括一个或多个电极。操纵器还包括分压器，该分压器...

本发明提供一种用于光学元件(120)的流体净化系统(100)，包括：流体引导单元，该流体引导单元被布置为在光学元件的光学表面(122)的至少弯曲部分上引导由流体供应系统提供的流体。流体引导单元包括流体入口和第一喷嘴单元(110)，该第一...

本发明提供用于光学元件(30)的流体净化系统(100)，其包括环状件和流体供应系统(40)。环状件由完全围绕光学元件的主体形成，环状件限定其径向向内并邻近光学元件的空间(5)。环状件由至少一个第一壁部(10)和至少一个第二壁部(20A；...

本文描述了一种用于为光刻过程生成掩模图案的方法。这涉及通过应用第一平滑函数来生成分段掩模图案的平滑表示，并且通过多个分段特征中的一个或多个的变化集合调整分段掩模图案。进一步，通过使用经调整的分段掩模图案的平滑掩模图案，直到终止条件被满足...

公开了一种目标布置，所述目标布置包括第一目标区域和第二目标区域，所述第一目标区域至少具有第一节距且至少具有第二节距，所述第二目标区域至少具有第三节距，其中，所述第一目标区域的具有第二节距的部分与所述第二目标区域的一部分重叠。标区域的一部...

本文中描述了一种用于改进图案形成装置的设计的方法。所述方法包括：(i)获得掩模特征的设计的掩模点，其中，所述掩模特征对应于待印刷于衬底上的目标图案中的目标特征；以及(ii)调整所述掩模点的位置，以基于被调整的掩模点产生所述掩模特征的被修...

公开了一种用于确定用于曝光衬底上的至少一个结构的聚焦参数值的方法。所述方法包括：获得与所述至少一个结构的测量有关的测量数据，其中，所述至少一个结构包括每测量位置的单个周期性结构；以及将所述测量数据分解成包括所述测量数据的一个或更多个分量...

描述了一种用于光刻设备的光学元件，所述光学元件包括被选择以支撑顶部层的锚固层，所述顶部层在工作的光刻设备或包含等离子体的环境中具有自终止生长性。还描述了一种制造光学元件的方法，所述方法包括以下步骤：经由曝露于优选地为电磁诱发的等离子体的...

提供了用于测量极紫外(EUV)辐射系统中的辐射燃料的水平的系统、装置和方法。在一个示例中，一种用于测量燃料水平的方法包括：以预定入射角，引导检查射束通过辐射燃料的顶部表面处的燃料箱观察端口。该方法还可以包括：在与观察端口相邻定位的传感器...

本发明提供一种用于调节在调节体积中的物体的调节装置，包括：至少一个支撑销，所述至少一个支撑销适于支撑所述物体；第一板和第二板，所述第一板和第二板形成所述调节体积的外边界；致动器单元，所述致动器单元适于使所述第一板和所述第二板中的至少一个...

一种装置包括：容器，包括内部空间；材料供应系统，被配置为沿内部空间中的路径提供包括靶材料的靶；检测系统，被配置为检测由靶中的一者与量测光束之间的相互作用产生的散射光，并基于相互作用产生信息；以及控制系统，被配置为基于由检测系统产生的信息...

公开了一种在对准标记上执行位置测量的方法以及相关联的设备，该对准标记至少包括第一周期性结构，具有沿着第一方向的周期性的方向。该方法包括获得与位置测量相关的信号数据，并且拟合信号数据以确定位置值。拟合步骤使用调制拟合或者背景包络周期性拟合...

描述了一种用于验证掩模设计的特征的方法。所述方法包括：确定所述特征的局部形状；和基于所述局部形状确定是否存在所述特征对验证准则的违反。所述验证准则指定图案特性的阈值与局部形状之间的对应关系。例如，所述掩模设计的所述特征可以是自由曲线掩模...

一种液滴生成器喷嘴(800，820/830)，包括：金属本体(802，822)；邻近金属本体布置的金属装配件(812，823/833)；以及包括第一端和第二端的毛细管(804，824/834)。毛细管的第一端设置在金属装配件内，并且毛细...

本发明提供一种用于平面电磁马达的磁体组件，所述磁体组件包括：

描述了一种用于产生对准信号的方法。所述方法包括检测对准标记的局部尺寸变形、和基于所述对准标记来产生所述对准信号。基于所述对准标记的局部尺寸变形，对所述对准信号进行加权。检测所述局部尺寸变形包括：利用辐射来照射所述对准标记，所述对准标记包...

公开了一种用于优化采样方案的方法和相关设备，所述采样方案定义了经历了晶片到晶片结合过程的结合衬底上的采样位置。所述方法包括：确定量测过程的采样方案，以及针对于由大重叠误差定义的奇异性(SG)和/或所述结合衬底上的中心位置处的网格变形优化...

描述了一种超连续谱辐射源，包括：调制解调器，可操作为调制包括辐射脉冲的串的泵浦激光辐射，以提供经调制的泵浦激光辐射，调制使得选择性地提供脉冲的猝发串；以及中空芯部光子晶体光纤，可操作为接收经调制的泵浦激光辐射，并且激励包含在中空芯部光子...