衬底、图案形成装置和量测设备制造方法及图纸

公开了一种用于确定用于曝光衬底上的至少一个结构的聚焦参数值的方法。所述方法包括：获得与所述至少一个结构的测量有关的测量数据，其中，所述至少一个结构包括每测量位置的单个周期性结构；以及将所述测量数据分解成包括所述测量数据的一个或更多个分量的分量数据。处理所述分量中的至少一个分量以提取具有对非聚焦相关效应的降低的依赖性的处理后的分量数据；以及根据所述处理后的分量数据来确定所述聚焦参数的值。还公开了相关联的设备和图案形成装置。和图案形成装置。和图案形成装置。

【技术实现步骤摘要】
【国外来华专利技术】衬底、图案形成装置和量测设备
[0001]相关申请的交叉引用
[0002]本申请要求于2020年5月29日递交的欧洲申请20177328.0的优先权，所述欧洲申请的全部内容通过引用并入本文中。


[0003]本专利技术涉及能够在例如由光刻技术进行的器件制造中使用的方法和设备，以及涉及使用光刻技术来制造器件的方法。本专利技术涉及量测装置，以及更具体地，使用通常用于测量位置的量测装置(诸如对准传感器)来执行聚焦测量，和具有这种对准传感器的光刻设备。

技术介绍

[0004]光刻设备是一种将期望的图案施加至衬底(通常是在衬底的目标部分上)上的机器。例如，光刻设备可以用于集成电路(IC)的制造中。在这种情况下，可以将替代地称为掩模或掩模版的图案形成装置用于产生要在IC的单层上形成的电路图案。可以将这种图案转印到衬底(例如，硅晶片)上的目标部分(例如，包括管芯的一部分、一个或若干管芯)上。典型地，通过将图案成像到设置在衬底上的辐射敏感材料(抗蚀剂)层上进行图案的转印。通常，单个衬底将包含被连续图案化的相邻目标部分的网格。这些目标部分通常被称为“场”。
[0005]在复杂的器件的制造中，典型地执行许多光刻图案化步骤，从而在所述衬底上的连续层中形成功能特征。因此，光刻设备的性能的重要方面是将被施加的图案相对于在先前的层中(通过相同的设备或不同的光刻设备)放置的特征正确地且准确地放置的能力。为此目的，所述衬底被设置有一组或更多组对准标记。每个标记是这样的结构：所述结构的位置可以稍后利用位置传感器或对准传感器(两个术语都被同义地使用)，典型地光学位置传感器，来测量。
[0006]所述光刻设备包括一个或更多个对准传感器，通过所述对准传感器可以准确地测量衬底上的标记的位置。不同类型的标记和不同类型的对准传感器己知来自不同的制造商和相同的制造商的不同的产品。在当前光刻设备中广泛使用的一种类型的传感器是基于如US 6961116(den Boef等人)描述的自参考干涉仪。已经开发了所述位置传感器的各种改进和修改，例如如在US2015261097A1中公开的改进和修改。所有这些公开的内容通过引用并入本文。
[0007]已知使用这样的对准传感器来测量用于曝光特殊类型的对聚焦敏感的对准标记或聚焦标记的聚焦设置。例如，在工具鉴定、设置和恢复程序中使用的聚焦测试过程中，可能会曝光并读取许多这些标记。这样的程序需要几小时到若干小时，在此期间工具处于脱机状态。减少这些程序的时间将是有益的。

技术实现思路

[0008]本专利技术在第一方面中提供了一种用于确定用于曝光衬底上的至少一个结构的聚
焦参数值的方法，包括：获得与所述至少一个结构的测量有关的测量数据，其中，所述至少一个结构包括每测量位置的单个周期性结构；将所述测量数据分解成包括所述测量数据的一个或更多个分量的分量数据；处理所述分量中的至少一个，以提取具有对非聚焦相关效应的降低的依赖性的处理后的分量数据；以及根据所述处理后的分量数据来确定所述聚焦参数值。
[0009]本专利技术在第二方面中提供了一种用于确定用于曝光衬底上的至少一个结构的聚焦参数值的方法，包括：获得与所述至少一个结构的测量有关的测量数据，其中，所述至少一个结构包括每测量位置的单个周期性结构；获得已经被训练以从所述测量数据推断聚焦的训练后的模型；以及根据所述训练后的模型和所述测量数据来确定所述聚焦参数值。
[0010]本专利技术在第三方面中提供了一种图案形成装置，包括用于在衬底上形成周期性结构的多个周期性特征，所述周期性特征中的每个周期性特征包括交替的第一节段和第二节段，以及其中，所述第一节段的适当子集包括对聚焦敏感的节段。
[0011]本专利技术在第四方面中提供了一种处理装置，包括：处理器；和程序存储器，所述程序存储器包括计算机程序，所述计算机程序包括程序指令，所述程序指令能够操作以执行根据第一方面或第二方面所述的方法。
[0012]还公开了一种光刻设备，包括：对准传感器；图案形成装置支撑件，所述图案形成装置支撑件用于支撑图案形成装置；衬底支撑件，所述衬底支撑件用于支撑衬底；以及根据第四方面所述的处理装置。
[0013]将根据下文描述的示例的考虑因素来理解本专利技术的以上方面和其它方面。
附图说明
[0014]现在将仅通过举例的方式、参考随附附图来描述本专利技术的实施例，在附图中：
[0015]图1描绘了光刻设备；
[0016]图2示意性地图示出图1的设备中的测量和曝光过程；
[0017]图3是根据实施例可适用的第一对准传感器的示意图；
[0018]图4示出了包括测量标记的对准偏移ao相对于离焦量dZ的曲线图的聚焦曲线的示例；
[0019]图5示出了包括对聚焦敏感的切碎条的聚焦标记的可能结构；
[0020]图6包括(a)针对没有重叠误差的标记和(b)针对存在重叠误差的标记的、对准传感器原始信号及其前第三谐波分量与扫描长度的曲线图；
[0021]图7图示出根据本专利技术的实施例的可使用对准传感器读取的聚焦标记；以及
[0022]图8是针对三个不同的离焦值的、来自单个聚焦标记的原始对准信号(幅值相对于位置)的曲线图。
具体实施方式
[0023]在详细地描述本专利技术的实施例之前，提出可以实施本专利技术的实施例的示例环境是有指导意义的。
[0024]图1示意性地描绘了光刻设备LA。所述光刻设备包括：照射系统(照射器)IL，所述照射系统被配置成调节辐射束B(例如，UV辐射或DUV辐射)；图案形成装置支撑件或支撑结
构(例如，掩模台)MT，所述图案形成装置支撑件或支撑结构被构造成支撑图案形成装置(例如，掩模)MA，并与配置用于根据特定的参数准确地定位图案形成装置的第一定位器PM相连；两个衬底台(例如，晶片台)WTa和WTb，分别被构造成保持衬底(例如，涂覆有抗蚀剂的晶片)W，以及分别与配置成根据特定参数准确地定位衬底的第二定位器PW相连；以及投影系统(例如，折射型投影透镜系统)PS，所述投影系统被配置成将由图案形成装置MA赋予辐射束B的图案投影到衬底W的目标部分C(例如，包括一个或更多个管芯)上。
[0025]所述照射系统可以包括用于引导、成形或控制辐射的各种类型的光学部件，例如折射型、反射型、磁性型、电磁型、静电型或其它类型的光学部件，或其任何组合。
[0026]所述图案形成装置MT以依赖于所述图案形成装置的方向、所述光刻设备的设计和诸如所述图案形成装置是否保持在真空环境中之类的其它条件的方式保持所述图案形成装置。所述图案形成装置支撑件可以采用机械、真空、静电、或其它夹持技术来保持所述图案形成装置。所述图案形成装置支撑件MT可以是框架或台，例如，它可以根据需要而是固定的或者可移动的。所述图案形成装置支撑件可以确保所述图案形成装置(例如，相对于所述投影系统)位于期望的位置处。
[0027]本文中使用的术语“图案形成装置”应被广义地解释为表示可以被用于在辐射束的截面中赋予所述辐射束图案以便在所述本文档来自技高网...

【技术保护点】

【技术特征摘要】
【国外来华专利技术】1.一种用于确定用于曝光衬底上的至少一个结构的聚焦参数值的方法，包括：获得与所述至少一个结构的测量有关的测量数据，其中，所述至少一个结构包括每测量位置的单个周期性结构；将所述测量数据分解成包括所述测量数据的一个或更多个分量的分量数据；处理所述分量中的至少一个，以提取具有对非聚焦相关效应的降低的依赖性的处理后的分量数据；以及根据所述处理后的分量数据来确定所述聚焦参数值。2.根据权利要求1所述的方法，其中：所述分解步骤包括分解所述测量数据以获得所述测量数据的至少两个谐波分量；以及所述处理步骤包括确定所述至少两个谐波分量中的每个谐波分量的幅值的组合。3.根据权利要求1所述的方法，其中：所述分解步骤包括分解所述测量数据以获得所述测量数据的至少两个谐波分量；以及所述处理步骤包括确定所述至少两个谐波分量中的每个谐波分量的相位的组合。4.根据权利要求3所述的方法，其中，所述组合包括所述至少两个谐波分量中的每个谐波分量的相位的差。5.根据权利要求3或4中任一项所述的方法，其中，所述至少一个结构包括至少一个周期性结构，所述至少一个周期性结构增加所述至少两个谐波分量的相位的组合对所述聚焦参数的响应。6.根据权利要求2所述的方法，其中，所述组合包括所述至少两个谐波分量中的每个谐波分量的幅值的比率。7.根据前述权利要求中任一项所述的方法，其中，所述谐波分量包括一次谐波分量和二次谐波分量。8.根据权利要求2所述的方法，其中，所述至少一个结构包括至少一个周期性结构，所述至少一个周期性结构增加所述至少两个谐波分量的幅值的组合对所述聚焦参数的响应。9.根据权利要求8所述的方法，包括：使用包括具有交替的第一节段和第二节段的至少一个相应的周期性特征的掩模版来曝光所述至少一个周期性结构，以及其中，所述第一节段的适当子集包括对聚焦敏...

【专利技术属性】
技术研发人员：马蒂亚，
申请(专利权)人：ASML荷兰有限公司，
类型：发明
国别省市：