【技术实现步骤摘要】
【国外来华专利技术】磁体组件、线圈组件、平面马达、定位装置和光刻设备
[0001]相关申请的交叉引用
[0002]本申请要求于2020年5月20日递交的欧洲申请20175785.3的优先权,所述欧洲申请的全部内容通过引用并入本文中。
[0003]本专利技术涉及一种包括多个超导线圈的磁体组件、用于这种磁体组件的超导线圈组件、应用这种磁体组件的平面马达、包括这种平面马达的定位装置、以及包括这种定位装置的光刻设备。
技术介绍
[0004]光刻设备是一种被构造为将所期望的图案施加到衬底上的机器。例如,光刻设备可以用于集成电路(IC)的制造中。光刻设备可以例如将图案形成装置(例如,掩模)的图案(也经常被称为“设计布局”或“设计”)投影到被设置在衬底(例如,晶片)上的辐射敏感材料(抗蚀剂)层上。典型地,通过将图案成像到设置在衬底上的辐射敏感材料(抗蚀剂)层上进行图案的转印。通常,单个衬底将包含被连续图案化的相邻目标部分的网格。常规的光刻设备包括所谓的步进器和所谓的扫描器,在步进器中,通过将整个图案一次曝光到目标部分上来辐照每个目标部分;在扫 ...
【技术保护点】
【技术特征摘要】
【国外来华专利技术】1.一种用于平面电磁马达的磁体组件,所述磁体组件包括:
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多个第一超导(SC)线圈,所述多个第一SC线圈位于外周边内并被布置成诸如矩形图案之类的平面图案;
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多个第二SC线圈,所述多个第二SC线圈沿所述平面图案的外边界布置,所述多个第一SC线圈中的线圈具有第一平面内形状并且所述多个第二SC线圈中的线圈具有不同于所述第一平面内形状的第二平面内形状,其中,所述多个第二SC线圈至少部分地被布置在所述外周边内。2.根据权利要求1所述的磁体组件,其中,所述多个第二SC线圈被配置成在使用时至少部分地补偿由所述第一组线圈在使用时产生的磁场的不均匀性,所述不均匀性发生在所述平面图案的外边界处或附近。3.根据权利要求1或2所述的磁体组件,其中,所述多个第一SC线圈被配置成产生二维空间交变磁场。4.根据权利要求1至3中任一项所述的磁体组件,其中,所述第一平面内形状的外边界或所述第二平面内形状的外边界具有大致多边形形状。5.根据权利要求4所述的磁体组件,其中,所述第一平面内形状的外边界具有大致矩形形状、大致八边形形状或大致六边形形状。6.根据权利要求4或5所述的磁体组件,其中,所述第二平面内形状的外边界具有大致三角形形状。7.根据前述权利要求中任一项所述的磁体组件,其中,所述多个第一线圈中的线圈的外宽度(Wo)沿大致垂直于所述平面图案的平面的轴向方向(AD)变化。8.根据权利要求7所述的磁体组件,其中,所述多个第一线圈中的线圈的在大致垂直于所述平面图案的平面中的横截面包括锥形形状。9.根据权利要求7或8所述的磁体组件,其中,所述线圈的内宽度(Wi)沿所述轴向方向(AD)是大致恒定的,并且其中,所述线圈的外宽度(Wo)沿所述轴向方向增大。10.根据前述权利要求中任一项所述的磁体组件,其中,所述多个第一线圈中的线圈或所述多个第二线圈中的线圈包括多个SC线圈。11.一种用于平面电磁马达的磁体组件的超导(SC)线圈组件,所述SC线圈组件包括多个SC线圈。12.根据权利要求11所述的SC线圈组件,其中,所述多个SC线圈具有重合的纵向轴线。13.根据权利要求11或12所述的SC线圈组件,包括内侧SC线圈和外侧SC线圈。14.根据权利要求13所述的SC线圈组件,其中,所述内侧SC线圈的高度不同于所述外侧SC线圈的高度。15.根据权利要求14所述的SC线圈组件,其中,所述内侧SC线圈的高度大于所述外侧SC线圈的高度。16.根据权利要求14或15所述的SC线圈组件,其中,所述内侧SC线圈的顶表面与所述外侧SC线圈的顶表面大致齐平。17.根据权利要求13至16中任一项所述的SC线圈组件,其中,所述内侧SC线圈的平面内形状不同于所述外侧SC线圈的平面内形状。18.根据权利要求17所述的SC线圈组件,其中,所述外侧SC线圈的平面内形状包括大致
多边形边界。19.根据权利要求18所述的SC线圈组件,其中,所述外侧SC线圈的平面内形状包括大致多边形内边界,如三角形、矩形、六边形或八边形边界。20.根据权利要求18或19所述的SC线圈组件,其中,所述内侧SC线圈的平面内形状包括大致...
【专利技术属性】
技术研发人员:G,
申请(专利权)人:ASML荷兰有限公司,
类型:发明
国别省市:
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