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ASML荷兰有限公司专利技术
ASML荷兰有限公司共有3480项专利
抑制掩模吸收体的镜面反射和分辨率场拼接制造技术
描述了一种用于生成掩模图案设计以用于使用光刻装置在衬底上对图案进行成像的方法和系统。这些方法包括标识光刻工艺中位于两个相邻曝光场之间的区域,并且基于规定的背景强度标准来确定要放置在掩模图案设计的吸收层的区域中的亚分辨率特征的位置和几何形...
形成经图案化的材料层的方法和形成经图案化的材料层的设备技术
本公开涉及用于在衬底上形成经图案化的材料层的方法和设备。在一种布置中,在沉积过程期间辐照衬底的表面的被选择部分。所述辐照在所述被选择部分中局部地驱动所述沉积过程,并且由此形成呈由所述被选择部分限定的图案的经图案化的材料层。在所述辐照期间...
量测方法和相关联的量测装置制造方法及图纸
披露了一种暗场量测方法。根据与衍射阶的第一部分相关的第一衍射辐射数据的测量参数确定第一部分电场,并且根据与所述衍射阶的第二部分相关的第二衍射辐射数据的测量参数确定第二部分电场。所述衍射阶的所述第一部分和所述衍射阶的第二部分与检测光瞳平面...
量测中的聚焦测量和控制、以及相关联的光楔布置制造技术
公开了一种光楔布置,所述光楔布置包括围绕光轴布置的多个光楔元件,所述多个光楔元件至少包括第一光楔元件、第二光楔元件和第三光楔元件;其中:所述第一光楔元件包括第一光学表面和第二光学表面,其中,所述第一光学表面为平面的且不垂直于所述光轴,并...
靶标材料发生器中的冷冻阀制造技术
一种冷冻阀(100)包括限定沿着轴向方向延伸的轴向开口(135)的阀体(128)以及在阀体的轴向开口内的线材(140)。线材包括多个线股,这些线股限定通过阀体的轴向开口的多个连续流体通路。
扫描电子显微镜(SEM)背向散射电子(BSE)聚焦目标和方法技术
提供了一种用于评估扫描电子显微镜(SEM)系统的方法,包括访问两个或多个套刻目标集合的SEM图像,其中每个套刻目标集合包括埋置特征和顶部特征,所述埋置特征处于埋置深度,其中,在所述两个或多个套刻目标集合中的至少一个中,所述顶部特征是凹陷...
用于宽带辐射生成的装置制造方法及图纸
一种用于宽带辐射生成的装置包括设置在围壳中的光纤,围壳包括:本体;以及被配置为将热量从光纤传输到本体的热传输区域,热传输区域包括设置在光纤与本体之间的第一介质;其中在从光纤的至少一个径向方向上,热传输区域还包括设置在围壳的一部分上、位于...
光学对准系统与方法技术方案
本公开提供了一种光学对准系统,包括:照射系统,被配置为调节辐射束以形成第一离轴单极子;标记物,被配置为衍射第一离轴单极子以形成零阶和一阶衍射光束;投影系统,被配置为收集所述零阶和一阶衍射光束并形成标记物的图像;以及传感器装置,被配置为检...
用于图像分辨率表征的系统和方法技术方案
系统、装置和方法包括提供样本的原始图像;观察原始图像的像素尺寸;通过对原始图像应用傅里叶变换来将原始图像转换为经变换的图像;基于像素尺寸来对经变换的图像应用函数;以及基于所应用的函数的结果确定原始图像的分辨率的关键性能指标。
用于图像扰动补偿的系统和方法技术方案
系统、装置和方法包括基于成像系统的功率输入生成参考信号;生成指示样品的扫描的扫描信号;从根据扫描而生成的图像中提取第一扰动数据和第二扰动数据;使用所提取的第一扰动数据和第二扰动数据、参考信号和扫描信号生成图像扰动的校准频率、幅度和相位;...
使用对准传感器测量对比度和临界尺寸制造技术
一种方法可以包括使用光学扫描系统将辐射引导向至少两个目标以生成散射辐射的第一部分和第二部分。第一目标可以包括多个第一光栅线结构,该多个第一光栅线结构包括具有第一偏置值的特征。第二目标可以包括多个第二光栅线结构,该多个第二光栅线结构包括具...
辐射源制造技术
一种用于确定第一辐射的至少一个特性和/或第二辐射的至少一个特性的束量测装置,所述第二辐射是在接收到所述第一辐射的第一部分时经由第一非线性过程被产生的;所述束量测装置包括:量测装置非线性介质,其被配置为接收所述第一辐射的第二部分,并由此经...
超导磁体组件、平面马达和光刻设备制造技术
本发明提供一种用于平面马达的超导(SC)磁体组件,所述超导磁体组件包括:‑超导线圈的二维(2D)阵列,所述超导线圈的二维阵列被配置成产生二维的空间交变磁场;‑屏蔽件,所述屏蔽件被布置在超导线圈的所述二维阵列的在使用期间面向所述平面马达的...
多层级蚀刻过程的建模制造技术
公开了用于预测在不同深度处的特征的蚀刻后轮廓的方法、系统和计算机软件。一种方法可以包括访问特征的显影后抗蚀剂轮廓。该方法还可以包括在显影后抗蚀剂轮廓上应用蚀刻偏差模型以获得蚀刻后轮廓,其中蚀刻偏差模型将蚀刻偏差与蚀刻深度相关。
量测方法和相关联的量测装置制造方法及图纸
公开了一种量测方法。所述方法包括:使用欠填充的照射来辐照衬底上的包括一个或更多个子目标的目标,使得照射束轮廓对所述一个或更多个子目标中的每个子目标进行欠填充;捕获由对所述目标进行的所述辐照产生的散射辐射;在检测图像平面处对所述散射辐射进...
评估样品的方法、用于评估样品的装置制造方法及图纸
本公开涉及用于使用带电粒子评估样品(208)的装置和方法。在一种布置中,脱气作用通过将样品(208)的目标区域暴露于带电粒子以激发脱气来执行。从目标区域脱气的速率在脱气作用期间被测量。样品(208)的评估的启动基于所测量的脱气的速率的特...
用于提高带宽性能的开关矩阵配置制造技术
带电粒子检测器包括多个感测元件。感测元件可分成多个部分,每个部分包括感测元件阵列。每个部分可通过开关矩阵的较高层级中的一组开关耦合到相邻部分。各个感测元件可通过拾取开关连接到其部分中的较高层级。各个感测元件还可通过较低层级中的横向开关耦...
带电粒子评估系统和方法技术方案
一种评估方法,包括:使用评估装置以生成表示样品表面的属性的评估信号;处理评估信号以标识候选缺陷并输出候选缺陷信号;针对错误条件而监视评估装置的状态并生成指示在评估装置的运行期间的任何错误条件的状态信号;以及分析候选缺陷信号以确定候选缺陷...
调节系统、装置和方法制造方法及图纸
本发明公开了一种用于光刻设备的流体处理结构的独立调节系统,包括:检查系统,被配置为检查流体处理结构并确定要在流体处理结构的主表面上执行的一种或多种不同调节类型;以及调节设备,被配置为在流体处理结构的主表面上执行所确定的一种或多种不同调节...
照射调整设备和光刻设备制造技术
一种照射调整设备,包括板、致动器、和指状物结构。所述致动器包括设置在所述板上的线圈。所述指状物结构包括铍合金材料。所述指状物结构中的多个指状物结构经由磁体被耦合至所述致动器中的对应致动器。所述指状物结构使用所述致动器被独立地移动、被至少...
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