ASML荷兰有限公司专利技术

ASML荷兰有限公司共有3480项专利

  • 一种用于在EUV光刻设备中使用的反射构件,所述反射构件包括多层叠层,所述多层叠层包括布置成多个对的多个层,其中:每个对包括第一层和第二层;所述第一层由包括Si的材料形成;并且所述第二层由包括Ru、Nb和Mo中的至少两种的材料形成,并且其...
  • 一种用于在接收到脉冲输入辐射时产生宽带输出辐射的辐射装置,所述辐射装置包括:振荡腔,所述振荡腔包括第一反射表面和第二反射表面;和非线性介质,所述非线性介质位于所述第一反射表面与所述第二反射表面之间;其中,所述振荡腔被构造成接收所述脉冲输...
  • 公开了一种确定与形成在衬底上的至少一个对应的层中的结构相关的至少一个所关注的参数的方法,所述方法包括:获得与所述结构的测量结果相关的所测量的量测数据;获得模型,所述模型依据多个模型参数描述所述结构,所述模型参数包括估计值;以及基于所述所...
  • 一种用于从隔膜移除粒子的隔膜清洁设备,包括:隔膜支撑件;以及电场生成机构。所述隔膜支撑件用于支撑所述隔膜。所述电场生成机构用于当所述隔膜由所述隔膜支撑件支撑时在所述隔膜附近生成电场。所述电场生成机构可以包括:一个或更多个集电极;和用于跨...
  • 一种带电粒子系统(400),可以包括设置在第一轴(470)上的第一带电粒子束源,以及设置在第二轴上的第二带电粒子束源(420)。还可以提供一种布置在第一轴上的偏转器(430)。偏转器可以被配置为将从第二带电粒子束源生成的射束朝向样品(4...
  • 可调谐激光器设备的波长通过以下各项进行稳定:将来自可调谐激光源的激光束提供给具有稳定参考轴的干涉仪和气体吸收单元;在第一波长和第二波长之间扫描激光束以确定作为波长差的函数的吸收单元的透射光谱;使用干涉仪来确定作为波长差的函数的相变;使用...
  • 公开了减轻多射束设备中的库仑效应的系统和方法。该多射束设备可以包括:带电粒子源,被配置为沿着初级光轴生成初级带电粒子束;第一孔阵列,该第一孔阵列包括第一多个孔,该第一多个孔具有形状并且被配置为生成源自初级带电粒子束的多个初级子束;聚光透...
  • 公开了检测辐射的检测器和方法。在一个布置中,提供多个像素元件。像素元件包括对应的像素基底、集电极和读出电路。像素基底被配置成使得目标辐射对像素基底的照射在像素基底中产生电荷载流子。读出电路被配置成响应于对应的集电极对电荷载流子的收集而提...
  • 带电粒子束检测器可以包括多个感测元件,每个感测元件连接到信号检测单元的专用阵列。每个信号检测单元可以包括固态电流控制设备,其被配置为在检测事件期间从感测元件快速提取电荷。每个信号检测单元还可以包括一旦发生有效检测就自动启用下一个信号检测...
  • 光刻。执行多个激光光谱的源掩模优化SMO。通过针对每个优化的源掩模组合确定不同的激光光谱的诸如EPE、CDU、LER、LWR、DOF、NILS等性能度量来生成训练数据。训练机器学习ML模型以基于生成的训练数据来确定最优激光光谱。使用经训...
  • 一种用于在光刻装置中使用的图案形成设备电压偏置系统,该图案形成设备电压偏置系统包括:被配置为将图案赋予辐射束的图案形成设备,图案形成设备包括其上具有图案的图案形成表面;以及电压源,其中图案形成设备电压偏置系统被配置为使得电压能够通过电压...
  • 一种以补偿先前低曝光的EUV辐射功率的水平提供衬底上的裸片的部分的额外EUV辐射曝光的方法,该方法使用入射到光刻装置的图案化设备上的EUV辐射功率,该光刻装置包括第一反射镜阵列和第二反射镜阵列,第一反射镜阵列被配置为接收EUV辐射并将该...
  • 公开了一种用于确定与衬底上的至少一个目标相关的感兴趣参数的方法。该方法包括:获得包括至少一个不对称性信号的量测数据,该至少一个不对称性信号包括来自目标的测量参数的差或不平衡;获得已被训练或配置为使所述至少一个不对称性信号与感兴趣参数相关...
  • 描述了用于预测与图案化过程相关联的衬底几何形状的系统和方法。接收包括图案的几何形状信息和/或过程信息的输入信息;以及使用机器学习预测模型来预测多维输出衬底的几何形状。所述多维输出信息包括图案概率图像。基于所述图案概率图像,可以预测随机边...
  • 一种用于控制极紫外(EUV)辐射源中的EUV输出功率的系统和方法,其中一个控制回路控制影响驱动激光器生成将照射区中一部分目标材料进行转换的激光脉冲时的驱动激光器功率的至少一个系统变量,另一个控制回路控制命中/未命中发射模式,命中/未命中...
  • 本发明提供了一种带电粒子装置,用于向多个样品投射多个束栅格的带电粒子束。该装置包括:载物台,被配置为在相应样品位置处支撑多个样品;以及带电粒子器件的阵列,带电粒子器件分别被配置为将束栅格中的多个带电粒子束投射到相应样品位置。带电粒子器件...
  • 一种在由光刻设备曝光衬底期间控制投影系统的方法,所述方法包括:获得跨所述光刻设备的投影系统的一个或多个透镜上的差压改变的测量信号;计算由于所述曝光期间测量的所述差压改变而引起的所述投影系统的一个或多个透镜元件的移动所引起的成像误差;计算...
  • 公开了一种用于确定至少一组校正权重以校正量测数据的方法。该方法包括获得分别与第一层和第二层相关的第一量测数据和第二量测数据。将第一量测数据和第二量测数据中的每一者拟合至用于表示该量测数据的模型,以确定第一组拟合残差及第二组拟合残差。确定...
  • 本文描述了用于训练预测模型以预测掩模图像的方法和系统,其中掩模规则检查(MRC)违规或工艺违规(例如,边缘放置误差、亚分辨率辅助特征(SRAF)印制)被最小化或消除。根据指示(a)预测掩模图像与参考图像之间的差异以及(b)预测掩模图像的...
  • 一种生产光子晶体光纤(PCF)预成型件的方法,包括:获得多个预成型毛细管;沿着预成型毛细管的圆周的至少一部分在一个或多个轴向位置处测量所述多个预成型毛细管中的每个预成型毛细管的壁厚度;至少基于厚度准则从所述多个预成型毛细管中选择一些预成...