本发明提出了一种方法，使用通过一个或多个成像过程而被生产的至少一个产品的低分辨率图像以及表征成像过程的成像模型来确定多个数值参数的值，多个数值参数共同定义至少一个产品的产品模型。值的确定是通过基于获取图像、成像模型和模型的数值参数形成损...

本文描述一种用于确定用来预测与被图案化的当前衬底相关联的套刻精度数据的模型的方法。该方法涉及：获得（i）与当前衬底的一个或多个先前层和/或当前层相关联的第一数据的集合、（ii）包括与一个或多个先前衬底相关联的套刻精度量测数据的第二数据的...

公开了一种改进的带电粒子束检查装置，更具体地公开了一种用于检查晶片的粒子束装置，包括用于检测快充电缺陷的改进的扫描机构。一种改进的带电粒子束检查装置可以包括带电粒子束源，该带电粒子束源向晶片的区域传送带电粒子并且扫描该区域。改进的带电粒...

带电粒子光学组件操纵一个或多个带电粒子束。该组件包括：上游元件、下游元件和隔离间隔件。上游和下游元件各自包括具有一个或多个孔径的板，该孔径围绕一个或多个带电粒子束的射束路径。间隔件用于将上游元件和元件彼此电隔离。间隔件限定围绕一个或多个...

一种用于在光刻设备中使用的表膜，所述表膜包括：隔膜，所述隔膜具有第一部分和第二部分；以及保护部分，所述保护部分在所述隔膜的至少一侧上位于所述第二部分处。一种用于形成用于在光刻设备中使用的表膜的方法，所述方法包括：提供隔膜，所述隔膜具有第...

描述了利用经训练的机器学习模型对图像图案进行分组以确定图案化过程中的晶片行为。所描述的操作包括基于经训练的机器学习模型将包括所述图像图案的一个或更多个图案化过程图像转换成特征向量。所述特征向量对应于所述图像图案。所描述的操作包括基于经训...

本文描述一种方法，所述方法用于产生待用于图案化过程中的掩模图案。所述方法包括：（P301）获得（i）第一特征片段和（ii）第二特征片段，所述第一特征片段包括初始掩模图案的第一多边形部分，所述第二特征片段（P302）包括所述初始掩模图案的...

公开了一种测量标记。根据某些实施例，该测量标记包括显影在衬底上的第一层中的第一测试结构集合，第一测试结构集合中的每个第一测试结构包括由第一导电材料制成的多个第一特征。该测量标记还包括显影在邻近第一层的第二层中的第二测试结构集合，第二测试...

通过气体到包含光学元件的真空室(26)中的受控引入，减少用于生成EUV辐射的系统(SO)中的一个或多个反射光学元件的反射率的劣化。该气体可以被添加到诸如氢气的另一气体流中，或者与氢自由基的引入交替。

提供了一种用于在检查系统中监测束(322)的系统和方法。该系统包括：被配置为收集形成在表面(340)上的束的束斑的图像序列的图像传感器(360)，图像序列中的每个图像已经在图像传感器的不同曝光时间被收集；以及被配置为组合图像序列以得出束...

一种用于样本方案(624)生成的方法，具有以下步骤：获取(606)与位置的集合相关联的测量数据(608)；分析(610)测量数据以确定位置的统计上不同的组；以及基于统计上不同的组来配置(614)样本方案生成算法(622)。一种方法，包括...

为了改善测量设备的生产率性能和/或经济性，本发明提供一种量测设备，包括：第一测量设备；第二测量设备；第一衬底平台，被配置为保持第一衬底和/或第二衬底；第二衬底平台，被配置为保持所述第一衬底和/或所述第二衬底；第一衬底输送装置，被配置为输...

一种用于在远场中分离第一辐射与第二辐射的组件和方法，其中，所述第一辐射和所述第二辐射具有非重叠波长。所述组件包括：毛细管结构，其中，所述第一辐射和所述第二辐射沿所述毛细管结构的至少一部分同轴地传播；和光学结构，所述光学结构被配置成通过干...

公开了一种用于控制带电粒子检查系统的偏转器的方法。该方法包括针对带电粒子检查系统中包括的多个数模转换器(DAC)中的每个DAC建立映射关系，该映射关系表征DAC中每一者的非线性行为，确定用于操纵带电粒子检查系统的偏转器的目标控制信号，基...

一种衬底保持器用于光刻设备中并配置成将衬底支撑在衬底支撑件上。所述衬底保持器包括：主体，具有第一主体表面和第二主体表面，其中所述第一主体表面和第二主体表面在所述主体的相反侧上；多个第一突节，从所述第一主体表面突出，其中每个第一突节具有配...

一种用于制造用于EUV光刻的隔膜组件的方法，所述方法包括：提供叠层，叠层包括：至少一个隔膜层，由平面基底支撑，其中所述平面基底包括内部区和围绕所述内部区的边界区；和第一牺牲层，所述第一牺牲层位于所述平面基底与所述隔膜层之间；选择性地移除...

公开了一种用于生成仿真检查图像的改进的方法、装置和系统。根据某些方面，该方法包括获取包括第一图案的设计数据，生成与设计数据对应的第一灰度级分布，以及使用所生成的第一灰度等级分布来渲染图像。

系统、装置和方法包括检测器，该检测器包括检测元件(400)，该检测元件(400)包括硅衬底(402)的部分，该部分包括硅衬底的部分的前侧(410)，该前侧(410)包括PIN二极管，该PIN二极管包括p型区(404a)和n型区(403a...

描述了用于在衬底处提供可变光斑尺寸和可变聚焦的系统和方法。多组可变焦距透镜可以被添加到对准系统，以允许调整所述光斑尺寸和焦点。可变焦距透镜是一种基于跨越整个所述透镜上施加电压而可调谐的液体透镜。切换所述电压会改变所述液体透镜中的水油界面...

一种衬底支撑件，被配置为在光刻设备中支撑衬底，衬底支撑件包括：第一圆周壁；第一开口，在第一圆周壁的径向外侧并且被配置为供应和/或抽取气体；第二圆周壁，在第一开口的径向外侧；第二开口，与环境压力流体连通并且在第二圆周壁的径向外侧；第三圆周...