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ASML荷兰有限公司专利技术
ASML荷兰有限公司共有3480项专利
显微镜的带电粒子检测器制造技术
一种带电粒子评估系统,该带电粒子评估系统包括:带电粒子束装置,该带电粒子束装置被配置为将带电粒子束引导到样品上,使得次级粒子和反向散射粒子响应于带电粒子束而被生成;感测元件阵列,该感测元件阵列被配置为响应于来自样品的入射次级粒子或反向散...
掩模组件和相关联的方法技术
公开了掩模组件和相关联的方法。一种方法,包括以下步骤:接收包括掩模和由表膜框架保持的可去除的EUV透明表膜的掩模组件,将表膜框架和EUV透明表膜从掩模上去除,使用检查工具检查掩模上的掩模图案以及随后将由表膜框架保持的EUV透明表膜附接至...
电子光学模块制造技术
一种用于沿着路径朝向样品位置引导带电粒子的带电粒子光学模块(41),该带电粒子光学模块包括多个平面元件或电极(61至64),该多个平面元件或电极(61至64)被布置为跨路径并且被配置为对这些带电粒子进行操作;热调节通道80,该热调节通道...
像差校正光学系统技术方案
一种用于像差校正的光学装置包括:用于在第一横向方向上对宽带辐射束进行空间色散的束色散元件;用于在上述色散之后对宽带辐射束进行聚焦的聚焦透镜,其中上述聚焦透镜被布置为使得经色散的宽带辐射束在至少一次通过中穿过聚焦透镜的至少一个偏心位置,其...
用于EUV光刻术的表膜制造技术
一种晶片,包括在一个面上的掩模和在相对面上的至少一个层,其中所述掩模包括至少一个划线,所述划线与所述相对面的实质上不含所描述的至少一个层的至少一部分叠置。还描述一种制备表膜的方法,包括以下步骤:提供晶片,所述晶片包括在一个面上的掩模和在...
用于控制光刻装置的方法和装置以及光刻装置制造方法及图纸
一种生成用于控制光刻装置的一个或多个控制动作的计算机实现的方法。光刻装置包括用于利用非均匀辐射束照射掩模的照射系统。照射系统被配置为从辐射源接收辐射束,并且包括束整形设备,该束整形设备被配置为接收指定轮廓信息的数据,并且基于轮廓信息对辐...
倾斜量测的方法和相关联的设备技术
公开了一种量测方法,包括:获得与至少一个目标的测量有关的量测数据,所述至少一个目标中的每个目标包括多个特征;所述量测数据描述所述至少一个目标的一对或更多对相应的特征的放置误差,一对或更多对相应的特征中的每对特征包括在所述目标的测量方向上...
确定物体的绝对位置的方法、干涉仪系统、投影系统和光刻设备技术方案
本发明提供一种使用干涉仪系统确定物体的绝对位置的方法,包括以下步骤:提供光束;将光束分成测量束和参考束;沿着测量路径朝向物体上的反射测量表面引导测量束;沿着参考路径朝向参考物体上的反射参考表面引导参考束;在检测器处接收在反射测量表面上反...
电子光学元件的对准制造技术
一种用于被配置为沿着束路径投射带电粒子的带电粒子光学模块的平面元件堆叠,该堆叠包括相邻的一对平面元件,该相邻的一对平面元件被布置为跨束路径,其中平面元件中的一个平面元件包括对准基准件,并且平面元件中的另一平面元件包括监测孔径;其中一对平...
确定图案形成装置的光学特性的分量的子集制造方法及图纸
本文中描述了一种用于确定图案化过程的光学特性的分量的方法。该方法包括获得(i)多个期望特征,(ii)基于多个期望特征的多个模拟特征和图案化过程的光学特性,以及(iii)与多个期望特征中的期望特征和多个模拟特征中的相关模拟特征相关的性能度...
针对模拟系统的用于确定晶片的层的蚀刻轮廓的方法技术方案
描述一种用于确定蚀刻轮廓的方法。所述方法包括:确定起始遮蔽层轮廓。确定负载信息。所述负载信息指示针对所述遮蔽层轮廓的蚀刻速率对正被蚀刻的材料的数量和图案的依赖性。确定通量信息。所述通量信息指示所述蚀刻速率对入射到所述遮蔽层轮廓上的辐射的...
利用机器学习从原始图像自动选择高品质平均扫描电镜图像制造技术
一种用于评估印制图案的图像的方法由至少一个可编程处理器实施。所述方法包括获得(2310,2320)所述印制图案的第一平均图像,其中所述第一平均图像是通过对所述印制图案的原始图像进行平均化而生成的。所述方法也包括识别(2330)第一平均图...
用于图案的语义分段的深度学习制造技术
本发明描述了一种用于训练图案化过程的深度学习模型的方法。该方法包括获得(i)训练数据,该训练数据包括具有多个特征的衬底的至少一部分的输入图像和真实图像;(ii)类别集,每个类别对应于输入图像内衬底的多个特征的特征;和(iii)深度学习模...
用于预测抗蚀剂变形的方法技术
一种用于确定抗蚀剂在图案化过程中的变形的方法。所述方法涉及:获得具有图案的抗蚀剂的抗蚀剂变形模型,所述抗蚀剂变形模型被配置成模拟由于作用于所述图案的至少一个特征的轮廓上的毛细力引起的所述抗蚀剂的流体流;以及经由所述抗蚀剂变形模型,基于对...
用于光刻设备的反射镜层和反射镜制造技术
提供一种用于光刻设备的反射镜层,包括与硅形成化学键的至少一种元素,所述化学键具有至少447 kJ mol<supgt;‑1</supgt;的键解离能量。也提供一种制造这样的反射镜层的方法、一种包括本文中所描述的反射镜层的反射...
使用用于光刻的超表面和集成光学系统的检测系统技术方案
一种检查系统,包括:具有基底、波导系统、以及设置在基底上的第一光栅耦合器和第二光栅耦合器的集成光学系统、第一检测器和第二检测器、以及微结构化照射调整器。集成光学系统接收从目标散射的照射的具有相应的第一至第四波长的第一至第四部分。第一至第...
用于真空室、例如衬底处理系统的真空室的狭缝阀组件技术方案
提出了一种用于真空室、例如衬底处理系统的真空室的狭缝阀组件,其中狭缝阀组件包括:壳体,具有侧壁和形成在侧壁中的至少一个衬底传送口,壳体具有由侧壁限定的内部容积;狭缝阀门,设置在壳体内并且能够被定位在打开位置与关闭位置之间,在打开位置狭缝...
具有通过键合后结构化的结构化电极的静电夹具制造技术
本文中披露了涉及一种静电晶片夹具以及用于形成和修改静电晶片夹具的电极结构的方法的实施例。晶片夹具包括在介电层中具有经由接地线互连的多个突节的电极结构。通过由键合后结构化等来修改所述接地线附近的电极结构,可以减小电场,从而引起较低的循环感...
用于确定投影系统的像差的方法和系统技术方案
披露了用于确定投影系统(例如光刻设备的投影系统)的一个或更多个像差的方法和相对应的系统。一种方法包括使用包括镜面衍射光栅的第一图案形成装置(在对象级处)执行相位步进或相位扫描过程。也披露一种用于确定校准数据的校准方法,所述校准数据表征以...
可调谐光学系统技术方案
描述了用于在衬底处提供可变光斑尺寸及可变焦点的系统和方法。可以将可变焦距透镜组添加到对准系统以允许调整光斑尺寸和焦点。可变焦距透镜是液体透镜,该液体透镜基于横跨透镜施加的电压是可调谐的。切换电压改变液体透镜中的水‑油界面,这又会改变光穿...
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