【技术实现步骤摘要】
【国外来华专利技术】
本专利技术涉及一种可以例如用于确定衬底上的结构的特性的量测方法和量测装置。
技术介绍
1、光刻设备是被构造成将期望的图案施加至衬底上的机器。光刻设备可以用于例如集成电路（ic）制造中。光刻设备可以例如将图案形成装置（例如，掩模）处的图案（也常常称为“设计布局”或“设计”）投影至被设置在衬底（例如，晶片）上的辐射敏感材料（抗蚀剂）层上。
2、为了将图案投影于衬底上，光刻设备可以使用电磁辐射。这种辐射的波长确定可以形成在衬底上的特征的最小尺寸。当前在使用中的典型波长是365 nm（i线）、248 nm、193nm和13.5 nm。相比于使用例如具有193 nm的波长的辐射的光刻设备，使用具有在4 nm至20nm的范围内的波长（例如6.7 nm或13.5 nm）的极紫外（euv）辐射的光刻设备可以用于在衬底上形成较小特征。
3、低k1光刻可以用于处理尺寸小于光刻设备的经典分辨率极限的特征。在这样的过程中，可以将分辨率公式表示为cd=k1×λ/na，其中，λ是所使用的辐射的波长，na是光刻设备中的投影光学器件的数值孔径，...
【技术保护点】
1.一种量测方法，包括：
2.根据权利要求1所述的量测方法，其中，辐照所述目标的步骤包括：
3.根据权利要求2所述的量测方法，其中，所述妨碍结构包括以下各项中的一项或更多项：所述目标或所述一个或更多个子目标的至少边缘，和/或至少一个周围结构。
4.根据任一前述权利要求所述的量测方法，其中，所述目标包括两个或更多个子目标；
5.根据权利要求4所述的量测方法，其中，仅针对所述子目标的单个子集或适当的子集来配置所述照射束轮廓；并且
6.根据权利要求4或5所述的量测方法，包括：改变对每个对应的子目标进行辐照的所述照射
...【技术特征摘要】
【国外来华专利技术】
1.一种量测方法，包括：
2.根据权利要求1所述的量测方法，其中，辐照所述目标的步骤包括：
3.根据权利要求2所述的量测方法，其中，所述妨碍结构包括以下各项中的一项或更多项：所述目标或所述一个或更多个子目标的至少边缘，和/或至少一个周围结构。
4.根据任一前述权利要求所述的量测方法，其中，所述目标包括两个或更多个子目标；
5.根据权利要求4所述的量测方法，其中，仅针对所述子目标的单个子集或适当的子集来配置所述照射束轮廓；并且
6.根据权利要求4或5所述的量测方法，包括：改变对每个对应的子目标进行辐照的所述照射的相对强度。
7.根据任一前述权利要求所述的量测方法，其中，所述方法迭代地改变所述照射束轮廓且检查指示可接受图像的性能指标，直到所述图像根据所述性能指标是可接受的。
8.根据任一前述权利要求所述的量测方法，其中，针对多个目标...
【专利技术属性】
技术研发人员：O·V·兹维尔，E·J·科普，
申请(专利权)人：ASML荷兰有限公司，
类型：发明
国别省市：
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