【技术实现步骤摘要】
【国外来华专利技术】
本公开涉及用于形成经图案化的材料层的方法和设备。所述方法和设备尤其适用于提供例如用于制造fet器件的二维材料的图案。
技术介绍
1、随着半导体制造过程继续进步，电路元件的尺寸已不断地减小，而每个器件的诸如晶体管之类的功能元件的量已在稳固地增加，这遵循通常称为“摩尔定律”的趋势。为了跟上摩尔定律，半导体行业正寻求能够产生越来越小的特征的技术。
2、对于一些类型的电子器件，按比例缩小器件特征可能引起性能挑战，如当沟道长度变得与源极和漏极接面的耗尽层宽度相当时在mosfet中出现的短沟道应。有时可以使用二维材料解决这些挑战，所述二维材料为薄至原子级且可以具有相对较低的介电常数。二维材料也可以具有用于其它情形所期望的性质。在需要高介电常数的情况下，可以使用二维材料代替栅极氧化物。在优先高导电性的情况下，二维材料可以用于代替互连件。
3、存在用于制造二维材料的各种沉积技术。这样的沉积技术包括化学气相沉积（cvd）、机械切割（剥落）、分子束外延法（mbe）、原子层沉积（ald）、液相剥落和其它沉积技术。关于许多这些沉积技术的...
【技术保护点】
1.一种用于在衬底上形成经图案化的材料层的设备，包括：
2.根据权利要求1所述的设备，其中，所述偏置电压具有非正弦的偏置电压波形。
3.根据权利要求2所述的设备，其中，所述偏置电压波形是周期性的。
4.根据权利要求3所述的设备，其中，每个周期包括：
5.根据权利要求4所述的设备，其中，所述偏置电压单元被配置成使得所述偏置电压波形的电压在所述负偏压部分的至少大部分期间以至少部分地补偿通过离子在所述负偏压部分期间从等离子体照射至所述衬底上而引起的对所述衬底的充电的方式变化。
6.根据权利要求5所述的设备，其中，所...
【技术特征摘要】
【国外来华专利技术】
1.一种用于在衬底上形成经图案化的材料层的设备，包括：
2.根据权利要求1所述的设备，其中，所述偏置电压具有非正弦的偏置电压波形。
3.根据权利要求2所述的设备，其中，所述偏置电压波形是周期性的。
4.根据权利要求3所述的设备，其中，每个周期包括：
5.根据权利要求4所述的设备，其中，所述偏置电压单元被配置成使得所述偏置电压波形的电压在所述负偏压部分的至少大部分期间以至少部分地补偿通过离子在所述负偏压部分期间从等离子体照射至所述衬底上而引起的对所述衬底的充电的方式变化。
6.根据权利要求5所述的设备，其中，所述偏置电压单元被配置成使得所述偏置电压波形的所述电压在所述负偏压部分期间的变化在所述负偏压部分的至少大部分期间是基本上线性的。
7.根据权利要求5或6所述的设备，其中，所述偏置电压单元被配置成使得所述偏置电压波形的所述电压在所述负偏压部分期间的变化在所述负偏压部分期间在所述衬底的邻近于在所述被选择部分中的所述表面的内部体积中维持基本上非时变的电场。
8.根据权利要求4至7中的任一项所述的设备，其中，所述正偏压部分的持续时间小于所述偏置电压波形的周期的1/4。
9.根据权利要求4至8中的任一项所述的设备，其中，所述偏置电压波形的电压在...
【专利技术属性】
技术研发人员：S·P·维努戈帕兰，P·W·H·德亚格尔，V·法拉马兹，
申请(专利权)人：ASML荷兰有限公司，
类型：发明
国别省市：
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