【技术实现步骤摘要】
【国外来华专利技术】
本专利技术涉及一种可以例如被用于确定衬底上的结构的特性的量测方法和装置。
技术介绍
1、光刻设备是被构造成将期望的图案施加至衬底上的机器。例如，光刻设备可以用于集成电路（ic）的制造中。例如，光刻设备可以将图案形成装置（例如，掩模）处的图案（通常也被称为“设计布局”或“设计”）投影至设置在衬底（例如，晶片）上的辐射敏感材料（抗蚀剂）层上。
2、是在衬底上投影图案，光刻设备可以使用电磁辐射。这种辐射的波长确定可以形成在衬底上的特征的最小大小。当前使用的典型波长是365 nm（i线）、248 nm、193 nm和13.5 nm。较的使用例如具有193 nm的波长的辐射的光刻设备，可以使用使用极紫外（euv）辐射（具有在4 nm至20 nm范围内的波长，例如6.7 nm或13.5 nm）的光刻设备来在衬底上形成较小特征。
3、可以使用低k1光刻来处理尺寸小于光刻设备的经典分辨率极限的特征。在这样的过程中，分辨率公式可以表达为cd = k1×λ/na，其中，λ为所所采用的辐射波长，na是光刻设备中投影光学器件的数值孔径，...
【技术保护点】
1.一种暗场量测装置，包括：
2.根据权利要求1所述的暗场量测装置，其中，所述处理器能够操作以将所述电场确定为检测平面的两个维度中的每个维度的函数，在所述检测平面处检测所述衍射阶的所述第一部分和所述衍射阶的所述第二部分。
3.根据权利要求2所述的暗场量测装置，其中，所述第一衍射辐射数据和所述第二衍射辐射数据中的每个包括与所述检测平面的所述两个维度相关的二维数据。
4.根据权利要求2或3所述的暗场量测装置，其中，所述处理器能够操作以将所述电场确定为第三维度的函数。
5.根据权利要求4所述的暗场量测装置，其中，所述第三维度与...
【技术特征摘要】
【国外来华专利技术】
1.一种暗场量测装置，包括：
2.根据权利要求1所述的暗场量测装置，其中，所述处理器能够操作以将所述电场确定为检测平面的两个维度中的每个维度的函数，在所述检测平面处检测所述衍射阶的所述第一部分和所述衍射阶的所述第二部分。
3.根据权利要求2所述的暗场量测装置，其中，所述第一衍射辐射数据和所述第二衍射辐射数据中的每个包括与所述检测平面的所述两个维度相关的二维数据。
4.根据权利要求2或3所述的暗场量测装置，其中，所述处理器能够操作以将所述电场确定为第三维度的函数。
5.根据权利要求4所述的暗场量测装置，其中，所述第三维度与所述衍射阶的波长相关。
6.根据权利要求1至5中的任一项所述的暗场量测装置，其中，所述空间滤波器布置的边缘在所述检测光瞳平面或其共轭平面内位于所述衍射阶的原点上。
7.根据权利要求1至6中的任一项所述的暗场量测装置，其中，所述第一衍射辐射数据和所述第二衍射辐射数据中的每个包括强度数据，并且所述处理器能够操作以将所述强度数据转换成所述第一衍射辐射数据的所述测量参数和所述第二衍射辐射数据的所述测量参数，在每种情况下，所述测量参数包括幅值。
8.根据权利要求1至7中的任一项所述的暗场量测装置，所述...
【专利技术属性】
技术研发人员：P·A·J·廷尼曼斯，E·G·范普特恩，
申请(专利权)人：ASML荷兰有限公司，
类型：发明
国别省市：
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