【技术实现步骤摘要】
【国外来华专利技术】
本专利技术涉及可以用于例如在通过光刻技术进行器件制造中执行量测的量测设备和方法。本专利技术还涉及这样的用于监测这样的量测设备中的测量辐射的聚焦的方法。
技术介绍
1、光刻设备是将期望的图案施加至衬底上，通常施加至衬底的目标部分上的机器。光刻设备可以用于在例如集成电路（ic）的制造中被使用。在那种情况下，替代地被称作掩模或掩模版的图案形成装置可以用于产生待形成在ic的单层上的电路图案。这种图案可以被转印至衬底（例如，硅晶片）上的目标部分（例如，包括或若干管芯的部分）上。通常经由成像至被设置在衬底上的辐射敏感材料（抗蚀剂）层上来进行图案的转印。通常，单个衬底将包括被连续地图案化的相邻目标部分的网络。
2、在光刻过程中，期望频繁地对所产生的结构进行测量（例如）以用于过程控制和验证。用于进行这些测量的各种工具是众所周知的，包括常常用于测量临界尺寸（cd）的扫描电子显微镜，和用于测量重叠（即，器件中两个层的对准准确度）的专用工具。近来，已开发用于光刻领域中的各种形式的散射仪。这些装置将辐射束引导至目标上且测量散射辐射的一个或更多个性质...
【技术保护点】
1.一种光楔布置，包括围绕光轴布置的多个光楔元件，所述多个光楔元件至少包括第一光楔元件、第二光楔元件和第三光楔元件；其中：
2.根据权利要求1所述的光楔布置，其中，所述第六光学表面为非平面的，使得所述第三光楔元件具有非线性的厚度改变。
3.根据权利要求2所述的光楔布置，其中，所述第二光学表面为凸面的，并且所述第六光学表面为凹面的。
4.根据权利要求3所述的光楔布置，其中，由所述第一光楔元件施加的离焦的量值与由所述第二光楔元件施加的离焦的量值大致相同。
5.根据任一前述权利要求所述的光楔布置，其中，所述多个光楔元件围绕所述...
【技术特征摘要】
【国外来华专利技术】
1.一种光楔布置，包括围绕光轴布置的多个光楔元件，所述多个光楔元件至少包括第一光楔元件、第二光楔元件和第三光楔元件；其中：
2.根据权利要求1所述的光楔布置，其中，所述第六光学表面为非平面的，使得所述第三光楔元件具有非线性的厚度改变。
3.根据权利要求2所述的光楔布置，其中，所述第二光学表面为凸面的，并且所述第六光学表面为凹面的。
4.根据权利要求3所述的光楔布置，其中，由所述第一光楔元件施加的离焦的量值与由所述第二光楔元件施加的离焦的量值大致相同。
5.根据任一前述权利要求所述的光楔布置，其中，所述多个光楔元件围绕所述光轴布置在大致同一平面中。
6.根据任一前述权利要求所述的光楔布置，还包括第四光楔元件，所述第四光楔元件包括均为平面且不平行的第七光学表面和第八光学表面。
7.根据权利要求6所述的光楔布置，其中，每个光楔元件包括四分体配置，并且所述多个光楔元件以圆形配置被布置在所述光楔布置中。
8.一种量测装置，包括检测支路，所述检测支路包括根据任一前述权利要求所述的光楔布置、和至少一个检测器。
9.根据权利要求8所述的量测装置，其中，所述至少一个检...
【专利技术属性】
技术研发人员：周子理，A·J·登博夫，
申请(专利权)人：ASML荷兰有限公司，
类型：发明
国别省市：
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