衬底处理装置、半导体器件的制造方法及记录介质制造方法及图纸

本发明专利技术涉及衬底处理装置、半导体器件的制造方法及记录介质。目的在于提高在衬底上形成的膜的品质。衬底处理装置具有：处理衬底的处理室；气化器，其生成向衬底供给的第一气体；第一供给管，其连接于气化器、向处理室供给所述第一气体，且具有控制第一气体的供给定时的第一定时阀；非活性气体供给部，其向气化器导入管和第一供给管中的任一者或两者供给非活性气体，气化器导入管向气化器供给气体；气化器输出管，其从气化器向第一供给管供给第一气体；第一排出部，设置于第一供给管、将第一供给管内的气氛排气；第二排出部，设置于气化器输出管、将气化器内的气氛排气；和控制部，控制第一定时阀、非活性气体供给部、第一排出部和第二排出部。

Substrate Processing Unit, Manufacturing Method of Semiconductor Device and Recording Media

【技术实现步骤摘要】
衬底处理装置、半导体器件的制造方法及记录介质
本专利技术涉及衬底处理装置、半导体器件的制造方法及记录介质。
技术介绍
作为半导体器件的制造工序的一个工序，存在使用液体原料或固体原料、在衬底上形成膜的成膜处理(例如，参见专利文献1)。现有技术文献专利文献专利文献1：日本特开2012－172171号公报
技术实现思路
专利技术要解决的课题需要提高在衬底上形成的膜的品质。因此，在本专利技术中，提供一种能提高在衬底上形成的膜的品质的技术。用于解决课题的手段根据一个方式，提供一种技术，其具有：处理衬底的处理室；气化器，其生成向衬底供给的第一气体；第一供给管，其连接于气化器、向处理室供给所述第一气体，且具有控制第一气体的供给定时的第一定时阀；非活性气体供给部，其向气化器导入管和第一供给管中的任一者或两者供给非活性气体，其中，所述气化器导入管向气化器供给气体；气化器输出管，其从气化器向第一供给管供给第一气体；第一排出部，其设置于第一供给管、将第一供给管内的气氛排气；第二排出部，其设置于气化器输出管、将气化器内的气氛排气；和控制部，其控制第一定时阀、非活性气体供给部、第一排出部和第二排出部。专利技术效果根据本专利技术涉及的技术，能够提高在衬底上形成的氧化膜的膜品质。附图说明图1：为实施方式涉及的衬底处理装置的概略构成图。图2：为实施方式涉及的气体供给系统的概略构成图。图3：为实施方式涉及的衬底处理装置的控制器的概略构成图。图4：为实施方式涉及的衬底处理工序的概略流程图。图5：为示出实施方式涉及的气体供给部调节工序的流程图。图6：为示出实施方式涉及的成膜工序及其前后工序的流程图。图7：为示出实施方式涉及的成膜工序和第二排出阀的打开定时的顺序图。附图标记说明100晶片(衬底)200处理装置201处理室202处理容器212衬底载置台213加热器221第一排气口234簇射头244第一电极260控制器具体实施方式以下，对本专利技术的实施方式进行说明。[实施方式]以下，参照附图，对本专利技术的实施方式进行说明。[(1)衬底处理装置的构成]首先，对实施方式涉及的衬底处理装置进行说明。衬底处理装置200例如为绝缘膜形成单元，如图1所示，以单片式衬底处理装置的形式构成。如图1所示，衬底处理装置200包括处理容器202。处理容器202构成为例如水平剖面为圆形、且扁平的密闭容器。另外，处理容器202由例如铝(Al)、不锈钢(SUS)等金属材料或石英构成。在处理容器202内，形成有对作为衬底的硅晶片等衬底100进行处理的处理空间(处理室)201、移载空间(移载室)203。处理容器202由上部容器202a和下部容器202b构成。在上部容器202a与下部容器202b之间设置有分隔板204。将上部处理容器202a所包围的空间、比分隔板204靠上方的空间称为处理室201。另外，将比分隔板204靠下方的空间称为移载室203。在下部容器202b的侧面设置有与闸阀1490邻接的衬底搬入搬出口1480，晶片100经由衬底搬入搬出口1480在未图示的搬送室与移载室203之间移动。在下部容器202b的底部设置有多个提升销207。而且，下部容器202b接地。在处理室201内设置有支承衬底100的衬底支承部210。衬底支承部210主要具有：载置衬底100的衬底载置面211和表面上具有衬底载置面211的衬底载置台212、作为加热部的加热器213。在衬底载置台212上、在与提升销207对应的位置处分别设置供提升销207贯穿的贯穿孔214。另外，加热器213连接于温度控制部400、且构成为能够控制温度。另外，也可以在衬底载置台212上设置向衬底100、处理室201施加偏压的偏压电极256。偏压电极256构成为与偏压调节部257连接，并且通过偏压调节部257可调节偏压。衬底载置台212通过轴217支承。轴217贯穿处理容器202的底部，进而在处理容器202的外部与升降机构218连接。通过使升降部218工作而使轴217及衬底载置台212升降，从而能够使载置于载置面211上的衬底100升降。需要说明的是，轴217下端部的周围由波纹管219覆盖，处理空间201内被气密地保持。对于衬底载置台212而言，在搬送衬底100时，移动至晶片移载位置，当衬底100的处理时，移动至图1所示的处理位置。需要说明的是，晶片移载位置为提升销207的上端从衬底载置面211的上表面突出的位置。具体而言，在使衬底载置台212下降至晶片移载位置时，使得提升销207的上端部从衬底载置面211的上表面突出，从而使提升销207从下方支承衬底100。另外，在使衬底载置台212上升至晶片处理位置时，使得提升销207从衬底载置面211的上表面没入，从而使衬底载置面211从下方支承衬底100。需要说明的是，由于提升销207与衬底100直接接触，所以优选由例如石英、氧化铝等材质形成。[排气部]在处理室201(上部容器202a)的内壁上，设置有将处理室201的气氛排气的作为第一排气部的第一排气口221。在第一排气口221上，连接有第一排气管224a，在第一排气管224a上，依次串联地连接有将处理室201内控制为规定压力的APC(AutoPressureController，自动压力控制器)等压力调节器227、第一真空泵223a和后述的第二真空泵223b。主要由第一排气口221、第一排气管224a、压力调节器227构成第一排气部(排气管线)。需要说明的是，第一真空泵223a也可以作为第一排气部的构成。另外，在移载室203的内壁侧面，设置有将移载室203的气氛排气的第二排气口1481。另外，在第二排气口1481上，设置有排气管1482。在排气管1482，设置有压力调节器228，从而构成为能够将移载室203内的压力排气至规定压力。另外，也可经由移载室203而将处理室201内的气氛排气。[气体导入口]在处理室201的上部设置的簇射头234的上表面(天井壁)设置有用于向处理室201内供给各种气体的气体导入口241。对与作为气体供给部的气体导入口241连接的各气体供给单元的构成，在后面描述。[气体分散部]作为气体分散单元的簇射头234具有缓冲室232、分散板244a。需要说明的是，分散板244a也可以构成为作为活化部的第一电极244b。在分散板244a上，设置有多个向衬底100分散供给气体的孔234a。簇射头234设置于气体导入口241与处理室201之间。从气体导入口241导入的气体被供给至簇射头234的缓冲室232(也称为分散部。)、经由孔234a而被供给至处理室201。需要说明的是，在使分散板244a构成为第一电极244b的情况下，第一电极244b由导电性的金属构成、并且作为用于将处理室201内的气体激发的活化部(激发部)的一部分构成。构成为能够向第一电极244b供给电磁波(高频电力、微波)。需要说明的是，当盖231由导电性部件构成时，采用下述构成：在盖231与第一电极244b之间设置绝缘块233，从而将盖231与第一电极部244b之间绝缘。[活化部(等离子体生成部)]对设置有作为活化部的第一电极244b的情况下的构成进行说明。在作为活化部的第一电极244b上，连接有匹配器251和高频电源部252，构成为能够供给电磁波(高频电力、微波)。由此，能够本文档来自技高网...

【技术保护点】
1.衬底处理装置，其具有：处理衬底的处理室；气化器，其生成向所述衬底供给的第一气体；第一供给管，其连接于所述气化器、向所述处理室供给所述第一气体，且具有控制所述第一气体的供给定时的第一定时阀；非活性气体供给部，其向气化器导入管和所述第一供给管中的任一者或两者供给非活性气体，其中，所述气化器导入管向所述气化器供给气体；气化器输出管，其从所述气化器向所述第一供给管供给所述第一气体；第一排出部，其设置于所述第一供给管、将所述第一供给管内的气氛排气；第二排出部，其设置于所述气化器输出管、将所述气化器内的气氛排气；和控制部，其控制所述第一定时阀、所述非活性气体供给部、所述第一排出部和所述第二排出部。

【技术特征摘要】
2018.02.08 JP 2018-0211251.衬底处理装置，其具有：处理衬底的处理室；气化器，其生成向所述衬底供给的第一气体；第一供给管，其连接于所述气化器、向所述处理室供给所述第一气体，且具有控制所述第一气体的供给定时的第一定时阀；非活性气体供给部，其向气化器导入管和所述第一供给管中的任一者或两者供给非活性气体，其中，所述气化器导入管向所述气化器供给气体；气化器输出管，其从所述气化器向所述第一供给管供给所述第一气体；第一排出部，其设置于所述第一供给管、将所述第一供给管内的气氛排气；第二排出部，其设置于所述气化器输出管、将所述气化器内的气氛排气；和控制部，其控制所述第一定时阀、所述非活性气体供给部、所述第一排出部和所述第二排出部。2.根据权利要求1所述的衬底处理装置，其中，所述第二排出部具有第二排出管和第二排出阀，所述控制部构成为控制所述阀，以使得基于所述气化器内的余量数据和所述气化器的停机时间数据中的任一者或两者的数据，变更所述第二排出阀的打开时间，从而将所述气化器内的气氛向所述第二排出管排气。3.根据权利要求1所述的衬底处理装置，其中，所述第二排出部具有第二排出管和第二排出阀，所述控制部构成为控制所述第一排出部和所述第二排出部，以使得在将所述第一供给管内的气氛向所述第一排出部排气后，将所述气化器内的气氛向第二排出管排气。4.根据权利要求2所述的衬底处理装置，其中，所述控制部构成为控制所述第一排出部和所述第二排出部，以使得在将所述第一供给管内的气氛向所述第一排出部排气后，将所述气化器内的气氛向所述第二排出管排气。5.根据权利要求3所述的衬底处理装置，其中，在比所述第一供给管与所述气化器输出管的连接部靠上游侧并且比所述气化器导入管与所述第一供给管的连接部靠下游侧的位置设置有吹扫阀，所述控制部控制吹扫阀，以使得当将所述第一供给管的气氛向所述第一排出部排气时，经由所述吹扫阀向所述第一供给管内供给非活性气体。6.根据权利要求4所述的衬底处理装置，其中，在比所述第一供给管与所述气化器输出管的连接部靠上游侧并且比所述气化器导入管与所述第一供给管的连接部靠下游侧的位置设置有吹扫阀，所述控制部控制吹扫阀，以使得当将所述第一供给管的气氛向所述第一排出部排气时，经由所述吹扫阀向所述第一供给管内供给非活性气体。7.根据权利要求1所述的衬底处理装置，其中，在所述气化器输出管上设置有输出阀，所述控制部控制所述第一排出部、所述第二排出部和所述输出阀，以使得在将所述第一供给管内排气至真空气氛、将所述气化器内的气氛排气后，从所述气化器向所述第一供给管内供给所述第一气体。8.根据权利要求2所述的衬底处理装置，其中，在所述气化器输出管上设置有输出阀，所述控制部控制所述第一排出部、所述第二排出部和所述输出阀，以使得在将所述第一供给管内排气至真空气氛、将所述气化器内的气氛排气后，从所述气化器向所述第一供给管内供给所述第一气体。9.根据权利要求3所述的衬底处理装置，其中，在所述气化器输出管上设置有输出阀，所述控制部控制所述第一排出部、所述第二排出部和所述输出阀，以使得在将所述第一供给管内排气至真空气氛、将所述气化器内的气氛排气后，从所述气化器向所述第一供给管内供给所述第一气体。10.根据权利要求5所述的衬底处理装置...

【专利技术属性】
技术研发人员：大桥直史，松井俊，
申请(专利权)人：株式会社国际电气，
类型：发明
国别省市：日本,JP