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本发明涉及衬底处理装置、半导体器件的制造方法及记录介质。目的在于提高在衬底上形成的膜的品质。衬底处理装置具有：处理衬底的处理室；气化器，其生成向衬底供给的第一气体；第一供给管，其连接于气化器、向处理室供给所述第一气体，且具有控制第一气体的供...
该专利属于株式会社国际电气所有，仅供学习研究参考，未经过株式会社国际电气授权不得商用。

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