The utility model discloses a deep ultraviolet LED packaging structure. The deep ultraviolet LED packaging structure comprises a ceramic support, a deep ultraviolet LED chip, a quartz glass and a metal coating; the ceramic support is a cup structure, and the deep ultraviolet LED chip is arranged inside the ceramic support; the quartz glass is arranged at the upper end of the ceramic support, and a sealed cavity is formed between the ceramic support and the ceramic support. The metal coating is coated on the outer surface of the enclosed cavity, but the outer surface does not include the bottom surface of the enclosed cavity and the area of the quartz glass outer surface opposite the inner surface of the enclosed cavity. The utility model improves the binding force and sealing property of the quartz glass and the ceramic support by covering the metal coating on the outer surface of the sealed cavity, solves the problem of the separation of the quartz glass and the ceramic support caused by the long working time of the deep ultraviolet LED packaging structure, and improves the reliability of the deep ultraviolet LED packaging structure.
【技术实现步骤摘要】
一种深紫外LED封装结构
本技术属于半导体照明
更具体地,涉及一种深紫外LED封装结构。
技术介绍
随着LED封装技术的进步,市面上深紫外波段的LED已经逐步出现。在紫外线中,波长在200纳米至280纳米的光线被称为深紫外线。而深紫外LED因其高效、环保、节能、可靠等优势,在照明、杀菌、医疗、印刷、生化检测、高密度的信息储存和保密通讯等领域具有重大的应用价值,这些优势是普通的紫外LED所无法比拟的。深紫外LED对封装材料和封装工艺要求极高;用锡膏或金属键合等纯无机封装方式,工艺复杂且制造成本高;在封装过程中使用有机材料进行粘连封装则更简洁经济;但是LED芯片发出的深紫外线作用于胶体会使胶体粘接力变弱,进而导致粘连失效。例如,申请号为201420396320.0的中国专利公开了一种深紫外LED器件封装结构,包括陶瓷支架及设在陶瓷支架底座固晶位上的深紫外芯片,深紫外芯片通过银线连接至正负电极,陶瓷支架1上通过粘接材料粘接有石英透镜,这种封装结构存在如下缺陷:(1)粘接材料容易吸收UV光线而引起自身老化,从而导致LED器件发光功率低、可靠性不高;(2)封装结构比较复杂,制作成本较高,散热性差,而且陶瓷支架和石英透镜采用粘接方式进行连接,可靠性也不是很高。因此,如何更进一步提高密封效果是本领域需要克服的技术难题。
技术实现思路
为解决上述技术问题,本技术的第一个目的在于提供一种深紫外LED封装结构。本技术的深紫外LED封装结构通过提高石英玻璃和陶瓷支架的结合力和密封性,解决了现有技术中LED封装结构经过长时间工作引起的盖板和基板脱离的技术问题。本技术的第二个目的在 ...
【技术保护点】
1.一种深紫外LED封装结构,其特征在于,包括陶瓷支架、深紫外LED芯片、石英玻璃和金属镀层;所述陶瓷支架呈碗杯结构,所述深紫外LED芯片设置在所述陶瓷支架内部;所述石英玻璃设置在所述陶瓷支架的上端,且与所述陶瓷支架之间形成密闭腔体;所述金属镀层包覆在所述密闭腔体的外表面,但外表面不包括密闭腔体底面以及密闭腔体内部正对的石英玻璃外表面区域。
【技术特征摘要】
1.一种深紫外LED封装结构,其特征在于,包括陶瓷支架、深紫外LED芯片、石英玻璃和金属镀层;所述陶瓷支架呈碗杯结构,所述深紫外LED芯片设置在所述陶瓷支架内部;所述石英玻璃设置在所述陶瓷支架的上端,且与所述陶瓷支架之间形成密闭腔体;所述金属镀层包覆在所述密闭腔体的外表面,但外表面不包括密闭腔体底面以及密闭腔体内部正对的石英玻璃外表面区域。2.根据权利要求1所述深紫外LED封装结构,其特征在于,所述深紫外LED芯片的波长范围为UVC波段250-280nm、UVA波段320-400nm或者UVB波段280-320nm。3.根据权利要求1所述深紫外LED封装结构,其特征在于,所述密闭腔体内设有填充气体,所述填充气体为填充惰性气体或氮气。...
【专利技术属性】
技术研发人员:刘国旭,熊志军,
申请(专利权)人:易美芯光北京科技有限公司,
类型:新型
国别省市:北京,11
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