芯片封装结构制造技术

本实用新型专利技术公开一芯片封装结构，尤指一种运用于功率的离散式元件芯片，如金属氧化物半导体场效晶体管或绝缘闸双极晶体管等晶体管型态的芯片封装，主要包括有一导线架、芯片、金属连接片及引脚，主要系以铝箔材质的连接片替代现有的金、铜、锡材质的连接片，同时在金属连接片与芯片利用力与超音波方式接合之后，在该金属连接片与芯片的接合处注有填充剂，如此不仅能达到降低成本、封装便利、提高散热性的效能外，同时还具有预防封装过程中脱层情况产生为其主要实用新型专利技术要点。

【技术实现步骤摘要】
【专利摘要】本技术公开一芯片封装结构，尤指一种运用于功率的离散式元件芯片，如金属氧化物半导体场效晶体管或绝缘闸双极晶体管等晶体管型态的芯片封装，主要包括有一导线架、芯片、金属连接片及引脚，主要系以铝箔材质的连接片替代现有的金、铜、锡材质的连接片，同时在金属连接片与芯片利用力与超音波方式接合之后，在该金属连接片与芯片的接合处注有填充剂，如此不仅能达到降低成本、封装便利、提高散热性的效能外，同时还具有预防封装过程中脱层情况产生为其主要技术要点。【专利说明】芯片封装结构
本技术涉及一种芯片封装结构，尤其涉及一种运用于功率的离散式元件芯片(Power Discrete Device)的芯片封装,主要是以招箔材质的连接片替代现有的金、铜、锡材质的连接片，同时在金属连接片与芯片利用力与超音波方式接合的后，在该金属连接片与芯片的接合处注有填充剂，以达到降低成本、封装便利、提高散热性及预防脱层为其主要技术要点与效能。
技术介绍
传统芯片封装，如图1所示，包括有一导线架1，该导线架I利用贴合剂2而于其上贴合有一芯片3，并于该芯片3的顶端(源极)焊设有一金属连接片5，而该金属连接片5的另一端则焊设于引脚4之上，藉此以达到电讯连接，随后再将已组装完成的芯片组进行封装，其中，现有的金属连接片5的工艺材质多为金、铜或锡等材质，而利用此材质所制成的金属连接片由于都有其厚度，因此都需要事先依据芯片的型态进行事先塑形，以符合不同型态芯片的需求；换言之，就是该金属连接片5属于客制化的零件，若在型态上有所差异时，就容易造成封装过程的困扰，另外，利用金、铜或锡等材质所制成的金属连接片5，在要与芯片3的源极进行焊设时，必须先在芯片3的源极上先进行可焊锡处理的流程，以顺利能将该金属连接片5顺利地焊设于芯片3上，再工艺上较为麻烦，再者，如图1所示，该金属连接片5在焊设于芯片3的源极上后再进行封装的过程中，会有其空隙6的产生，时间一久便会有脱层的情况发生，当金属连接片5与芯片3 —旦产生脱层时，会造成电讯中断或连接不佳，进而形成不良品，而为了有效解决这种种问题，乃技术出此一具有高散热性、高稳定性、封装便利及低成本的芯片封装结构。
技术实现思路
本技术系有关于一种芯片封装结构，尤指一种功率的离散式元件芯片(PowerDiscrete Device)的芯片封装,主要是以招箔材质的连接片替代现有的金、铜、锡材质的连接片，并于金属连接片与芯片的接合处注有填充剂，以达到降低成本、封装便利、提高散热性及预防脱层增强良率为其主要技术目的。 为达上述目的，本技术提供一种芯片封装结构，其包括有: 一导线架，其上接设有芯片体； 一芯片体，上层设有源极端，该源极端供金属连接片接合； —金属连接片，一端接设于芯片体的源极端，另一端则接设于引脚之上； 一填充剂，填塞于芯片体的源极端与金属连接片接合的接合端角处，以避免脱层状况的发生。 上述的芯片封装结构，其中该导线架与芯片体利用贴合胶剂予以接合，且该贴合胶剂为锡膏。 上述的芯片封装结构，其中该金属连接片的材质为铝箔。 上述的芯片封装结构，其中该填充剂的材质为树脂。 上述的芯片封装结构，其中该金属连接片与芯片体的源极端的接合方式是以力加超音波震荡方式为之。 以下结合附图和具体实施例对本技术进行详细描述，但不作为对本技术的限定。 【专利附图】【附图说明】 图1为现有芯片封装结构的组合剖视示意图； 图2为本技术芯片封装结构的组合剖视示意图。 其中，附图标记 现有技术 导线架I 贴合剂2 芯片3 引脚4 金属连接片5 空隙6 本技术 导线架11 贴合胶剂12 芯片体13 源极端131 金属连接片14 接合端角141 引脚15 填充剂16 封装胶体17 芯片组体20 【具体实施方式】 下面结合附图对本技术的结构原理和工作原理作具体的描述: 请参阅图2所示，本技术公开一芯片封装结构，尤指一种运用于功率的离散式元件芯片(Power Discrete Device),如金属氧化物半导体场效晶体管(MOSFET)或绝缘闸双极晶体管(IGBT)等晶体管型态的芯片封装，主要包括有一导线架11，其上设有一芯片体13，而该芯片体13是利用贴合胶剂12可被固设于导线架11之上，而该贴合胶剂12的材质一般是为锡膏，以保有电讯连接的畅通性； —芯片体13,其上设有源极端131,可作为电讯导通之用，该芯片体13利用一金属连接片14的接合，可以将芯片体13的电讯传导至引脚15，其中，该金属连接片14与芯片体13的接合方式是以力加超音波接合的方式完成，与现有焊合的技术不同； 一金属连接片14，一端被利用力与超音波的方式接合于芯片体13的源极端131上，该金属连接片14是一片厚度相当薄的片状体，其材质为铝箔，另一端则被接合于引脚15之上，利用该金属连接片14的导通力，而能将芯片体13的电讯传导至该引脚15，另外，为了避免芯片体13的源极端131与金属连接片14在接合后经过封装过程是会有脱层现象的产生，因此在该芯片体13的源极端131与金属连接片14接合端角141处以两次注入的方式填入填充剂16,该填充剂16以稳定性较闻的树脂为材质，分有细分子与粗分子两类，两次注入的方式先将细分子先行注入，随后再注入粗分子者，以确保接合端角141不会有空隙的存在； 如此，当导线架11、芯片体13、金属连接片14及引脚15被逐一接合并于芯片体13的源极端131与金属连接片14知接合端角141注入填充剂16后，即形成一个芯片组体20，随后便将该芯片组体进行外体包覆有封装胶体17来进行封装；其中，由于该金属连接片14的材质是为铝箔，而铝箔是一个电讯导通力非常佳且散热力非常高的材质，因此该金属连接片14的薄度会非常的薄，而在使用上是不需要事先塑型的，因此可省却需要是先将金属连接片14塑型的加工程序； 另外，铝的材质与金、铜及锡都不同，在接合该铝箔材质制成的金属连接片14与芯片体13的源极端131时，并不需要事先在该芯片体13的源极端131上进行可焊锡处理，因此在工艺上可省却步骤； 另外，金属连接片14的材质为铝箔，在电讯导通上高于金、铜及锡，在材质成本上也较金、铜及锡为低，且散热力亦较金、铜及锡为高，同时其所需要的厚度非常的薄，因此在成本上远较现有为低； 另外，在进行封装之前，本技术还有在芯片体13的源极端131与金属连接片14接合点的接合端角141注入填充剂16，因此，该芯片组体20在藉由封装胶体17封装完成后，其内部并不会有缝隙的产生，也就不会产生俗称的『脱层』情况，因此可有效提高产品的良率； 因此，本技术不仅能简化工艺、降低成本、提高电讯导通力、提高散热性及避免脱层广生而提闻广品良率。 当然，本技术还可有其它多种实施例，在不背离本技术精神及其实质的情况下，熟悉本领域的技术人员当可根据本技术作出各种相应的改变和变形，但这些相应的改变和变形都应属于本技术所附的权利要求的保护范围。【权利要求】1.一种芯片封装结构，其特征在于，包括有: 一导线架，其上接设有芯片体； 一芯片体，本文档来自技高网...

【技术保护点】
一种芯片封装结构，其特征在于，包括有：一导线架，其上接设有芯片体；一芯片体，上层设有源极端，该源极端供金属连接片接合；一金属连接片，一端接设于芯片体的源极端，另一端则接设于引脚之上；一填充剂，填塞于芯片体的源极端与金属连接片接合的接合端角处，以避免脱层状况的发生。

【技术特征摘要】
...

【专利技术属性】
技术研发人员：资重兴，
申请(专利权)人：英属维尔京群岛商杰群科技有限公司，
类型：新型
国别省市：维尔京群岛;VG