A quartz hot wall and a wafer processing device are used for placing a transparent zone at the top of a wafer processing chamber at the top of the wafer processing chamber, which is provided with an infrared thermometer above the wafer processing chamber. The infrared thermometer is used to transmit infrared light to the chamber chamber. An optical path perpendicular to the transparent area includes a quartz plate, a quartz plate with a groove on the quartz plate, and when the quartz hot wall is installed inside the wafer processing chamber, the groove is located on the light path. The hot wall of quartz can not only prevent the rise of epitaxial reaction gas, but also avoid the formation of polysilicon thick layer on the inner wall of the wafer processing chamber, and the wall layer at the groove is thinner, thus reducing the suction of the epitaxial reaction gas and avoiding the formation of polysilicon thick layer at the optical path of the quartz hot wall. To ensure the smooth path of the light.
【技术实现步骤摘要】
石英热壁和晶圆处理装置
本技术涉及气相化学外延设备领域,尤其涉及一种石英热壁和一种晶圆处理装置。
技术介绍
硅外延通常是通过气相化学沉积的方式,在硅抛光片的表面生长一层指定膜厚和电阻率的硅单晶层。在石英质平板式反应腔体中,硅片贴附在基座表面与外延反应气体,在高温下发生化学反应。在硅外延制造过程中,既在硅抛光片表面沉积生成单晶硅,也在平板式反应腔体的内表面沉积生成多晶硅厚层,在一定周期中,腔体内表面的多晶硅会自主散状脱落,污染下方处硅片,造成其表现不良,进而影响合格产品的产出。当前,在反应腔体内加装一种特殊设计的光滑石英热壁,覆盖于腔体内表面的顶部空间。当外延反应气体水平流动,从石英热壁下表面流过,只在该石英热壁下表面形成沉积层,同时配以合理的工艺技术和固定蚀刻程序,可以有效抑制这类多晶硅薄层的脱落现象。然而,在实际工作过程中,石英热壁表面易受到机械摩擦和清洗时的强酸腐蚀,造成表面磨损,通透性减弱,影响外接光学探测装置的光路畅通;若在石英热壁的指定位置开孔且完全通透,用来保证外接光学探测装置的光路畅通,在实际工作过程中,由于工艺控制的缺陷和反应腔内气体流通的不均匀,使得外延反应气体不局限于水平流动,而是通过开孔流至石英热壁上方,重新吸附于反应腔体内壁形成多晶硅薄层,这种多晶硅薄层虽然不易脱落,但却恰好挡住了光学探测装置的光路。因此,需要提供一种石英热壁,不仅能够防止硅外延反应腔体内壁沉积晶硅厚层,并且不会影响光学探测装置的光路。
技术实现思路
本技术所要解决的技术问题是,提供一种石英热壁和一种晶圆处理装置。为了解决上述问题,本技术提供了一种石英热壁。一种石英热壁,用 ...
【技术保护点】
1.一种石英热壁,用于横置在晶圆处理腔室内部,所述晶圆处理腔室顶部具有一透明区,所述晶圆处理腔室上方具有一红外测温仪,所述红外测温仪用于向所述晶圆处理腔室内发射红外光,形成一垂直于所述透明区的光路,其特征在于,所述石英热壁包括:石英平板,所述石英平板上具有一凹槽,当所述石英热壁安装于所述晶圆处理腔室内部时,所述凹槽位于所述光路上。
【技术特征摘要】
1.一种石英热壁,用于横置在晶圆处理腔室内部,所述晶圆处理腔室顶部具有一透明区,所述晶圆处理腔室上方具有一红外测温仪,所述红外测温仪用于向所述晶圆处理腔室内发射红外光,形成一垂直于所述透明区的光路,其特征在于,所述石英热壁包括:石英平板,所述石英平板上具有一凹槽,当所述石英热壁安装于所述晶圆处理腔室内部时,所述凹槽位于所述光路上。2.根据权利要求1所述的石英热壁,其特征在于,所述凹槽底部的石英热壁厚度为0.7mm-1.3mm。3.根据权利要求1所述的石英热壁,其特征在于,所述凹槽的横截面形状为圆形、正方形、长方形、菱形、或者五边形。4.根据权利要求1所述的石英热壁,其特征在于,所述凹槽的直径为25mm-30mm。...
【专利技术属性】
技术研发人员:孙飞,胡平,杨福全,吴庆东,
申请(专利权)人:上海新傲科技股份有限公司,
类型:新型
国别省市:上海,31
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