【技术实现步骤摘要】
本专利技术涉及半导体领域，尤其涉及一种绝缘体上硅及其键合方法。
技术介绍
1、绝缘体上硅(silicon-on-insulator，简称soi)是在顶层硅和背衬底之间引入了一层氧化层。soi具有寄生电容小、可减少电流漏电等优势，在绝缘栅型场效应管(metal-oxide-semiconductor field-effect transistor，简称mos)器件、微功耗器件、功率器件、高压器件和双极性器件等方面都有广泛的应用。
2、绝缘体上硅生产中有一个重要工序为键合，将一衬底硅片加热到1000℃以上以在其表面形成氧化膜绝缘膜，然后将其和另外一片衬底硅片相对放置在一起，两个硅片依靠表面的羟基团相互吸引键合，而后使用剥离技术进行剥离。
3、参考图1，其为使用常规键合方式制备的薄氧化层绝缘体上硅的示意图。如图1所示，基于注氢技术制备薄氧化层soi，在顶层硅11和背衬底12之间引入了一层氧化层13。使用现有技术常规的键合方式，在剥离后的顶层硅11表面会出现直径在0.5-3mm的气泡101，这些气泡101流片到最终会破裂...
【技术保护点】
1.一种绝缘体上硅的键合方法，其特征在于，包括以下步骤：
2.根据权利要求1所述的方法，其特征在于，所述的提供第一半导体晶圆以及第二半导体晶圆，所述第一半导体晶圆表面具有氧化层的步骤，还包括：
3.根据权利要求2所述的方法，其特征在于，对真空键合工艺形成的所述键合结构进一步执行以下步骤：
4.根据权利要求3所述的方法，其特征在于，所述退火剥离工艺中的退火温度小于800摄氏度。
5.根据权利要求3所述的方法，其特征在于，所述退火剥离工艺将所述键合结构从所述氢离子起泡层处剥离开。
6.根据权利要求1所述的方法，其...
【技术特征摘要】
1.一种绝缘体上硅的键合方法，其特征在于，包括以下步骤：
2.根据权利要求1所述的方法，其特征在于，所述的提供第一半导体晶圆以及第二半导体晶圆，所述第一半导体晶圆表面具有氧化层的步骤，还包括：
3.根据权利要求2所述的方法，其特征在于，对真空键合工艺形成的所述键合结构进一步执行以下步骤：
4.根据权利要求3所述的方法，其特征在于，所述退火剥...
【专利技术属性】
技术研发人员：汪聪颖，刘燕，陈国兴，
申请(专利权)人：上海新傲科技股份有限公司，
类型：发明
国别省市：
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