温馨提示：您尚未登录，请点 登陆 后下载，如果您还没有账户请点 注册 ，登陆完成后，请刷新本页查看技术详细信息。

本发明提供了一种绝缘体上硅及其键合方法，通过采用等离子工艺处理第一半导体晶圆的氧化层表面以及第二半导体晶圆的待键合表面形成粗糙表面并进行清洗，从而能够使第一半导体晶圆的氧化层表面以及第二半导体晶圆的待键合表面形成分布有更多羟基的亲水表面，然...
该专利属于上海新傲科技股份有限公司所有，仅供学习研究参考，未经过上海新傲科技股份有限公司授权不得商用。

详细技术文档下载地址

温馨提示：您尚未登录，请点 登陆 后下载，如果您还没有账户请点 注册 ，登陆完成后，请刷新本页查看技术详细信息。