【技术实现步骤摘要】
本专利技术涉及半导体制造设备，尤其涉及一种扩展电阻测试样品的研磨方法。
技术介绍
1、随着微电子技术的迅速进步，对半导体材料的特性测量和分析要求日益严格。为了精确地测量掺杂浓度、分析半导体内部的电子结构或其他重要特性，研究者和工程师们通常依赖spr(spreading resistance profiling，扩展电阻测试)技术。在spr测量中，需要将尖锐的探针压在扩展电阻测试样品的斜面上。因此，srp测量对是否能研磨成特定斜面的样品而言极为重要。
2、传统的研磨方法通常使用高精度研磨技术，通过在特定的转盘上涂抹特定的研磨膏从而直接对样品进行高精度研磨。然而，这种方法常常需要较长的时间，尤其是处理厚的外延层或在一个斜切面上研磨多个样品。长时间的研磨不仅增加制备成本，还可能导致更多的样品损坏，进而影响srp测量的准确性。
3、在半导体产业中，缩短样品的制备时间，提高制备效率和质量已经成为研究和生产中的关键需求。
4、因此，寻找一种更高效、更快速且不损害样品的研磨方法十分迫切。
【技术保护点】
1.一种扩展电阻测试样品的研磨方法，其特征在于，包括如下步骤：
2.根据权利要求1所述的扩展电阻测试样品的研磨方法，其特征在于，在停止所述扩展电阻测试样品的粗研磨后，清理所述扩展电阻测试样品表面的硅屑。
3.根据权利要求1所述的扩展电阻测试样品的研磨方法，其特征在于，所述钻石研磨膏的研磨颗粒的直径为0.1μm。
4.根据权利要求1所述的扩展电阻测试样品的研磨方法，其特征在于，所述扩展电阻测试样品精细研磨时的研磨轨迹与粗研磨时的研磨轨迹一致。
5.根据权利要求4所述的扩展电阻测试样品的研磨方法，其特征在于，所述研磨轨迹为往
<...【技术特征摘要】
1.一种扩展电阻测试样品的研磨方法，其特征在于，包括如下步骤：
2.根据权利要求1所述的扩展电阻测试样品的研磨方法，其特征在于，在停止所述扩展电阻测试样品的粗研磨后，清理所述扩展电阻测试样品表面的硅屑。
3.根据权利要求1所述的扩展电阻测试样品的研磨方法，其特征在于，所述钻石研磨膏的研磨颗粒的直径为0.1μm。
4.根据权利要求1所述的扩展电阻测试样品的研磨方法，其特征在于，所述扩展电阻测试样品精细研磨时的研磨轨迹与粗研磨时的研磨轨迹一致。
5.根据权利要求4所述的扩展电阻测试样品的研磨方法，其特征在于，所述研磨轨迹...
【专利技术属性】
技术研发人员：顾佳佳，吴庆东，
申请(专利权)人：上海新傲科技股份有限公司，
类型：发明
国别省市：
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