一种碳化硅场效应管的有源区参数计算方法技术

本发明专利技术公开了一种碳化硅场效应管的有源区参数计算方法，涉及场效应管技术领域，解决了碳化硅场效应管的有源区设计容易存在设计结果偏离度大，精度较差的技术问题。该方法包括：计算目标场效应管在目标栅极电压Vgs及目标漏源电流I<subgt;DS</subgt;下的目标漏源压降V<subgt;DS</subgt;；测量参考场效应管，得到多条参考正向特性曲线；计算参考场效应管的参考有源区面积A’；基于目标漏源压降V<subgt;DS</subgt;、参考正向特性曲线、参考有源区面积A’，计算目标场效应管的目标电流密度，得到目标有源区面积A，以及目标有源区长度W、目标有源区宽度L。本发明专利技术可精确计算目标场效应管的有源区面积、有源区长度及有源区宽度。

【技术实现步骤摘要】

本专利技术涉及场效应管，尤其涉及一种碳化硅场效应管的有源区参数计算方法。

技术介绍

1、碳化硅(sic)具有禁带宽度高、饱和电子漂移速度高、临界电场击穿强度高和介电常数低等特点，因此，碳化硅场效应管具有较高的阻断电压和工作频率，并且还同时具有通态电阻低和开关损耗小的优势，常作为功率变换电路中的开关器件。

2、在碳化硅场效应管同一系列产品开发过程中，同一系列产品仅工作电流不同，其余参数类似，这样需对同一电压等级进行一系列工作电流产品进行设计。在生产前需要对其面积进行设计，以保证碳化硅场效应管符合所需的性能。在面积设计时，如碳化硅场效应管的面积过小，会导致半导体器件承受的正向电压偏高，从而影响半导体器件的性能；如碳化硅场效应管的面积过大，会造成产品生产成本增加。

3、现有的碳化硅场效应管的面积设计一般基于有源区面积因子进行，由于一些数据的测量误差使得设计结果与实际误差较大，且多个数据测试误差共同作用，使得设计结果偏离很大，尤其是碳化硅场效应管的面积较小时，即使采用修正，但结果仍然不理想。

4、在实现本专利技术过程中，专利技术本文档来自技高网...

【技术保护点】

1.一种碳化硅场效应管的有源区参数计算方法，其特征在于，通过参考场效应管的参数计算目标场效应管的有源区面积、有源区长度及有源区宽度，包括以下步骤：

2.根据权利要求1所述的一种碳化硅场效应管的有源区参数计算方法，其特征在于，所述S200步骤中，在多条所述参考正向特性曲线中，存在与所述目标栅极电压Vgs电压值相同的所述参考栅极电压Vgs’。

3.根据权利要求1所述的一种碳化硅场效应管的有源区参数计算方法，其特征在于，所述S300步骤中，所述参考有源区面积的计算公式为：

4.根据权利要求1所述的一种碳化硅场效应管的有源区参数计算方法，其特征在于，所述S40...

【技术特征摘要】

1.一种碳化硅场效应管的有源区参数计算方法，其特征在于，通过参考场效应管的参数计算目标场效应管的有源区面积、有源区长度及有源区宽度，包括以下步骤：

2.根据权利要求1所述的一种碳化硅场效应管的有源区参数计算方法，其特征在于，所述s200步骤中，在多条所述参考正向特性曲线中，存在与所述目标栅极电压vgs电压值相同的所述参考栅极电压vgs’。

3.根据权利要求1所述的一种碳化硅场效应管的有源区参数计算方法，其特征在于，所述s300步骤中，所述参考有源区面积的计算公式为：

4.根据权利要求1所述的一种碳化硅场效应管的有源区参数计算方法，其特征在于，所述s400步骤中，所述目标电流密度j通过以下步骤进行计算：

5.根据权利要求4所述的一种碳化硅场效应管的有源区参数计算方法，其特征在于，所述s430步骤中，通过线性插值算法计算参考漏源电流ids’。

6.根据权利要求5所述的一种碳化硅场效应管的有源区参数计算方法，其特征在于，所述线性插值算法得出参考漏源电流ids’＝ids1+(vds’-vds1)*(ids2-id...

【专利技术属性】
技术研发人员：刘旭，兰华兵，刘涛，
申请(专利权)人：深圳市森国科科技股份有限公司，
类型：发明
国别省市：