一种用于化学气相沉积的反应器制造技术

本实用新型专利技术描述了一种用于化学气相沉积的反应器，包括晶片托架跟可旋转主轴，在本实用新型专利技术中，晶片托架在装载位置和沉积位置之间进行迁移。在沉积位置，晶片托架被可分离地安装在可旋转主轴的一端上，晶片托架与可旋转主轴接触的底部有环形凹槽，相对应的可旋转主轴的一端为环形凸起，用于与晶片托架的环形凹槽配合。晶片托架可以处理单个晶片或者同时处理多个晶片。本实用新型专利技术同样描述了本实用新型专利技术的几个实施例和变型。本实用新型专利技术的优点包括更低的成本和部件更长的寿命，还有更好的温度控制。

A reactor for chemical vapor deposition

The utility model describes a reactor for chemical vapor deposition, which includes a chip bracket and a rotatable spindle. In the utility model, the chip bracket is migrated between the loading position and the deposition position. At the deposition position, the chip bracket is detachably mounted on one end of the rotatable spindle. The bottom of the wafer bracket and the rotatable spindle has an annular groove, and one end of the corresponding rotatable spindle is a ring convex, which is used to match the ring groove of the chip bracket. Wafer brackets can process individual wafers or simultaneously process multiple wafers. The utility model also describes several embodiments and variants of the utility model. The advantages of the utility model include lower cost and longer life of components, and better temperature control.

【技术实现步骤摘要】
一种用于化学气相沉积的反应器
本技术涉及半导体外延沉积装置领域，具体为一种用于化学气相沉积的反应器。
技术介绍
现有石墨盘的转轴定位孔采用圆边矩形的设计，故石墨盘若要放置到可旋转主轴上，需在放置前进行定位，且可旋转主轴需在放置前定位，可旋转主轴与石墨盘的转轴定位孔对准后才能放下。每次放盘需对准转轴和石墨盘，稍微的偏移会出现撞击，损坏石墨盘背面。现有石墨盘的转轴定位孔与可旋转主轴接触面积较少，在相同摩擦系数下，提供的摩擦力较小，不利于石墨盘随可旋转主轴高速转动。石墨盘在转动过程中，可旋转主轴与石墨盘转轴定位孔侧壁会发生碰撞，特别是急停时，石墨盘转轴定位孔就可能会因无缓冲而破损。
技术实现思路
针对上述问题，本技术提供一种用于化学气相沉积的反应器，至少包括：用于承载晶片的晶片托架；可旋转主轴；对晶片托架加热的加热器；晶片托架在装载位置和沉积位置之间进行迁移；在沉积位置，晶片托架被可分离地安装在可旋转主轴的一端上；晶片托架与可旋转主轴接触的底部有环形凹槽，与环形凹槽相对应的可旋转主轴的一端为环形凸起，用于与晶片托架的环形凹槽配合。根据本技术，优选地，环形凹槽的外径直径为19~30mm。根据本技术，本文档来自技高网...

【技术保护点】
1.一种用于化学气相沉积的反应器，至少包括：用于承载晶片的晶片托架；可旋转主轴；对晶片托架加热的加热器；晶片托架在装载位置和沉积位置之间进行迁移；在沉积位置，晶片托架被可分离地安装在可旋转主轴的一端上；晶片托架与可旋转主轴接触的底部有环形凹槽，与环形凹槽相对应的可旋转主轴的一端为环形凸起，用于与晶片托架的环形凹槽配合。

【技术特征摘要】
1.一种用于化学气相沉积的反应器，至少包括：用于承载晶片的晶片托架；可旋转主轴；对晶片托架加热的加热器；晶片托架在装载位置和沉积位置之间进行迁移；在沉积位置，晶片托架被可分离地安装在可旋转主轴的一端上；晶片托架与可旋转主轴接触的底部有环形凹槽，与环形凹槽相对应的可旋转主轴的一端为环形凸起，用于与晶片托架的环形凹槽配合。2.根据权利要求1所述的一种用于化学气相沉积的反应器，其特征在于：环形凹槽的外径直径为19~30mm。3.根据权利要求1所述的一种用于化学气相沉积的反应器，其特征在于：环形凹槽的内径小于凹槽的外径，环形凹槽的内径直径为14~25mm。4.根据权利要求1所述的一种用于化学气相沉积的反应器，其特征在于：晶片托盘底面为平坦表面，环形凹槽的深度为10~11.5mm。5.根据权利要求1所述的一种用于化学气相沉积的反应器，其特征在于：环形凸起的突出部高度为10~11.5mm。6.根据权利要求1所述的一种用于化学气相沉积的反应器，其特征在于：环形凹槽的槽内表面或环形凸起具有圆角，圆角的半径为0.1~0.5mm。7.根据权利要求1所述的一种用于化学气相沉积的反应器，其特征在于：环形凹槽的槽内表面、环形凸起表面或者二者为粗化表面。8.根据权利要求...

【专利技术属性】
技术研发人员：黄文嘉，彭伟伦，陈奉顺，洪伟，张中英，李明照，张瑞龙，
申请(专利权)人：厦门三安光电有限公司，
类型：新型
国别省市：福建,35