半导体器件的制造方法及记录介质技术

本发明专利技术提供一种半导体器件的制造方法及记录介质，防止设在排气系统中的涡轮分子泵的动作变得不稳定。该衬底处理装置向处理空间供给气体而对衬底进行处理，具有：在上述处理空间的上游侧使上述气体分散的缓冲空间；在将上述衬底向上述处理空间搬运时供上述衬底通过的搬运空间；与上述搬运空间连接的第1排气管；与上述缓冲空间连接的第2排气管；与上述处理空间连接的第3排气管；与上述第1排气管、上述第2排气管及上述第3排气管各自的下游侧连接的第4排气管；设于上述第1排气管的第1真空泵；设于上述第4排气管的第2真空泵；在上述第1排气管中设于上述第1真空泵的下游侧的第1阀；设于上述第2排气管的第2阀；以及设于上述第3排气管的第3阀。

The manufacturing method and recording medium of semiconductor devices

The invention provides a manufacturing method and recording medium of a semiconductor device, and prevents the action of a turbo molecular pump in the exhaust system to become unstable. The substrate processing device processes the substrate to the processing space, which has a buffer space for dispersing the above air on the upstream side of the processing space; the carrier space passed by the above substrate when the above substrate is moved to the processing space above the above, and the first exhaust pipe connected with the transport space above; and A second exhaust pipe with a buffer space connection; a third exhaust pipe connected to the above mentioned space; a fourth exhaust pipe connected to the above first exhaust pipe, the second exhaust pipe and the downstream side of the third exhaust pipe; a first vacuum pump in the first exhaust pipe; second vacuum pump in the fourth exhaust pipe; at the above first exhaust. The first valve is arranged on the downstream side of the first vacuum pump, the second valve arranged in the second exhaust pipe, and the third valve arranged in the third exhaust pipe.

【技术实现步骤摘要】
半导体器件的制造方法及记录介质本申请是申请号为201410092872.5、申请日为2014年3月13日、专利技术名称为“衬底处理装置及半导体器件的制造方法”的专利技术专利申请的分案申请。
本专利技术涉及衬底处理装置及半导体器件的制造方法。
技术介绍
在半导体制造装置等衬底处理装置中，公知为了实施超高真空加工而在排气系统中使用涡轮分子泵(TMP(TurboMolecularPump))等真空泵(例如专利文献1)。现有技术文献专利文献专利文献1：日本特开平11－300193号公报涡轮分子泵等实现高真空或超真空的真空泵通常不能说临界背压高，在其下游侧设置用于排气至大气压的辅助泵。通常像这样在真空泵的下游侧连接其他构成要素，但该其他构成要素可能成为引起真空泵下游侧的压力变动的主要原因。在真空泵的下游侧的压力由于某些理由而上升的情况下，存在气体逆流至该真空泵而导致其动作变得不稳定的隐患。
技术实现思路
本专利技术鉴于上述课题，目的在于提供一种防止设在排气系统中的真空泵的动作变得不稳定的衬底处理装置及半导体器件的制造方法。本专利技术的一个方式的衬底处理装置为向处理空间供给气体而对衬底进行处理的衬底处理装置，其具有：在上述处理空间的上游侧使上述气体分散的缓冲空间；在将上述衬底向上述处理空间搬运时供上述衬底通过的搬运空间；与上述搬运空间连接的第1排气管；与上述缓冲空间连接的第2排气管；与上述处理空间连接的第3排气管；与上述第1排气管、上述第2排气管及上述第3排气管各自的下游侧连接的第4排气管；设于上述第1排气管的第1真空泵；设于上述第4排气管的第2真空泵；在上述第1排气管中设于上述第1真空泵的下游侧的第1阀；设于上述第2排气管的第2阀；以及设于上述第3排气管的第3阀。本专利技术的另一方式的衬底处理装置具有：对衬底进行处理的处理容器；与上述处理容器连接的多根排气管；设于上述多根排气管中的一根排气管上的第1真空泵；设于上述多根排气管的下游侧的第2真空泵；在设有上述第1真空泵的排气管中设于上述第1真空泵的上游侧的阀；以及在设有上述第1真空泵的排气管中连接在上述第1真空泵和上述阀之间的惰性气体供给部。本专利技术的一个方式的半导体器件的制造方法为，将在处理空间的上游侧的缓冲空间中分散的气体向上述处理空间供给而对衬底进行处理的半导体器件的制造方法，其具有如下工序：边通过第1真空泵和设于该第1真空泵下游侧的第2真空泵对上述衬底的搬运空间进行排气，边将上述衬底向上述处理空间搬运的工序；将设于上述第1真空泵的下游侧且设于上述第2真空泵的上游侧的阀关闭的工序；经由上述缓冲空间将上述气体向上述处理空间供给的工序；以及经由在上述阀的下游侧连接在上述第2真空泵上的排气管并通过上述第2真空泵而对上述缓冲空间进行排气的工序。本专利技术的另一方式的半导体器件的制造方法为，向处理容器供给气体而对衬底进行处理的半导体器件的制造方法，其具有如下工序：通过设于与上述处理容器连接的多根排气管中的一根排气管上的第1真空泵、和设于上述多根排气管的下游侧的第2真空泵，对上述处理容器进行排气的工序；将在设有上述第1真空泵的排气管中设于上述第1真空泵的上游侧的阀关闭，并且从在设有上述第1真空泵的排气管中连接在上述第1真空泵和上述阀之间的惰性气体供给部向上述第1真空泵供给惰性气体的工序；将上述气体向上述处理容器供给的工序；以及经由上述多根排气管中的除设有上述第1真空泵的排气管之外的排气管，并通过上述第2真空泵对上述处理容器进行排气的工序。专利技术效果根据本专利技术，能够防止设在排气系统中的真空泵的动作变得不稳定。附图说明图1是表示本专利技术的第1实施方式的衬底处理装置的图。图2是表示图1所示的衬底处理装置的衬底处理工序的流程图。图3是表示图2所示的成膜工序的详细情况的流程图。图4是表示图1所示的衬底处理装置的排气系统的动作的顺序图。图5是表示本专利技术的第2实施方式的衬底处理装置的图。图6是表示图5所示的衬底处理装置的排气系统的动作的顺序图。具体实施方式以下，说明本专利技术的第1实施方式。＜装置结构＞图1示出本实施方式的衬底处理装置100的结构。如图1所示，衬底处理装置100构成为单片式的衬底处理装置。(处理容器)如图1所示，衬底处理装置100具有处理容器202。处理容器202例如构成为横截面为圆形的扁平的密闭容器。另外，处理容器202由例如铝(Al)或不锈钢(SUS)等金属材料构成。在处理容器202内形成有：对作为衬底的硅晶圆等晶圆200进行处理的处理空间201；和在将晶圆200向处理空间201搬运时供晶圆200通过的搬运空间203。处理容器202由上部容器202a和下部容器202b构成。在上部容器202a与下部容器202b之间设有隔板204。在下部容器202b的侧面设有与闸阀205相邻的衬底搬入搬出口206，晶圆200经由衬底搬入搬出口206而在下部容器202b与未图示的搬运室之间移动。在下部容器202b的底部设有多个顶杆(liftpin)207。另外，下部容器202b接地。在处理空间201内设有支承晶圆200的衬底支承部210。衬底支承部210主要具有：载置晶圆200的载置面211；在表面具有载置面211的载置台212；和内置于衬底载置台212中的作为加热源的加热器213。在衬底载置台212上，在与顶杆207相对应的位置处分别设有供顶杆207贯穿的贯穿孔214。衬底载置台212由轴217支承。轴217贯穿处理容器202的底部，并进一步在处理容器202的外部与升降机构218连接。通过使升降机构218工作而使轴217及支承台212升降，由此能够使载置于衬底载置面211上的晶圆200升降。此外，轴217下端部的周围被波纹管219覆盖，处理容器202内保持气密。衬底载置台212在晶圆200的搬运时，下降至衬底载置面211与衬底搬入搬出口206相对的位置(晶圆搬运位置)，在晶圆200的处理时，如图1所示，上升至使晶圆200处于处理空间201内的处理位置(晶圆处理位置)。具体而言，在使衬底载置台212下降至晶圆搬运位置时，顶杆207的上端部从衬底载置面211的上表面突出，顶杆207从下方支承晶圆200。另外，在使衬底载置台212上升至晶圆处理位置时，顶杆207从衬底载置面211的上表面埋没，衬底载置面211从下方支承晶圆200。此外，由于顶杆207与晶圆200直接接触，所以希望其由例如石英或氧化铝等材质形成。在处理空间201的上部(上游侧)设有作为气体分散机构的喷头230。在喷头230的盖231上设有气体导入口241，在该气体导入口241上连接有后述的供给系统。从气体导入口241导入的气体被供给至喷头230的缓冲空间232。喷头的盖231由具有导电性的金属形成，作为用于在缓冲空间232或处理空间201内生成等离子体的电极而使用。在盖231与上部容器202a之间设有绝缘块233，使盖231与上部容器202a之间绝缘。喷头230具有分散板234，该分散板234用于使经由气体导入口241而从供给系统供给的气体分散。该分散板234的上游侧为缓冲空间232，下游侧为处理空间201。在分散板234上设有多个贯穿孔234a。分散板234以与衬底载置面211相对的方式配置。在缓冲空间232中设有用于形成被供给的气体的气流的气体引导本文档来自技高网...

【技术保护点】
一种半导体器件的制造方法，将在处理空间的上游侧的缓冲空间中分散的处理气体向所述处理空间供给而对衬底进行处理，该半导体器件的制造方法的特征在于，具有如下工序：(a)经由第1排气管对搬运空间的环境气体进行排气，并将所述衬底向所述处理空间搬运的工序；(b)将设于所述第1排气管的第1阀关闭的工序；(c)边经由所述缓冲空间将所述处理气体向所述处理空间供给、边经由第3排气管对所述处理空间的环境气体进行排气的工序；(d)在停止了所述处理气体的供给之后，且在将连接于所述缓冲空间的第2排气管上所设置的第2阀关闭的状态下，经由所述缓冲空间向所述处理空间供给吹扫气体，并经由所述第3排气管对所述处理空间内的环境气体进行排气的工序；以及(e)在所述(d)工序之后，在将设于所述第3排气管的第3阀关闭、将所述第2阀打开的状态下，向所述缓冲空间供给吹扫气体，并经由所述第2排气管对所述缓冲空间的环境气体进行排气的工序。

【技术特征摘要】
2013.12.27 JP 2013-2719271.一种半导体器件的制造方法，将在处理空间的上游侧的缓冲空间中分散的处理气体向所述处理空间供给而对衬底进行处理，该半导体器件的制造方法的特征在于，具有如下工序：(a)经由第1排气管对搬运空间的环境气体进行排气，并将所述衬底向所述处理空间搬运的工序；(b)将设于所述第1排气管的第1阀关闭的工序；(c)边经由所述缓冲空间将所述处理气体向所述处理空间供给、边经由第3排气管对所述处理空间的环境气体进行排气的工序；(d)在停止了所述处理气体的供给之后，且在将连接于所述缓冲空间的第2排气管上所设置的第2阀关闭的状态下，经由所述缓冲空间向所述处理空间供给吹扫气体，并经由所述第3排气管对所述处理空间内的环境气体进行排气的工序；以及(e)在所述(d)工序之后，在将设于所述第3排气管的第3阀关闭、将所述第2阀打开的状态下，向所述缓冲空间供给吹扫气体，并经由所述第2排气管对所述缓冲空间的环境气体进行排气的工序。2.如权利要求1所述的半导体器件的制造方法，其特征在于，在所述(c)工序中，包括供给第1处理气体的工序和供给第2处理气体的工序，在所述供给第1处理气体的工序和所述供给第2处理气体的工序之间，进行所述(d)工序和所述(e)工序。3.如权利要求1所述的半导体器件的制造方法，其特征在于，在所述(a)工序之后，在将设于所述第1排气管的位于所述第1真空泵的上游侧的第4阀关闭之后，进行所述(b)工序。4.如权利要求1所述的半导体器件的制造方法，其特征在于，具有如下工序：在向所述处理空间供给所述处理气体之时，在停止了所述搬运空间的排气的状态下对所述处理空间进行排气。5.如权利要求1所述的半导体器件的制造方法，其特征在于，具有如下工序：在所述(e)工序之后，在将所述第2阀关闭的状态下向所述处理空间供给所述吹扫气...

【专利技术属性】
技术研发人员：芦原洋司，小川有人，
申请(专利权)人：株式会社日立国际电气，
类型：发明
国别省市：日本,JP