【技术实现步骤摘要】
本专利技术涉及半导体制造领域，尤其涉及一种外延基座。
技术介绍
1、晶圆外延生长薄膜是半导体制造中的一个重要工艺，它是在一定条件下，在晶圆上生长一层合乎要求的单晶层的方法，具体包括真空外延、气相外延、液相外延等，其中应用最广泛的是气相硅外延，其反应机理是在高温下使挥发性强的硅源与氢气发生反应或热解，生成的硅原子淀积在晶圆上长成外延层。
2、如图1所示，其为现有技术中一种外延基座的示意图。所述外沿基座包括：基座本体10和片坑11。多个所述片坑11形成于所述基座本体10表面，所述片坑11用于放置待外延生长薄膜的晶圆12。在外延生长过程中，由于所述待外延生长薄膜的晶圆12并不能保证处于所述片坑11的中心区域而不与所述片坑11的内边沿所接触，当所述待外延生长薄膜的晶圆12的边缘的某一点与所述片坑11的内边沿接触的时候，所述待外延生长薄膜的晶圆12的边缘就会与所述片坑11的内边沿发生粘连，从而生长在一起。在外延生长薄膜过程结束时，用机械手臂取出所述外延生长薄膜后的晶圆容易引起晶圆的破裂，降低产品良率。
技术实现思路
1、本专利技术所要解决的技术问题是提供一种外延基座，可以减少晶圆边缘的区域性黏连情况的产生，减少了晶圆破损的问题，提高了产品良率。
2、为了解决上述问题，本专利技术提供了一种外延基座，所述外延基座包括：基座本体；片坑，所述片坑形成于所述基座本体表面，所述片坑用于放置待外延生长薄膜的晶圆；至少三个阻挡块，所述阻挡块环绕设置于所述片坑的内边沿，所述阻挡块用于使
3、在一些实施例中，所述片坑的数量为多个。
4、在一些实施例中，所述阻挡块靠近所述待外延生长薄膜的晶圆的侧壁的形状为圆弧状、锯齿状、以及多边形中的一种。
5、在一些实施例中，所述阻挡块靠近所述待外延生长薄膜的晶圆的侧壁的形状各不相同。
6、在一些实施例中，所述阻挡块靠近所述待外延生长薄膜的晶圆的侧壁为倾斜面。
7、在一些实施例中，所述阻挡块的数量多于三个。
8、在一些实施例中，多个所述阻挡块均匀环绕所述片坑的内边沿设置。
9、在一些实施例中，多个所述阻挡块的材料与所述基座本体的材料相同。
10、在一些实施例中，所述阻挡块为圆柱体。
11、在一些实施例中，所述阻挡块和所述基座本体一体成型。
12、以上技术方案，在所述片坑的内边沿设置至少三个阻挡块，所述阻挡块可以使所述待外延生长薄膜的晶圆的边缘与所述片坑的内边沿之间保持一距离。在外延过程中，所述待外延生长薄膜的晶圆的边缘与所述阻挡块接触，而不与所述片坑的内边沿接触，不会造成所述待外延生长薄膜的晶圆的边缘与所述片坑的内边沿大范围粘连，在用机械手臂取出晶圆的时候，不易造成晶圆的破损，提高了产品良率。
13、应当理解的是，以上的一般描述和后文的细节描述仅是示例性和解释性的，并不能限制本专利技术。对于相关领域普通技术人员已知的技术、方法和设备可能不作详细讨论，但在适当情况下，所述技术、方法和设备应当被视为授权说明书的一部分。
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1.一种外延基座，其特征在于，包括：
2.根据权利要求1所述的外延基座，其特征在于，所述片坑的数量为多个。
3.根据权利要求1所述的外延基座，其特征在于，所述阻挡块靠近所述待外延生长薄膜的晶圆的侧壁的形状为圆弧状、锯齿状、以及多边形中的一种。
4.根据权利要求1所述的外延基座，其特征在于，所述阻挡块靠近所述待外延生长薄膜的晶圆的侧壁的形状各不相同。
5.根据权利要求1所述的外延基座，其特征在于，所述阻挡块靠近所述待外延生长薄膜的晶圆的侧壁为倾斜面。
6.根据权利要求1所述的外延基座，其特征在于，所述阻挡块的数量大于或者等于三个。
7.根据权利要求1所述的外延基座，其特征在于，多个所述阻挡块均匀环绕所述片坑的内边沿分布。
8.根据权利要求1所述的外延基座，其特征在于，多个所述阻挡块的材料与所述基座本体的材料相同。
9.根据权利要求1所述的外延基座，其特征在于，所述阻挡块为圆柱体。
10.根据权利要求1所述的外延基座，其特征在于，所述阻挡块和所述基座本体一体成型。
【技术特征摘要】
1.一种外延基座，其特征在于，包括：
2.根据权利要求1所述的外延基座，其特征在于，所述片坑的数量为多个。
3.根据权利要求1所述的外延基座，其特征在于，所述阻挡块靠近所述待外延生长薄膜的晶圆的侧壁的形状为圆弧状、锯齿状、以及多边形中的一种。
4.根据权利要求1所述的外延基座，其特征在于，所述阻挡块靠近所述待外延生长薄膜的晶圆的侧壁的形状各不相同。
5.根据权利要求1所述的外延基座，其特征在于，所述阻挡块靠近所述待外延生长薄膜的晶圆的侧壁...
【专利技术属性】
技术研发人员：吴庆东，胡平，李晓标，诸良，盛佳俊，
申请(专利权)人：上海新傲科技股份有限公司，
类型：发明
国别省市：
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