【技术实现步骤摘要】
本公开涉及晶体生长领域，更具体地涉及一种锑化铟晶体的生长方法。
技术介绍
1、作为一种ⅲ－ⅴ族化合物半导体材料，锑化铟(insb)具有电子迁移率极高、禁带宽度窄、有效电子质量极小和物理化学性质稳定等优异特点，现已广泛用于红外探测器和霍尔器件等方面。目前，国内外公司及研究机构主要采用直拉法(也可称提拉法)制备insb单晶。通过缓慢提拉某种晶向的籽晶，并将坩埚中insb的熔液按照特定方向不断凝固，可以得到具有特定晶向的insb单晶体。为了保证insb晶体纯度，一般insb晶体生长采用石英坩埚作为容器。
2、insb的液体密度比固体密度大10.3％。在提拉法晶体生长过程中，晶体生长结束后，坩埚内剩余的熔体在降温冷却过程中凝固而体积膨胀，胀裂石英坩埚。石英坩埚无法重复使用，极大的增加了晶体生长成本。
技术实现思路
1、鉴于
技术介绍
中存在的问题，本公开的目的在于提供一种锑化铟晶体的生长方法，其能避免利用提拉法的锑化铟晶体生长结束后的降温冷却过程中石英坩埚开裂，从而使得石英坩埚能够重复使用。
2、由此，一种锑化铟晶体的生长方法包括步骤：s1，在生长炉内利用提拉法将固定有籽晶的拉晶杆从石英坩埚的insb熔体表面浸入，之后拉晶杆向上进行直拉进行晶体生长以形成晶棒；s2，晶体生长完成并晶棒脱离熔体后，对石英坩埚保温，在不打开生长炉的情况下，通过生长炉设置的铟块输送机构向石英坩埚内倒入in块，in块倒入的质量为石英坩埚的剩余的insb底料中的in的质量的1-5％；s3，降温、置
3、本公开的有益效果如下：在本公开中，在晶体生长结束后，向石英坩埚的剩余的insb底料(即熔融的insb熔体)中投入in块，in熔化在insb熔体中形成固溶体，并在随后的降温冷却过程中，石英坩埚3内的原料(即固溶体)结晶并析出一定量的in单质。由于in密度高于insb，且in的熔点远低于insb。析出的in单质会集中在insb和石英坩埚之间，形成了一层天然的隔膜。in膜的存在起到了一定的缓冲作用，避免了石英坩埚的开裂，使得石英坩埚能够重复使用，进而降低了锑化铟晶体生长的成本。
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1.一种锑化铟晶体的生长方法，包括步骤：
2.根据权利要求1所述的锑化铟晶体的生长方法，其特征在于，
3.根据权利要求1所述的锑化铟晶体的生长方法，其特征在于，
4.根据权利要求3所述的锑化铟晶体的生长方法，其特征在于，
【技术特征摘要】
1.一种锑化铟晶体的生长方法，包括步骤：
2.根据权利要求1所述的锑化铟晶体的生长方法，其特征在于，
3...
【专利技术属性】
技术研发人员：狄聚青，李镇宏，
申请(专利权)人：安徽光智科技有限公司，
类型：发明
国别省市：
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