硅片蚀刻装置制造方法及图纸

本实用新型专利技术涉及硅片生产设备技术领域，尤其是涉及一种硅片蚀刻装置，包括蚀刻槽，所述蚀刻槽内设有若干用于输送硅片的滚轮组，所述滚轮组沿其轴向设有若干凸环组，每个滚轮组包括第一滚轮、第二滚轮和第三滚轮，所述凸环组包括设置在第一滚轮的若干第一凸环、设置在第二滚轮的若干第二凸环及设置在第三滚轮的若干第三凸环，所述凸环组的第一凸环的数量大于第二凸环的数量，本实用新型专利技术结构简单，降低了返工概率，降低了生产成本，能够有效对硅片进行清洗，避免了蚀刻槽内滚轮上的凸环与硅片接触输送，由于凸环都是一直线设置的，硅片与凸环接触的地方无法进行清洗，严重时需要进行返工，降低了工作效率，增加了生产成本的问题。

【技术实现步骤摘要】
硅片蚀刻装置
本技术涉及硅片生产设备
，尤其是涉及一种硅片蚀刻装置。
技术介绍
现有带水膜装置的后清洗，在硅片覆盖完水膜后进入的刻蚀槽内的滚轮都是带O型圈式的滚轮，通过调整各道滚轮之间的水平，来保证片子上水膜的完善，来达到去刻蚀线的目的，如图1所示，现有蚀刻槽内滚轮上的凸环与硅片接触输送，由于凸环都是一直线设置的，硅片与凸环接触的地方无法进行清洗，严重时需要进行返工，降低了工作效率，增加了生产成本。
技术实现思路
本技术要解决的技术问题是：为了解决蚀刻槽内滚轮上的凸环与硅片接触输送，由于凸环都是一直线设置的，硅片与凸环接触的地方无法进行清洗，严重时需要进行返工，降低了工作效率，增加了生产成本的问题，现提供了一种硅片蚀刻装置。本技术解决其技术问题所采用的技术方案是：一种硅片蚀刻装置，包括蚀刻槽，所述蚀刻槽内设有若干用于输送硅片的滚轮组，所述滚轮组沿其轴向设有若干凸环组，每个滚轮组包括第一滚轮、第二滚轮和第三滚轮，所述凸环组包括设置在第一滚轮的若干第一凸环、设置在第二滚轮的若干第二凸环及设置在第三滚轮的若干第三凸环，所述第一凸环、第二凸环及第三凸环相互水平设置，所述凸环组的第一凸环的数量大于第二凸环的数量，且第一凸环与第二凸环一一对应，所述凸环组的第一凸环的数量大于第三凸环的数量，且第三凸环与第一凸环相互交错设置。通过在蚀刻槽内滚轮组上的凸环组对硅片进行运输，由于凸环组的第一凸环的数量大于第二凸环的数量，且第一凸环与第二凸环一一对应，第一凸环和第二凸环只是数量的差别，由于凸环组的第一凸环的数量大于第三凸环的数量，且第三凸环与第一凸环相互交错设置，使得第三凸环在硅片上的行走路径不与第一凸环的行走路径重合，通过第一凸环与第二凸环数量差及第一凸环与第三凸环交错设置，使得第一凸环和第二凸环及第三凸环在硅片上的行走路径能够被清洗到。进一步地，所述凸环组沿滚轮组轴向等间距分布。本技术的有益效果是：本技术硅片蚀刻装置在使用时，通过在蚀刻槽内滚轮组上的凸环组对硅片进行运输，由于凸环组的第一凸环的数量大于第二凸环的数量，且第一凸环与第二凸环一一对应，第一凸环和第二凸环只是数量的差别，由于凸环组的第一凸环的数量大于第三凸环的数量，且第三凸环与第一凸环相互交错设置，使得第三凸环在硅片上的行走路径不与第凸环的行走路径重合，通过第一凸环与第二凸环数量差及第一凸环与第三凸环交错设置，使得第一凸环和第二凸环及第三凸环在硅片上的行走路径能够被清洗到，本技术结构简单，降低了返工概率，降低了生产成本，能够有效对硅片进行清洗，避免了蚀刻槽内滚轮上的凸环与硅片接触输送，由于凸环都是一直线设置的，硅片与凸环接触的地方无法进行清洗，严重时需要进行返工，降低了工作效率，增加了生产成本的问题。附图说明下面结合附图和实施例对本技术进一步说明。图1是原有硅片蚀刻装置的主视图；图2是本技术硅片蚀刻装置的主视图；图3是中技术硅片蚀刻装置中凸环组的主视图。图中：1、蚀刻槽，2、第一滚轮，3、第二滚轮，4、第三滚轮，5、第一凸环，6、第二凸环，7、第三凸环。具体实施方式现在结合附图对本技术做进一步详细的说明。这些附图均为简化的示意图，仅以示意方式说明本技术的基本结构，因此其仅显示与本技术有关的构成。实施例如图2和3所示，一种硅片蚀刻装置，包括蚀刻槽1，所述蚀刻槽1内设有三组用于输送硅片的滚轮组，所述滚轮组沿其轴向设有三组凸环组，每个滚轮组包括第一滚轮2、第二滚轮3和第三滚轮4，所述凸环组包括设置在第一滚轮2的四个第一凸环5、设置在第二滚轮3的两个第二凸环6及设置在第三滚轮4的三个第三凸环7，所述第一凸环5、第二凸环6及第三凸环7相互水平设置，所述凸环组的两个第二凸环6分别与四个第一凸环5其中的两个相对应，所述凸环组三个第三凸环7与四个第一凸环5相互交错设置。所述凸环组沿滚轮组轴向等间距分布。上述硅片蚀刻装置在使用时，硅片首先接触到第一滚轮2上的第一凸环5，在第一滚轮2的带动下与第二滚轮3上的第二凸环6接触，由于凸环组的第一凸环5的数量大于第二凸环6的数量，且第一凸环5与第二凸环6一一对应，第一个滚轮上第一凸环5在硅片上走过的路径在第二滚轮3上的第二凸环6其中一部分是不会在硅片上走到，就会使得硅板在第一滚轮2上第一凸环5走的路径进行清洗，再由于凸环组的第一凸环5的数量大于第三凸环7的数量，且第三凸环7与第一凸环5相互交错设置，所以第二凸环6与第一凸环5也是相互交错设置，就会使第一凸环5和第二凸环6在硅片上的行走路径到第三凸环7时就不会在上面走，第一凸环5与第三凸环7行走路径相互错开，就能对硅片进行清洗，降低了返工的概率，降低了生产成本。上述依据本技术的理想实施例为启示，通过上述的说明内容，相关工作人员完全可以在不偏离本项技术技术思想的范围内，进行多样的变更以及修改。本项技术的技术性范围并不局限于说明书上的内容，必须要根据权利要求范围来确定其技术性范围。本文档来自技高网...

【技术保护点】
一种硅片蚀刻装置，包括蚀刻槽(1)，其特征在于：所述蚀刻槽(1)内转动设有若干用于输送硅片的滚轮组，所述滚轮组沿其轴向设有若干凸环组，每个滚轮组包括第一滚轮(2)、第二滚轮(3)和第三滚轮(4)，所述凸环组包括设置在第一滚轮(2)的若干第一凸环(5)、设置在第二滚轮(3)的若干第二凸环(6)及设置在第三滚轮(4)的若干第三凸环(7)，所述第一凸环(5)、第二凸环(6)及第三凸环(7)相互水平设置，所述凸环组的第一凸环(5)的数量大于第二凸环(6)的数量，且第一凸环(5)与第二凸环(6)一一对应，所述凸环组的第一凸环(5)的数量大于第三凸环(7)的数量，且第三凸环(7)与第一凸环(5)相互交错设置。

【技术特征摘要】
1.一种硅片蚀刻装置，包括蚀刻槽(1)，其特征在于：所述蚀刻槽(1)内转动设有若干用于输送硅片的滚轮组，所述滚轮组沿其轴向设有若干凸环组，每个滚轮组包括第一滚轮(2)、第二滚轮(3)和第三滚轮(4)，所述凸环组包括设置在第一滚轮(2)的若干第一凸环(5)、设置在第二滚轮(3)的若干第二凸环(6)及设置在第三滚轮(4)的若干第三凸环(7)，所述第...

【专利技术属性】
技术研发人员：孙铁囤，姚伟忠，刘小亮，
申请(专利权)人：常州亿晶光电科技有限公司，
类型：新型
国别省市：江苏,32